錫鋁合金表面原位生長耐磨減摩陶瓷膜層的方法技術

錫鋁合金表面原位生長耐磨減摩陶瓷膜層的方法，它涉及錫鋁合金表面制備陶瓷膜層的方法，它解決了錫鋁合金存在的耐磨性差的缺點。它的步驟如下：一、將２～１２ｇ／Ｌ的硅酸鈉和０～２ｇ／Ｌ的氟化鈉溶于蒸餾水中制成電解液；二、將去掉氧化膜的錫鋁合金置于電解液作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為１５～４０℃；接通電源，調整峰值電壓在－２００～６００Ｖ之間、正負相電流密度值為８～３０Ａ／ｄｍ↑［２］，頻率為５０～２００Ｈｚ，恒流條件下通電反應時間為５～４０ｍｉｎ；三、取出后用水沖凈表面，自然干燥或在８０～１００℃下烘干。本發明專利技術的陶瓷膜層具有耐磨、減摩、耐腐蝕、耐熱及電絕緣性能，陶瓷膜均勻性好，陶瓷膜是在基體上原位生長，與基體結合強度高的優點。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
錫鋁合金表面原位生長耐磨減摩陶瓷膜層的方法，其特征在于它的步驟如下：步驟一：將２～１２ｇ／Ｌ的硅酸鈉和０～２ｇ／Ｌ的氟化鈉溶于蒸餾水中制成電解液；步驟二：將去掉氧化膜的錫鋁合金置于電解液作為陽極，不銹鋼板作為陰極，控制電解液的溫度為１５～４０℃；接通電源，調整峰值電壓在－２００～６００Ｖ之間、正負相電流密度值為８～３０Ａ／ｄｍ↑［２］，頻率為５０～２００Ｈｚ，通電反應時間為５～４０ｍｉｎ；步驟三：取出后用水沖凈表面，自然干燥或在８０～１００℃下烘干。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：姜兆華，王志江，王福平，
申請(專利權)人：哈爾濱工業大學，
類型：發明
國別省市：93[中國|哈爾濱]