一種太陽能硅片清洗工藝制造技術

本發明專利技術提供一種太陽能硅片清洗工藝，包括預清洗，將硅片上的污染物軟化、分離、溶解；藥液清洗，將硅片表面的油污清洗干凈；第一次漂洗，清除硅片上的藥液；化學液清洗，將有機物分解去除；第二次漂洗，去除硅片表面清洗劑和泡沫；慢提拉，使硅片表面水分均勻。本發明專利技術的有益效果是提高了漂洗效果，降低清洗臟片率，提高產品的質量、節約成本。

【技術實現步驟摘要】
一種太陽能硅片清洗工藝
本專利技術屬于太陽能硅片生產
，尤其是涉及一種太陽能硅片清洗工藝。
技術介紹
近年來，隨著光伏行業的飛速發展，光電轉換效率持續提升，太陽能硅片作為電池組件的主要原材料，對硅片表面粗糙度、TTV、WARP、表面潔凈度等參數要求也越來越高，在目前的硅片生產過程中出現硅片臟花嚴重的問題，針對臟花片特點，確定是由于清洗不干凈并且在硅片漂洗過程中漂洗不充分存在的問題。
技術實現思路
本專利技術的目的在于現有硅片生產過程中清洗不干凈并且漂洗不充分的問題，提供一種太陽能硅片清洗工藝。為解決上述技術問題，本專利技術采用的技術方案是：一種太陽能硅片清洗工藝，其特征在于：依次包括以下步驟：預清洗，將硅片上的污染物軟化、分離、溶解；藥液清洗，將硅片表面的油污清洗干凈；第一次漂洗，清除硅片上的藥液；化學液清洗，將有機物分解去除；第二次漂洗，去除硅片表面的化學液和泡沫；慢提拉，使硅片表面水分均勻；其中，所述藥液清洗重復兩次；所述第一次漂洗步驟重復兩次；所述第二次漂洗步驟重復四次。進一步地，所述第一次漂洗步驟和所述第二次漂洗步驟中均采用純水漂洗。進一步地，所述化學液清洗中，所述化學液包括濃度為10％-20％氫氧化鉀溶液和15％-16％過氧化氫溶液的混合液。進一步地，所述化學液包括12％氫氧化鉀溶液和15％的過氧化氫溶液。進一步地，所述氫氧化鉀溶液和所述過氧化氫溶液的體積比為1:2。進一步地，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗的溫度均為38°-42°。進一步地，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗的溫度為40°。本專利技術具有的優點和積極效果是：1.化學液清洗重復兩次，硅片表面的污物清洗干凈，清洗效果顯著，清洗臟片率降低0.3％，清洗劑單耗降低26.7％，提高了產品的質量，節約成本和能源；2.在藥液清洗與化學液清洗之間設置第一次漂洗，且第一次漂洗重復兩次，可以有效的去除藥液，避免殘留的藥液帶入到化學液清洗步驟中，與化學液反應，污染化學液；3.在化學液清洗與慢提拉之間第二次漂洗重復四次，漂洗干凈清洗劑殘留，提高了漂洗效果，清洗臟片率降低，提高了產品質量。附圖說明圖1是本專利技術太陽能硅片清洗的工藝流程示意圖；具體實施方式如圖1所示，本實例一種太陽能硅片清洗工藝，包括以下步驟：預清洗，分別在0槽和1槽中進行，預清洗重復兩次，0槽和1槽內為純水，溫度為40℃，預清洗采用超聲溢流清洗，在清洗的過程中，采用機械手抓取盛放硅片的片籃，將片籃放入0槽，硅片在0槽內清洗240s后，機械手將片籃從0槽內取出，放入1槽內清洗，硅片在1槽內的清洗時間為240s，將硅片上的污染物軟化、分離、溶解。藥液清洗，在2槽和3槽內進行藥液清洗，藥液清洗步驟重復兩次，清洗液采用君合清洗劑A液與B液的混合液，其中，君合清洗劑A液與君合清洗劑B液的體積比為2:1，本實例中，2槽和3槽內的清洗劑為君合清洗劑A液1.5L，君合清洗劑B液0.75L，水300L，配液順序為，首先將2槽和3槽內注入純水，當溫度達到38°后開始配液，配液的過程中，先將清洗劑A液緩慢注入清洗槽中，等待30秒后再將清洗劑B液緩慢注入，降低體系的表面張力，促進硅片表面油污的潤濕、滲透、乳化和分散，將硅片表面油污清洗干凈，清洗劑可以迅速滲透到油污與硅片之間，使油污迅速剝離硅片表面，剝離后表面活性劑將油脂乳化，極高的提高了清洗劑的除油性能，清洗的過程中，采用機械手抓取盛放硅片的片籃，將片籃放入2槽，硅片在2槽內清洗240s后，機械手將片籃從2槽內取出，放入3槽內重復清洗，硅片在3槽內的清洗時間為240s。第一次漂洗，第一次漂洗重復兩次，分別在4槽和5槽內進行，清洗槽4和清洗槽5內的清洗液為純水，利用流動的純水將硅片表面的的清洗劑沖洗干凈，清洗溫度為38°-42°，優選地，清洗溫度為40°，清洗時間為240s，臟片率最低，漂洗的效果達到最佳。化學液清洗在6槽內進行，化學液清洗采用濃度為12％的氫氧化鉀溶液和濃度15％的雙氧水溶液的混合液，化學液的配液順序為，首先將6槽內注入300L純水，再先將氫氧化鉀緩慢注入槽內，等待30秒后，再將過氧化氫緩慢注入，其中，氫氧化鉀溶液與雙氧水溶液的體積比為1:2，化學液清洗的溫度為40℃，清洗時間為240s，注意在配液的過程中禁止將2種液體直接混合在一起注入，用于除去原子、離子不可見的污染，將有機物分解去除。第二次漂洗，分別在7槽、8槽、9槽和10槽中進行，經過化學清洗劑清洗后產生大量泡沫，需要經過多次的漂洗后才能完全去除，保證清洗質量，減少硅片臟花，第二次漂洗重復四次，有效地去除硅片表面清洗劑和泡沫，漂洗的溫度為38°-42°，優選地，漂洗的溫度為40°，臟片率最低，漂洗的效果達到最佳；慢提拉，慢提拉在清洗槽11中進行，清洗槽11內為純水，溫度為40℃，采用機械手將硅片緩慢提出液面，使硅片表面的水分均勻，利于烘箱烘干硅片，然后進入烘箱，除去太陽能硅片表面殘留的水分。本實例的工作過程：預清洗，將硅片上的污染物軟化、分離、溶解，藥液清洗，促進硅片表面油污的潤濕、滲透、乳化和分散，將硅片表面的油污清洗干凈；漂洗，清除硅片上的藥液；化學液清洗，除去原子、離子不可見的污染，將有機物分解去除；漂洗，去除硅片表面清洗劑和泡沫；慢提拉，使硅片表面的水分均勻；達到降低臟片率，提高產品質量，節約成本的目的。本專利技術的有益效果是：1.化學液清洗重復兩次，硅片表面的污物清洗干凈，清洗效果顯著，清洗臟片率降低0.3％，清洗劑單耗降低26.7％，提高了產品的質量，節約能源；2.在藥液清洗與化學液清洗之間設置第一次漂洗，且第一次漂洗重復兩次，可以有效的去除藥液，避免殘留的藥液帶入到化學液清洗步驟中，與化學液反應，污染化學液；3.在化學液清洗與慢提拉之間第二次漂洗重復四次，漂洗干凈清洗劑殘留，提高了漂洗效果，清洗臟片率降低，提高了產品質量。以上對本專利技術的一個實施例進行了詳細說明，但所述內容僅為本專利技術的較佳實施例，不能被認為用于限定本專利技術的實施范圍。凡依本專利技術申請范圍所作的均等變化與改進等，均應仍歸屬于本專利技術的專利涵蓋范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種太陽能硅片清洗工藝，其特征在于：依次包括以下步驟：預清洗，將硅片上的污染物軟化、分離、溶解；藥液清洗，將硅片表面的油污清洗干凈；第一次漂洗，清除硅片上的藥液；化學液清洗，將有機物分解去除；第二次漂洗，去除硅片表面的化學液和泡沫；慢提拉，使硅片表面水分均勻；其中，所述藥液清洗重復兩次；所述第一次漂洗步驟重復兩次；所述第二次漂洗步驟重復四次。

【技術特征摘要】
1.一種太陽能硅片清洗工藝，其特征在于：依次包括以下步驟：預清洗，將硅片上的污染物軟化、分離、溶解；藥液清洗，將硅片表面的油污清洗干凈；第一次漂洗，清除硅片上的藥液；化學液清洗，將有機物分解去除；第二次漂洗，去除硅片表面的化學液和泡沫；慢提拉，使硅片表面水分均勻；其中，所述藥液清洗重復兩次；所述第一次漂洗步驟重復兩次；所述第二次漂洗步驟重復四次。2.根據權利要求1所述的一種太陽能硅片清洗工藝，其特征在于：所述第一次漂洗步驟和所述第二次漂洗步驟中均采用純水漂洗。3.根據權利要求1所述的一種太陽能硅片清洗工藝，其特征在于：所述化學液清洗中...

【專利技術屬性】
技術研發人員：古元甲，劉曉偉，劉濤，劉琦，劉沛然，孫昊，孫毅，田志民，楊旭洲，辛超，趙朋占，李偉，秦焱澤，
申請(專利權)人：天津市環歐半導體材料技術有限公司，
類型：發明
國別省市：天津,12