本申請公開了包含將沉積腔室與處理腔室分開的隔離區域的處理系統。本文描述一種用于在處理系統中處理基板的設備和方法，所述處理系統包含沉積腔室、處理腔室以及隔離區域，所述隔離區域將所述沉積腔室與所述處理腔室分開。所述沉積腔室將膜沉積在基板上。所述處理腔室從所述沉積腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改裝置來更改沉積在所述沉積腔室中的所述膜。提供了根據以上實施例以及其他實施例的處理系統和方法。
【技術實現步驟摘要】
包含將沉積腔室與處理腔室分開的隔離區域的處理系統本申請是2015年11月3日提交的、申請號為201510736705.4、題為“包含將沉積腔室與處理腔室分開的隔離區域的處理系統”的專利技術專利申請的分案申請。
本專利技術大體上涉及包括將沉積腔室與處理腔室分開的隔離區域的處理系統。
技術介紹
在半導體制造中，下一代化學氣相沉積(CVD)膜可能將需要在膜沉積工藝后進行處理工藝，以便獲得所需的膜特性。另外，處理工藝可能需要在膜沉積工藝后不久就執行，以便避免原生性氧化物形成。用于半導體處理系統的現有架構并不是為迅速的順序的沉積和處理工藝而設計的。此外，常規處理系統較大，并且占據清潔室環境中大量寶貴的地板空間。因此，增加常規半導體處理系統的尺寸以適應更迅速地將基板從沉積腔室傳送至處理腔室不是可接受的解決方案。因此，需要適于順序的沉積和處理的改進的半導體處理系統。
技術實現思路
本文公開了處理系統，所述處理系統包括沉積腔室、處理腔室以及至少一個隔離區域。所述沉積腔室被配置成將膜沉積在基板上。所述處理腔室被布置成從所述沉積腔室接收所述基板。所述處理腔室傳送所述基板遠離所述沉積腔室。所述處理腔室包括膜特性更改裝置。所述膜特性更改裝置可操作以處理設置在所述處理腔室中的所述基板。所述膜特性更改裝置更改在所述沉積腔室中所沉積的膜的特性。所述隔離區域被配置成將所述沉積腔室與所述處理腔室分開。在另一實施例中，本文描述了用于在處理系統中對基板進行處理的方法。所述方法包括將所述基板傳送至第一沉積腔室中。當所述基板在所述第一沉積腔室中時，將膜沉積在所述基板上。傳送所述基板穿過將所述沉積腔室與所述第一處理腔室分開的第一隔離區域。在所述第一處理腔室中，更改所沉積的膜的特性。在另一實施例中，本文描述了處理系統，所述處理系統包括沉積腔室、處理腔室、至少一個隔離區域以及傳送機構。所述沉積腔室被配置成將膜沉積在基板上。所述沉積腔室包括基板支撐件。所述基板支撐件被配置成在所述沉積腔室的內部容積中支撐所述基板。所述處理腔室與所述沉積腔室直列。所述處理腔室包括基板支撐件和膜特性更改裝置。所述基板支撐件被配置成在所述處理腔室的內部容積中支撐所述基板以進行處理。所述膜特性更改裝置可操作以處理設置在所述處理腔室中的所述基板。所述膜特性更改裝置更改在所述沉積腔室中沉積在所述基板上的膜的特性。所述膜特性更改裝置被設置在所述處理腔室的所述內部容積中。所述膜特性更改裝置基本上平行于所述內部容積中的所述基板支撐件的頂表面，并且在所述內部容積中的所述基板支撐件的頂表面上方。所述至少一個隔離區域被配置成將所述沉積腔室與所述處理腔室分開。所述傳送機構被配置成從所述沉積腔室傳送所述基板穿過所述隔離區域并進入所述處理腔室。所述沉積腔室、所述處理腔室、所述隔離區域以及所述傳送機構都駐留在真空密封處理系統中。附圖說明所附附圖(這些附圖并入本說明書并構成說明書的一部分)示意性地示出本專利技術，并且所附附圖與以上給出的一般描述以及以下給出的具體實施例一起用于解釋本專利技術的原理。圖1示意性地示出直列(inline)處理系統的布局；圖2示出隔離區域的一個實施例，其中該隔離區域是氣幕(gascurtain)；圖3示出隔離區域的另一個實施例，其中該隔離區域是狹縫閥；圖4A示出處理系統中沉積腔室的橫截面圖；圖4B示出處理系統中處理腔室的橫截面圖；圖5示出處理系統的腔室內設置的載體的俯視圖；圖6A-6E示出載體將基板傳送至處理系統的腔室內的基板支撐件的工藝；圖7示出直列處理系統的布局；圖8示出豎直處理系統的布局；圖9A-9C示出用于跑道形(racetrack)處理系統的序列；圖10示出傳送帶式(carousel)處理系統的布局；圖11A示出半導體串列式(tandem)處理系統的俯視圖；以及圖11B示出半導體串列式處理系統中的四聯(quad)處理站的放大視圖。為了清楚起見，在適用的地方已使用了完全相同的參考標號來指定各圖之間所共有的完全相同的元件。具體實施方式圖1示意性地示出適于在處理系統100內的基板上順序地沉積并處理膜的順序處理系統100。處理系統100包括工藝站122、隔離區域104以及負載鎖定站108。工藝站122、隔離區域104和負載鎖定站108經連接以形成連續的真空密封平臺110。泵系統120被耦接至負載鎖定站108、工藝站122和隔離區域104。泵系統120控制處理系統100內的壓力。泵系統120可用于根據需要來對負載鎖定站108降壓抽真空(pumpdown)和破真空(vent)，以有利于基板進入真空密封平臺110以及從真空密封平臺110中移除基板。工藝站122包括至少一個沉積區域102以及至少一個處理區域106。一個或多個處理區域106中的至少一個處理區域順序地位于諸個沉積區域102中的至少一個沉積區域的下游(即，相對于穿過處理系統100的工藝流程的方向)。例如，處理區域106可順序地位于若干沉積區域102中的最后一個沉積區域(在圖1示為Di)的下游。隔離區域104用于防止或至少基本上最小化區域102、106之間氣體的流動。處理系統100通過通信線纜128被耦接至控制器112?？刂破?12可操作地用于控制在處理系統100內對基板(未示出)的處理?？刂破?12包括：可編程中央處理單(CPU)116，所述CPU116可與存儲器114和大容量存儲裝置一起操作；輸入控制單元；以及顯示單元(未示出)；諸如，耦接至處理系統100的各種組件以有利于對處理基板工藝的控制的電源、時鐘、高速緩存、輸入/輸出(I/O)電路等?？刂破?12還可包括硬件，所述硬件用于通過處理系統100中的傳感器(未示出)來監測基板的處理。為了有利于對處理系統100和處理基板的控制，CPU116可以是用于控制基板工藝的通用計算機處理器中的任何形式。存儲器114被耦接至CPU116，并且存儲器114是非暫態的，并且存儲器114可以是容易獲得的存儲器中的一種或多種，諸如，隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、軟盤驅動器、硬盤、或任何其他形式的數字存儲裝置(無論是本地的還是遠程的)。支持電路118被耦接至CPU116，以便以常規方式來支持CPU116。用于處理基板的工藝一般存儲在存儲器114中。用于處理基板的進程還可由第二CPU(未示出)存儲和/或執行，所述第二CPU位于受CPU116控制的硬件的遠程。存儲器114是計算機可讀存儲介質形式的，所述計算機可讀存儲介質包含指令，所述指令在由CPU116執行時，有利于在處理系統100中處理基板的操作。存儲器114中的指令是程序產品形式的，諸如，實現處理基板的操作的程序。程序代碼可符合許多不同編程語言中的任何一種。在一個實例中，本公開可實現為存儲在與計算機系統一起使用的計算機可讀存儲介質中的程序產品。該程序產品的程序定義實施例的功能。說明性的計算機可讀存儲介質包括但不限于：(i)信息永久地存儲在其上的非可寫入的存儲介質(例如，計算機內的只讀存儲器設備，諸如，可由CD-ROM驅動器讀取的CD-ROM盤、閃存存儲器、ROM芯片或任何類型的固態非易失性半導體存儲器)；以及(ii)其上存儲可改變信息的寫入存儲介質(例如，在軟盤驅動器或硬盤驅動器內的軟盤或任何類型的固態隨機存取半導體存儲器)。本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種基板處理系統，所述基板處理系統包括：第一處理區域；第二處理區域；隔離區域，所述隔離區域設置在所述第一處理區域與所述第二處理區域之間；以及基板傳送裝置，所述基板傳送裝置與所述第一處理區域、所述第二處理區域以及所述隔離區域流體地連通，其中所述基板傳送裝置允許經豎直地致動的基板舉升裝置通過所述基板傳送裝置。
【技術特征摘要】
2014.11.06 US 62/076,292;2015.01.05 US 14/589,9901.一種基板處理系統，所述基板處理系統包括：第一處理區域；第二處理區域；隔離區域，所述隔離區域設置在所述第一處理區域與所述第二處理區域之間；以及基板傳送裝置，所述基板傳送裝置與所述第一處理區域、所述第二處理區域以及所述隔離區域流體地連通，其中所述基板傳送裝置允許經豎直地致動的基板舉升裝置通過所述基板傳送裝置。2.如權利要求1所述的基板處理系統，其中所述基板傳送裝置在所述第一處理區域、所述第二處理區域與所述隔離區域之間傳送基板載體。3.如權利要求1所述的基板處理系統，其中所述第一處理區域由第一腔室界定，并且所述第二處理區域由第二腔室界定。4.如權利要求1所述的基板處理系統，其中所述第一處理區域和所述第二處理區域各自進一步包括基板支撐件。5.如權利要求1所述的基板處理系統，其中所述隔離區域包括氣幕。6.如權利要求1所述的基板處理系統，其中所述第一處理區域是選自由以下各項組成的組的沉積腔室：化學氣相沉積(CVD)腔室、旋涂涂布腔室、可流動型(CVD)腔室、物理氣相沉積(PVD)腔室、原子蒸氣沉積(ALD)腔室以及外延沉積腔室。7.根據權利要求1所述的處理系統，其中所述第二處理腔室是選自由以下各項組成的組的處理腔室：熱處理腔室、退火腔室、快速熱退火腔室、激光處理腔室、電子束處理腔室、UV處理腔室、離子束注入腔室以及離子浸沒注入腔室。8.根據權利要求1所述的基板處理系統，進一步包括負載鎖定腔室。9.一種基板傳送裝置，所述基板...
【專利技術屬性】
技術研發人員：K·杰納基拉曼，A·B·馬利克，H·K·波內坎蒂，M·斯里拉姆，A·T·迪莫斯，M·斯里尼瓦桑，J·C·羅查阿爾瓦雷斯，D·R·杜波依斯，
申請(專利權)人：應用材料公司，
類型：發明
國別省市：美國,US
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