一種交流輸入電源處理電路及移動電源制造技術

本實用新型專利技術公開了一種交流輸入電源處理電路及移動電源，交流輸入電源處理電路包括市電接口、單相整流橋和電阻投切電路；市電接口包括L端和N端；市電接口接單相整流橋的交流側；單相整流橋的直流側的第一端(正輸出端)通過電阻投切電路接交流輸入電源處理電路輸出端(對應標號為400V)；單相整流橋的直流側的第二端接地；所述的電阻投切電路為基于繼電器的電阻投切電路。該交流輸入電源處理電路具有電阻投切電路，靈活性好。

【技術實現步驟摘要】
一種交流輸入電源處理電路及移動電源
本技術特別涉及一種交流輸入電源處理電路及移動電源。
技術介紹
移動電源應用極為廣泛，可以用于為手機等電子產品充電；一般采用市電對移動電源充電，在充電過程前期中，存在的浪涌電流對整個移動電源具有極大的危害；而在充電過程的后期，浪涌電流消失，現有的技術中，沒有專門針對浪涌電流的措施，無法保障充電過程順利進行，而且無法保障最大限度的充電效率(避免能量損耗)；因此，有必要設計一種新的交流輸入電源處理電路及移動電源。
技術實現思路
本技術所要解決的技術問題是提供一種交流輸入電源處理電路及移動電源，該交流輸入電源處理電路及移動電源具有電阻投切電路，靈活性好。技術的技術解決方案如下：一種交流輸入電源處理電路包括市電接口、單相整流橋和電阻投切電路；市電接口包括L端和N端；市電接口接單相整流橋的交流側；單相整流橋的直流側的第一端(正輸出端)通過電阻投切電路接交流輸入電源處理電路輸出端(對應標號為400V)；單相整流橋的直流側的第二端接地；所述的電阻投切電路為基于繼電器的電阻投切電路。所述的電阻投切電路包括電阻R36、繼電器K1和NPN型的三極管Q1；繼電器K1包括一個線圈和一個常開開關；該線圈的第一端接直流電源VCP；該線圈的另一端接三極管Q1的c極；三極管Q1的b極經電阻R11接控制端RLY-CONTROL，該控制端來自MCU；三極管Q1的e極接地；三極管Q1的b極和e極之前跨接有電阻R14；該常開開關與電阻R36并聯；電阻R36的第一端接單相整流橋的直流側的第一端；電阻R36的第二端經二極管D9接交流輸入電源處理電路輸出端。電阻R36的第二端與二極管D9之間依次串接有電感L1和L4。單相整流橋的直流側的第二端經測量電阻R1接地。市電接口的L端和N端之間接有壓敏電阻支路；壓敏電阻支路由壓敏電阻RV6和RV1串聯而成。單相整流橋的交流側并聯有壓敏電阻RV7。市電接口的L端依次經電感L9和L8接單相整流橋。單相整流橋采用GBJ25M器件。所述的交流輸入電源處理電路還包括MOSFET驅動電路；MOSFET驅動電路包括MOSFET驅動器、MOS管Q3以及三極管Q5；MOS管為N溝道MOS管，三極管為PNP型三極管；MOSFET驅動器的輸入端經電阻R7接PWM信號輸出端PFC-DRIVE；PWM信號輸出端PFC-DRIVE來自PFC電路；MOSFET驅動器的輸出端經電阻R21接MOS管Q3的G極；MOS管Q3的D極接二極管D9的正極；MOS管Q3的S極接地；MOS管Q3的G極和S極之間跨接有電阻R12；MOS管Q3的G極和S極分別接三極管Q5的e極和c極；三極管Q5的b極接MOSFET驅動器的輸出端。所述的MOSFET驅動電路為并聯的2個，第2個包括Q2和Q4；作為冗余設計。MOS管Q3采用IPA60R099C6；三極管Q5采用FSB749；所述的MOSFET驅動器為IXDN604SIA芯片(4安培雙低側超快MOSFET驅動器)。一種移動電源，包括前述的交流輸入電源處理電路。有益效果：本技術的交流輸入電源處理電路，具有電阻投切電路，靈活性好；電阻投切電路中，VCP為繼電器供電的電壓。RLY-CONTROL用于繼電器控制。繼電器用于投切電阻R36，剛通電時，繼電器開路，電阻R36抑制浪涌電流，穩定之后，繼電器吸合，將電阻R36短路，相當于切除R36。另外，該電路與PFC電路相結合，能有利于后續移動電源的電芯的充電的順利進行。采用PFC芯片為核心芯片實現功率因數校正，通過升壓(升壓到380-400V左右)以及PWM控制實現功率因數的校正，實際應用表明，本技術的功率因數校正電路校正效果好，運行穩定，適合推廣實施。附圖說明圖1為PFC電路的原理圖；圖2為交流輸入電源處理電路的原理圖。具體實施方式為了便于理解本技術，下文將結合說明書附圖和較佳的實施例對本文技術做更全面、細致地描述，但本技術的保護范圍并不限于一下具體實施例。除非另有定義，下文中所使用的所有專業術語與本領域技術人員通常理解含義相同。本文中所使用的專業術語只是為了描述具體實施例的目的，并不是旨在限制本技術的保護范圍。實施例1：如圖1-2，一種交流輸入電源處理電路包括市電接口、單相整流橋和電阻投切電路；市電接口包括L端和N端；市電接口接單相整流橋的交流側；單相整流橋的直流側的第一端(正輸出端)通過電阻投切電路接交流輸入電源處理電路輸出端(對應標號為400V)；單相整流橋的直流側的第二端接地；所述的電阻投切電路為基于繼電器的電阻投切電路。所述的電阻投切電路包括電阻R36、繼電器K1和NPN型的三極管Q1；繼電器K1包括一個線圈和一個常開開關；該線圈的第一端接直流電源VCP；該線圈的另一端接三極管Q1的c極；三極管Q1的b極經電阻R11接控制端RLY-CONTROL，該控制端來自MCU；三極管Q1的e極接地；三極管Q1的b極和e極之前跨接有電阻R14；該常開開關與電阻R36并聯；電阻R36的第一端接單相整流橋的直流側的第一端；電阻R36的第二端經二極管D9接交流輸入電源處理電路輸出端。電阻R36的第二端與二極管D9之間依次串接有電感L1和L4。單相整流橋的直流側的第二端經測量電阻R1接地。市電接口的L端和N端之間接有壓敏電阻支路；壓敏電阻支路由壓敏電阻RV6和RV1串聯而成。單相整流橋的交流側并聯有壓敏電阻RV7。市電接口的L端依次經電感L9和L8接單相整流橋。單相整流橋采用GBJ25M器件。所述的交流輸入電源處理電路還包括MOSFET驅動電路；MOSFET驅動電路包括MOSFET驅動器、MOS管Q3以及三極管Q5；MOS管為N溝道MOS管，三極管為PNP型三極管；MOSFET驅動器的輸入端經電阻R7接PWM信號輸出端PFC-DRIVE；PWM信號輸出端PFC-DRIVE來自PFC電路；MOSFET驅動器的輸出端經電阻R21接MOS管Q3的G極；MOS管Q3的D極接二極管D9的正極；MOS管Q3的S極接地；MOS管Q3的G極和S極之間跨接有電阻R12；MOS管Q3的G極和S極分別接三極管Q5的e極和c極；三極管Q5的b極接MOSFET驅動器的輸出端。所述的MOSFET驅動電路為并聯的2個，第2個包括Q2和Q4；作為冗余設計。MOS管Q3采用IPA60R099C6；三極管Q5采用FSB749；所述的MOSFET驅動器為IXDN604SIA芯片(4安培雙低側超快MOSFET驅動器)。一種PFC電路，包括PFC芯片，所述的PFC芯片為功率因數校正芯片；功率因數校正電路的輸入端包括全波整流電壓輸入端RECT-AC和電流檢測信號端PFC-CS；功率因數校正電路的輸出端包括PWM信號輸出端PFC-DRIVE。所述的PFC芯片采用L4981芯片；全波整流電壓輸入端RECT-AC經依次串聯的電阻Rd和R70接地；電阻Rd和R70的連接點接L4981芯片的VRMS端；Rd由R104，R52和R53串聯而成。電流檢測信號端PFC-CS經電阻R72接L4981芯片的I-PK端；電流檢測信號端PFC-CS經電阻R73接L4981芯片的MI-OUT端；L4981芯片的GATE端為PWM信號輸出端PFC-DRIVE。移動電源本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種交流輸入電源處理電路,其特征在于，包括市電接口、單相整流橋和電阻投切電路；市電接口包括L端和N端；市電接口接單相整流橋的交流側；單相整流橋的直流側的第一端通過電阻投切電路接交流輸入電源處理電路輸出端；單相整流橋的直流側的第二端接地；所述的電阻投切電路為基于繼電器的電阻投切電路。

【技術特征摘要】
1.一種交流輸入電源處理電路,其特征在于，包括市電接口、單相整流橋和電阻投切電路；市電接口包括L端和N端；市電接口接單相整流橋的交流側；單相整流橋的直流側的第一端通過電阻投切電路接交流輸入電源處理電路輸出端；單相整流橋的直流側的第二端接地；所述的電阻投切電路為基于繼電器的電阻投切電路。2.根據權利要求1所述的交流輸入電源處理電路,其特征在于，所述的電阻投切電路包括電阻R36、繼電器K1和NPN型的三極管Q1；繼電器K1包括一個線圈和一個常開開關；該線圈的第一端接直流電源VCP；該線圈的另一端接三極管Q1的c極；三極管Q1的b極經電阻R11接控制端RLY-CONTROL；三極管Q1的e極接地；三極管Q1的b極和e極之前跨接有電阻R14；該常開開關與電阻R36并聯；電阻R36的第一端接單相整流橋的直流側的第一端；電阻R36的第二端經二極管D9接交流輸入電源處理電路輸出端。3.根據權利要求2所述的交流輸入電源處理電路,其特征在于，電阻R36的第二端與二極管D9之間依次串接有電感L1和L4。4.根據權利要求1所述的交流輸入電源處理電路,其特征在于，單相整流橋的直流側的第二端經測量電阻R1接地。5.根據權利要求1所述的交流輸入電源處理電路,其...

【專利技術屬性】
技術研發人員：廖躍飛，嚴紅生，
申請(專利權)人：東莞市巨星電池有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東,44