一種雙通道供電裝置和電子設備制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種雙通道供電裝置和電子設備，雙通道供電裝置包括：第一防反單元，第二防反單元、防串擾單元；第一防反單元包括PMOS管，PMOS管的漏極外接第一功率電源，源極分別連接第二防反單元以及外部的負載；柵極與防串擾單元相連；第二防反單元包括第一二極管；第一二極管的正極分別連接防串擾單元以及外部的第二功率電源，負極分別連接PMOS管的源極以及負載；其中，第一功率電源的供電功率大于第二功率電源的供電功率；防串擾單元連接在PMOS管的柵極以及第一二極管的正極之間；在第二功率電源上電時，防串擾單元導通；在第一功率電源上電時，防串擾單元截止。本發明專利技術降低了功率損耗，防止了通道之間的串擾。

【技術實現步驟摘要】
一種雙通道供電裝置和電子設備
本專利技術涉及一種供電裝置，特別是涉及一種可為同一負載提供兩種供電電流的雙通道供電裝置和電子設備。
技術介紹
在電路設計中，經常會需要包括兩個通道的供電裝置，兩個通道會同時為負載電路提供不同供電電流。例如，在汽車前大燈的設計中，往往需要使用一套LED負載同時實現日間行車燈功能和位置燈的功能。但是，日間行車燈的功率是位置燈的功率的十倍，也就是說，提供給日間行車燈的供電電流要明顯大于位置燈的供電電流。因此，在這種雙通道供電裝置中，兩個通道之間的端口防反是特別需要注意的。目前，對于雙通道供電裝置的端口防反設計一般有兩種方案：第一種，利用二極管的單向導通特性進行防反，這種方案在大功率兩通道電路中使用會有弊端，會造成在防反二極管上消耗過多功率，導致模塊的工作效率降低過多。例如圖1所示電路，其中，“1”通道表示的是大功率通道，“2”通道表示的是小功率通道，二極管D1和D2的管壓降可以達到0.7V。在第1通道下，如輸入電流達3A時，那么二極管D2上的功率損耗達到2.1W，會大大降低電源模塊的工作效率，并且，二極管自身的發熱量也會很大，對整個雙通道供電裝置造成一定的影響。第二種是利用PMOS的導通閾值進行防反接電路設計，這種方案雖然解決了二極管消耗大量功率的缺陷，但在雙通道供電中應用又會存在自身的缺陷。如圖2所示電路，其中，“1”通道表示的是大功率通道，“2”通道表示的是小功率通道。在第1通道上電時，PMOS管Q1內的體二極管導通，使得PMOS管Q1的源極存在電壓，且柵極和源極之間的壓降大于導通壓降，則PMOS管Q1導通工作；當第1通道的電源和地反接時，PMOS管的柵極和源極之間的壓降小于導通壓降，PMOS管Q1則不會導通，起到了防反接的作用。并且，當第1通道輸入電流3A時，PMOS管Q1的導通壓降只有0.2V左右，在PMOS管Q1上消耗的功率也只有0.6W，對模塊效率的影響很小。但是，在第2通道上電時，PMOS管Q1的源極也存在高電壓，因此，也可以導通PMOS管Q1，從而容易造成第1通道電源端口沒有上電卻有高電壓存在。進一步導致以下兩種故障：1)如果第1通道的電源端口誤接了地，會直接導致第2通道端口經二極管D1和PMOS管Q1到第1通道端口到地的這個回路過流，從而導致回路中元器件的燒毀；2)有些廠家的模塊檢測策略中會通過檢測各個電源線上的電壓來判斷是否存在對電源短路故障，因此，如果第1通道的端口沒上電卻存在高電壓，檢測設備會出現誤判。
技術實現思路
鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種雙通道供電裝置和電子設備，用于解決現有技術中具備端口防反設計的雙通道供電裝置的功率損耗過大以及雙通道之間相互干擾的問題。為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種雙通道供電裝置，包括：第一防反單元，第二防反單元、防串擾單元；所述第一防反單元包括PMOS管，所述PMOS管的漏極外接第一功率電源，源極分別連接所述第二防反單元以及外部的負載；柵極與所述防串擾單元相連；所述第二防反單元包括第一二極管；所述第一二極管的正極分別連接所述防串擾單元以及外部的第二功率電源，負極分別連接所述PMOS管的源極以及所述負載；其中，所述第一功率電源的供電功率大于所述第二功率電源的供電功率；所述防串擾單元連接在所述PMOS管的柵極以及所述第一二極管的正極之間；在所述第二功率電源上電時，所述防串擾單元導通；在所述第一功率電源上電時，所述防串擾單元截止。于本專利技術的一實施例中，在所述第一功率電源上電時，所述第一防反單元的所述PMOS管導通。于本專利技術的一實施例中，所述第一防反單元還包括第一電阻和第三二極管；其中，所述PMOS管的漏極連接外部的所述第一功率電源；柵極分別與所述第一電阻的一端和所述第三二極管的正極相連；源極與所述第三二極管的負極相連；所述第一電阻的一端與所述PMOS管的柵極相連，另一端接地；所述第三二極管的正極分別與所述第一電阻的一端和所述PMOS管的柵極相連，負極與所述PMOS管的源極相連。于本專利技術的一實施例中，所述第三二極管為穩壓二極管。于本專利技術的一實施例中，所述防串擾單元包括第四二極管；其中，所述第四二極管的正極分別與所述第一二極管的正極和所述第二功率電源相連，負極與所述PMOS管的柵極相連。于本專利技術的一實施例中，所述防串擾單元包括PNP三極管，其中，所述PNP三極管的發射極分別與所述第一二極管的正極和所述第二功率電源相連，基極接地，集電極與所述PMOS管的柵極相連。于本專利技術的一實施例中，所述防串擾單元還包括第二電阻，所述PNP三極管的基極通過所述第二電阻接地。本專利技術還公開了一種電子設備，所述電子設備包括如上所述的雙通道供電裝置。如上所述，本專利技術的一種雙通道供電裝置和電子設備，用于為一套負載同時提供兩套不同功率的供電電源。其基于現有的基于PMOS管的雙通道供電裝置的端口防反設計，在兩個不同功率的供電通道的防反單元之間增加防串擾單元，不但降低了大功率供電通道的功率損耗，還防止了大功率供電通道和小功率供電通道之間的串擾。并且，本專利技術的防串擾單元是利用二極管或者PNP三極管的特性來消除雙通道之間的串擾，結構簡單，成本低廉。附圖說明圖1顯示為現有技術中的雙通道供電裝置的電路示意圖。圖2顯示為現有技術中的雙通道供電裝置的電路示意圖。圖3顯示為本專利技術實施例公開的一種雙通道供電裝置的電路示意圖。圖4顯示為本專利技術另一實施例公開的一種雙通道供電裝置的電路示意圖。元件標號說明110第一防反單元120第二防反單元130防串擾單元200第一功率電源300第二功率電源400負載具體實施方式以下通過特定的具體實例說明本專利技術的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本專利技術的其他優點與功效。本專利技術還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本專利技術的精神下進行各種修飾或改變。需說明的是，在不沖突的情況下，以下實施例及實施例中的特征可以相互組合。請參閱附圖。需要說明的是，以下實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本專利技術的基本構想，遂圖式中僅顯示與本專利技術中有關的組件而非按照實際實施時的組件數目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態、數量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態也可能更為復雜。本專利技術提供了一種雙通道供電裝置和電子設備，用于為一套負載同時提供兩種不同功率的供電電源。本專利技術通過在大功率供電通道中采用PMOS管作為第一防反單元進行防反設計，在小功率供電通道中采用二極管作為第二防反單元進行防反設計，并在第一防反單元和第二防反單元之間增加防串擾單元，利用二極管或者PNP三極管的特性來消除大功率供電通道和小功率供電通道之間的串擾。實施例1本實施例公開了一種雙通道供電裝置，用于為一套負載同時提供兩種不同功率的供電電源。如圖3所示，本實施例的雙通道供電裝置包括：第一防反單元110、第二防反單元120和防串擾單元130。其中，第一防反單元110連接在外接的第一功率電源200和負載400之間；第二防反單元120連接在外接的第二功率電源300和負載400之間；防串擾單元130連接在第一防反單元110和第二防反單元120之間。其中，第一功率電源200所提供的供電功本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種雙通道供電裝置，其特征在于，包括：第一防反單元，第二防反單元、防串擾單元；所述第一防反單元包括PMOS管，所述PMOS管的漏極外接第一功率電源，源極分別連接所述第二防反單元以及外部的負載；柵極與所述防串擾單元相連；所述第二防反單元包括第一二極管；所述第一二極管的正極分別連接所述防串擾單元以及外部的第二功率電源，負極分別連接所述PMOS管的源極以及所述負載；其中，所述第一功率電源的供電功率大于所述第二功率電源的供電功率；所述防串擾單元連接在所述PMOS管的柵極以及所述第一二極管的正極之間；在所述第二功率電源上電時，所述防串擾單元導通；在所述第一功率電源上電時，所述防串擾單元截止。

【技術特征摘要】
1.一種雙通道供電裝置，其特征在于，包括：第一防反單元，第二防反單元、防串擾單元；所述第一防反單元包括PMOS管，所述PMOS管的漏極外接第一功率電源，源極分別連接所述第二防反單元以及外部的負載；柵極與所述防串擾單元相連；所述第二防反單元包括第一二極管；所述第一二極管的正極分別連接所述防串擾單元以及外部的第二功率電源，負極分別連接所述PMOS管的源極以及所述負載；其中，所述第一功率電源的供電功率大于所述第二功率電源的供電功率；所述防串擾單元連接在所述PMOS管的柵極以及所述第一二極管的正極之間；在所述第二功率電源上電時，所述防串擾單元導通；在所述第一功率電源上電時，所述防串擾單元截止。2.根據權利要求1所述的雙通道供電裝置，其特征在于：在所述第一功率電源上電時，所述第一防反單元的所述PMOS管導通。3.根據權利要求1所述的雙通道供電裝置，其特征在于：所述第一防反單元還包括第一電阻和第三二極管；其中，所述PMOS管的漏極連接外部的所述第一功率電源；柵極分別與所述第一電阻的一端和所述第三二極管...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陸俊樺，夏盛，謝國華，
申請(專利權)人：武漢通暢汽車電子照明有限公司，
類型：發明
國別省市：湖北,42