醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)技術(shù)方案

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及醫(yī)療保健設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及的是一種醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)。本實(shí)用新型專利技術(shù)提供了一種醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)，所述芯片系統(tǒng)包括壓電陶瓷、體內(nèi)電源模塊、傳感器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、數(shù)據(jù)讀取裝置。本實(shí)用新型專利技術(shù)所提供的一種醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)，有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中醫(yī)療芯片體內(nèi)電源模塊體積重量大、精度低、穩(wěn)定性差的問題，提高了抑制電壓波動(dòng)的性能，具有更高精度和穩(wěn)定性。

The chip system of the medical chip

The utility model relates to the field of medical and health care equipment, in particular to a chip system of a medical chip. The utility model provides a chip system for a medical chip, and the chip system comprises piezoelectric ceramics, internal power supply modules, sensors, data storage devices, and data reading devices. A chip system for medical chip provided by the utility model, effectively solves the problems existing in the medical technology chip power module volume weight, low precision and stability, improve the performance of voltage fluctuation, has higher precision and stability.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)
本技術(shù)涉及醫(yī)療保健設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及的是一種醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
近年來，伴隨著微電子技術(shù)的高速發(fā)展，微芯片逐漸在醫(yī)學(xué)工程領(lǐng)域開始應(yīng)用。系統(tǒng)芯片(SOC)的出現(xiàn)，使微芯片上的器件密度達(dá)到了人腦神經(jīng)元的密度水平，醫(yī)療芯片成為一個(gè)重要的發(fā)展方向。采用金屬導(dǎo)線與芯片直接相連的傳輸方式容易導(dǎo)致二次感染，現(xiàn)有的醫(yī)療芯片的供電多采用埋設(shè)電池裝置的方式，導(dǎo)致整個(gè)裝置的體積重量較大，這樣可能帶來一些對(duì)人體不利的后果。而采用無線射頻傳輸?shù)姆绞綍?huì)因?yàn)榫€圈較大而限制其使用位置，且容易受其他射頻信號(hào)的干擾。現(xiàn)有的體外無線供電所產(chǎn)生的電壓不夠穩(wěn)定，造成植入設(shè)備的壽命縮短。基于此，本技術(shù)提供了一種具有更高精度和穩(wěn)定性的醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是為了解決現(xiàn)有的醫(yī)療芯片體內(nèi)電源模塊體積重量大、精度低、穩(wěn)定性差的問題，提供了一種具有更高精度和穩(wěn)定性的醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)。本技術(shù)提供了一種包括體內(nèi)電源模塊的醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)，所述體內(nèi)電源模塊包括整流模塊和穩(wěn)壓模塊；所述整流模塊包括：第一電容C1的第一端連接輸入電壓VIN，第一二極管D1的正極連接第一電容C1的第二端，第二二極管D2的正極連接第一電容C1的第二端、負(fù)極接地電壓，第二電容C2的第一端連接第一二極管D1的負(fù)極、第二端接地電壓，所述穩(wěn)壓模塊包括：第三電容C3的一端連接第一二極管D1的負(fù)極，第三電容C3的另一端連接第一NMOS管N1的漏極，第一NMOS管N1的源極接地電壓，第一NMOS管N1的柵極連接第一PMOS管P2的漏極和第二NMOS管N2的源極，第一PMOS管P2的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第一PMOS管P2的柵極連接第二NMOS管N2的柵極，第二NMOS管N2的源極接地電壓；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的柵極連接第一運(yùn)算放大器OP1的輸出端并與第一NMOS管N1的漏極相連，第二PMOS管P3的漏極連接第一運(yùn)算放大器OP1的正向輸入端、第一PMOS管P2的柵極以及第一三極管Q1的發(fā)射極，第一三極管Q1的集電極和基極接地電壓，第一電阻R1的一端連接第一三極管Q1的發(fā)射極，另一端接地電壓；第三PMOS管P4的漏極連接第一運(yùn)算放大器OP1的反向輸入端以及第二電阻R2的一端，第二電阻R2的另一端連接第二三極管Q2的發(fā)射極，第二三極管Q2的集電極和基極均接地電壓，電阻第三電阻R3的一端連接第二三極管Q2的發(fā)射極，另一端接地電壓；所述第一三極管Q1和所述第二三極管Q2均為PNP管；第四PMOS管P5、第五PMOS管P6，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的源極均連接第一二極管D1的負(fù)極，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的輸出端，第四PMOS管P5的漏極連接第二運(yùn)算放大器OP2的正向輸入端和第四電阻R4的一端，第四電阻R4的另一端連接第三NMOS管N3的柵極和漏極，第三NMOS管N3的源極接地電壓，第五PMOS管P6的漏極連接第二運(yùn)算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第五電阻R5的另一端連接第四NMOS管N4的漏極，第四NMOS管N4的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第四NMOS管N4的源極接地電壓；第六PMOS管P7，第六PMOS管P7的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第六PMOS管P7的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的輸出端，第六PMOS管P7的漏極連接第七PMOS管P8的漏極，第七PMOS管P8的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第七PMOS管P8的柵極連接第一NMOS管N1的漏極，第七PMOS管P8的漏極連接輸出端VOUT，第六電阻R6的第一端連接第七PMOS管P8的漏極，第六電阻R6的第二端接地電壓。所述芯片系統(tǒng)包括壓電陶瓷、體內(nèi)電源模塊、傳感器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、數(shù)據(jù)讀取裝置；所述壓電陶瓷通過接受人體外發(fā)送的超聲波產(chǎn)生電壓VIN作為體內(nèi)電源模塊的輸入；所述體內(nèi)電源模塊為傳感器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、數(shù)據(jù)讀取裝置提供電源，所述傳感器用于檢測數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置中，數(shù)據(jù)讀取裝置用于讀取數(shù)據(jù)。本技術(shù)所提供的一種醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)，有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中醫(yī)療芯片體內(nèi)電源模塊體積重量大、精度低、穩(wěn)定性差的問題，提高了抑制電壓波動(dòng)的性能，具有更高精度和穩(wěn)定性。附圖說明圖1為本技術(shù)提供的一種醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)中的體內(nèi)電源模塊電路示意圖。圖2為本技術(shù)提供的芯片系統(tǒng)示意圖。具體實(shí)施方式本技術(shù)提供了一種醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)，為使本技術(shù)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實(shí)施例對(duì)本技術(shù)進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本技術(shù)，并不用于限定本技術(shù)。如1圖所示，一種醫(yī)療芯片芯片系統(tǒng)的體內(nèi)電源模塊，所述體內(nèi)電源模塊包括整流模塊和穩(wěn)壓模塊；所述整流模塊包括：第一電容C1的第一端連接輸入電壓VIN，第一二極管D1的正極連接第一電容C1的第二端，第二二極管D2的正極連接第一電容C1的第二端、負(fù)極接地電壓，第二電容C2的第一端連接第一二極管D1的負(fù)極、第二端接地電壓，所述穩(wěn)壓模塊包括：第三電容C3的一端連接第一二極管D1的負(fù)極，第三電容C3的另一端連接第一NMOS管N1的漏極，第一NMOS管N1的源極接地電壓，第一NMOS管N1的柵極連接第一PMOS管P2的漏極和第二NMOS管N2的源極，第一PMOS管P2的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第一PMOS管P2的柵極連接第二NMOS管N2的柵極，第二NMOS管N2的源極接地電壓；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的柵極連接第一運(yùn)算放大器OP1的輸出端并與第一NMOS管N1的漏極相連，第二PMOS管P3的漏極連接第一運(yùn)算放大器OP1的正向輸入端、第一PMOS管P2的柵極以及第一三極管Q1的發(fā)射極，第一三極管Q1的集電極和基極接地電壓，第一電阻R1的一端連接第一三極管Q1的發(fā)射極，另一端接地電壓；第三PMOS管P4的漏極連接第一運(yùn)算放大器OP1的反向輸入端以及第二電阻R2的一端，第二電阻R2的另一端連接第二三極管Q2的發(fā)射極，第二三極管Q2的集電極和基極均接地電壓，電阻第三電阻R3的一端連接第二三極管Q2的發(fā)射極，另一端接地電壓；所述第一三極管Q1和所述第二三極管Q2均為PNP管；第四PMOS管P5、第五PMOS管P6，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的源極均連接第一二極管D1的負(fù)極，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的輸出端，第四PMOS管P5的漏極連接第二運(yùn)算放大器OP2的正向輸入端和第四電阻R4的一端，第四電阻R4的另一端連接第三NMOS管N3的柵極和漏極，第三NMOS管N3的源極接地電壓，第五PMOS管P6的漏極連接第二運(yùn)算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第五電阻R5的另一端連接第四NMOS管N4的漏極，第四NMOS管N4的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)，所述芯片系統(tǒng)包括壓電陶瓷、體內(nèi)電源模塊、傳感器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、數(shù)據(jù)讀取裝置，所述體內(nèi)電源模塊包括整流模塊和穩(wěn)壓模塊；所述整流模塊包括：第一電容C1的第一端連接輸入電壓VIN，第一二極管D1的正極連接第一電容C1的第二端，第二二極管D2的正極連接第一電容C1的第二端、負(fù)極接地電壓，第二電容C2的第一端連接第一二極管D1的負(fù)極、第二端接地電壓，所述穩(wěn)壓模塊包括：第三電容C3的一端連接第一二極管D1的負(fù)極，第三電容C3的另一端連接第一NMOS管N1的漏極，第一NMOS管N1的源極接地電壓，第一NMOS管N1的柵極連接第一PMOS管P2的漏極和第二NMOS管N2的源極，第一PMOS管P2的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第一PMOS管P2的柵極連接第二NMOS管N2的柵極，第二NMOS管N2的源極接地電壓；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的柵極連接第一運(yùn)算放大器OP1的輸出端并與第一NMOS管N1的漏極相連，第二PMOS管P3的漏極連接第一運(yùn)算放大器OP1的正向輸入端、第一PMOS管P2的柵極以及第一三極管Q1的發(fā)射極，第一三極管Q1的集電極和基極接地電壓，第一電阻R1的一端連接第一三極管Q1的發(fā)射極，另一端接地電壓；第三PMOS管P4的漏極連接第一運(yùn)算放大器OP1的反向輸入端以及第二電阻R2的一端，第二電阻R2的另一端連接第二三極管Q2的發(fā)射極，第二三極管Q2的集電極和基極均接地電壓，電阻第三電阻R3的一端連接第二三極管Q2的發(fā)射極，另一端接地電壓；第四PMOS管P5、第五PMOS管P6，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的源極均連接第一二極管D1的負(fù)極，第四PMOS管P5、第五PMOS管P6的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的輸出端，第四PMOS管P5的漏極連接第二運(yùn)算放大器OP2的正向輸入端和第四電阻R4的一端，第四電阻R4的另一端連接第三NMOS管N3的柵極和漏極，第三NMOS管N3的源極接地電壓，第五PMOS管P6的漏極連接第二運(yùn)算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第五電阻R5的另一端連接第四NMOS管N4的漏極，第四NMOS管N4的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的反向輸入端和第五電阻R5的一端，第四NMOS管N4的源極接地電壓；第六PMOS管P7，第六PMOS管P7的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第六PMOS管P7的柵極連接第二運(yùn)算放大器OP2的輸出端，第六PMOS管P7的漏極連接第七PMOS管P8的漏極，第七PMOS管P8的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第七PMOS管P8的柵極連接第一NMOS管N1的漏極，第七PMOS管P8的漏極連接輸出端VOUT，第六電阻R6的第一端連接第七PMOS管P8的漏極，第六電阻R6的第二端接地電壓。...

【技術(shù)特征摘要】
1.一種醫(yī)療芯片的芯片系統(tǒng)，所述芯片系統(tǒng)包括壓電陶瓷、體內(nèi)電源模塊、傳感器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、數(shù)據(jù)讀取裝置，所述體內(nèi)電源模塊包括整流模塊和穩(wěn)壓模塊；所述整流模塊包括：第一電容C1的第一端連接輸入電壓VIN，第一二極管D1的正極連接第一電容C1的第二端，第二二極管D2的正極連接第一電容C1的第二端、負(fù)極接地電壓，第二電容C2的第一端連接第一二極管D1的負(fù)極、第二端接地電壓，所述穩(wěn)壓模塊包括：第三電容C3的一端連接第一二極管D1的負(fù)極，第三電容C3的另一端連接第一NMOS管N1的漏極，第一NMOS管N1的源極接地電壓，第一NMOS管N1的柵極連接第一PMOS管P2的漏極和第二NMOS管N2的源極，第一PMOS管P2的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第一PMOS管P2的柵極連接第二NMOS管N2的柵極，第二NMOS管N2的源極接地電壓；第二PMOS管P3，第三PMOS管P4，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的源極連接第一二極管D1的負(fù)極，第二PMOS管P3、第三PMOS管P4的柵極連接第一運(yùn)算放大器OP1的輸出端并與第一NMOS管N1的漏極相連，第二PMOS管P3的漏極連接第一運(yùn)算放大器OP1的正向輸入端、第一PMOS管P2的柵極以及第一三極管Q1的發(fā)射極，第一三極管Q1的集電極和基極接地電壓，第一電阻R1的一端連接第一三極管Q1的發(fā)射極，另一端接地電壓；第三PMOS管P4的漏極連接第一運(yùn)算放大器O...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：程萍，楊彪，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：程萍，
類型：新型
國別省市：湖北,42