單元件技術的電解槽用電化學池制造技術

本發明專利技術涉及一種用于隔膜電解法的單元件技術的電解槽用電化學池。所述池組成如下：至少兩個半殼體（８，１０），該半殼體圍繞其間設置有隔膜（５）的陽極電解液室（１６）和陰極室（２２）；位于陽極電解液室（１６）中的陽極（６），而在陰極室（２２）中設置有耗氧陰極（４），其中具有以一個在另一個之上的方式排布的許多壓力補償氣袋（１５）；陰極電解液間隙（１４）和任選地后室（１９），其特征在于，導電支撐元件（７）設置在陽極電解液室（１６）中，而支撐元件（３，２，１）的同樣互相相對的位置設置在陰極室（２２）中。（*該技術在2020年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種用于隔膜電解法的電化學池，其組成如下：至少兩個半殼體（８，１０），該半殼體圍繞其間設置有隔膜（５）的陽極電解液室（１６）和陰極室（２２）；位于陽極電解液室（１６）中的陽極（６），而在陰極室（２２）中設置有耗氧陰極（４），其中具有以一個在另一個之上的方式排布的許多壓力補償氣袋（１５）；陰極電解液間隙（１４）和任選地后室（１９），其特征在于，導電支撐元件（７）設置在陽極電解液室（１６）中，而支撐元件（３，２，１）的同樣互相相對的位置設置在陰極室（２２）中。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：F格斯特曼，
申請(專利權)人：拜爾公司，
類型：發明
國別省市：DE[德國]