一種聲表面波諧振器及其封裝結構制造技術

一種聲表面波諧振器，涉及聲表器件領域，包括長方體狀的壓電基片及設置于壓電基片之上的叉指換能器與反射柵陣，所述叉值換能器設置于壓電基片的中部位置，所述反射柵陣為兩個且分別位于插叉換能器的長度方向上的兩側，所述聲表面波諧振器還包括輸入信號電極及輸出信號電極；所述輸入信號電極連接于叉指換能器并位于叉指換能器寬度方向的一側；所述叉指換能器寬度方向的另一側與反射柵陣之間設有金屬條，所述輸出信號電極設置于通過金屬條與叉指換能器相連的反射柵陣之上，所述輸出信號電極與輸入信號電極處于叉指換能器的同一側。本發明專利技術的聲表面波諧振器芯片面積小，成本低，自動封裝效率高。

A surface acoustic wave resonator and its encapsulation structure

A surface acoustic wave resonator, which involves the field of the sound meter device, including a rectangular piezoelectric substrate and a cross finger transducer and a reflection gate set on a piezoelectric substrate. The fork value transducer is located at the middle position of the piezoelectric substrate. The reflected gate array is two and is respectively two in the length direction of the intercalation transducer. Side, the acoustic surface wave resonator also includes an input signal electrode and an output signal electrode; the input signal electrode is connected to a cross finger transducer and is located on one side of the width direction of the cross finger transducer; the other side of the width of the interdigital transducer is provided with a gold bar between the reflector array and the output signal electrode. The output signal electrode and the input signal electrode are on the same side of the interdigital transducer. The surface acoustic wave resonator chip of the invention has the advantages of small area, low cost and high efficiency of automatic packaging.

【技術實現步驟摘要】
一種聲表面波諧振器及其封裝結構
本專利技術涉及聲表器件領域，尤其涉及一種聲表面波諧振器及其封裝結構。
技術介紹
聲表面波器件是利用聲表面波對電信號進行模擬處理的器件。聲表面波諧振器是在叉指換能器兩邊，分別放置不連續結構金屬條帶的反射柵陣。每個柵陣由幾百個或上千個寬與間隔各為λ/4的金屬條帶組成。這是一種分別反饋結構，聲波雖然在每個金屬條帶上反射很小，但所有反射信號都是以同步頻率和同相疊加，從而使聲波接近全部反射而構成諧振器（如附圖一）。聲表面波諧振器與體波晶體諧振器相比，具有諧振基頻高和耐振動的優點。聲表面波諧振器廣泛的應用于汽車門遙控開關，內部捕捉系統，數據鏈接，胎壓監控系統，無線安全系統，無線條碼的讀取，無線鍵盤，無線鼠標，無線操作桿，遙控燈開關等民用消費類電子產品中，國內的年用量在幾十億只左右，用量巨大。聲表面波諧振器目前主要有兩種封裝形式，金屬插腳封裝和LTCC陶瓷貼片封裝。其中金屬插腳封裝價格低，不能用于自動貼片生產，主要應用于低端消費市場；LTCC陶瓷封裝價格相對較高，用于汽車電子等高端消費市場。無論是金屬封裝還是LTCC陶瓷封裝，都是應用于民用消費市場，用量巨大，價格的持續降低是行業發展不斷的需求。聲表諧振器芯片還具有廣闊的改善空間。在聲表面波諧振器封裝過程中綁線技術中存在的不足，輸入輸出電極必須達到一定的寬度（一般為0.2mm），由于諧振器的結構，輸入輸出電極分別在傳輸方向的兩側，無形中增加了芯片的縱向面積，不利于聲表面波諧振器芯片的小型化以及低成本化。
技術實現思路
針對現有技術的不足，根據本專利技術的一個方面，本專利技術提出一種成本低、芯片面積小的聲表諧振器。為了實現上述目的，本專利技術采取的技術方案如下：一種聲表面波諧振器，包括長方體狀的壓電基片及設置于壓電基片之上的叉指換能器與反射柵陣，所述叉值換能器設置于壓電基片的中部位置，所述反射柵陣為兩個且分別位于插叉換能器的長度方向上的兩側，所述聲表面波諧振器還包括輸入信號電極及輸出信號電極；所述輸入信號電極連接于叉指換能器并位于叉指換能器寬度方向的一側；所述叉指換能器寬度方向的另一側與反射柵陣之間設有金屬條，所述輸出信號電極設置于通過金屬條與叉指換能器相連的反射柵陣之上，所述輸出信號電極與輸入信號電極處于叉指換能器的同一側；根據本專利技術的另一個方面，提出了一種聲表面波諧振器的封裝結構，包括聲表面波諧振器、SMD管殼、綁線硅鋁絲及封裝蓋板，所述聲表面波諧振器為權利要求1中所述的聲表面波諧振器，所述SMD管殼的輸入電極及輸出電極處于SMD管殼內同側，所述聲表面波諧振器貼于SMD管殼內，所述聲表面波諧振器的輸入信號電極與輸出信號電極分別與所述SMD管殼內部的輸入電極及輸出電極對應，所述綁線硅鋁絲連接于聲表面波諧振器的輸入信號電極與SMD管殼的輸入電極之間及聲表面波諧振器的輸出信號電極與SMD管殼的輸出電極之間。本專利技術的有益效果：1.本專利技術通過在叉指換能器輸出信號電極的一側引出一條金屬條連接到一側的反射柵陣中的電極上，通過反射柵陣中的金屬條做傳輸媒介，將反射柵中電極當做聲表面波諧振器的輸出信號電極，達到輸出信號電極同輸入信號電極處于壓電基片的同一側，從而在不改變芯片叉指換能器和反射柵陣的情況下，有效的改變芯片尺寸，晶片的成本在很大程度上降低，具有重大的經濟效益；2.本專利技術所提出的聲表面波諧振器可自動生產封裝中，封裝過程中，只需將芯片貼入到SMD管殼內，再將芯片的輸入與輸出信號電極與SMD管殼內部的輸入與輸出電極對應，由于芯片的輸入與輸出信號電極同處于壓電晶片的同一側，所以能夠縮短綁線硅鋁絲的長度，在自動化封裝上效率高，由于芯片尺寸明顯減小，晶片的成本在很大程度上得到降低。附圖說明圖1為傳統聲表面波諧振器芯片的結構示意圖；圖2為本專利技術一種聲表面波諧振器的結構示意圖；圖3為本專利技術一種聲表面波諧振器的封裝結構示意圖；圖4為本專利技術另一種聲表面波諧振器的封裝結構示意圖。其中，1-叉指換能器，2-反射柵陣，3-輸入信號電極，4-輸出信號電極，5-金屬條，100-聲表面波諧振器，200-SMD管殼，300-綁線硅鋁絲，201-輸入電極，202-輸出電極。具體實施方式為了更加清楚的理解本專利技術實施例的技術方案、目的以及優點，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。正如
技術介紹
所介紹，由于聲表面波諧振器的用途范圍廣，用量巨大，所以對聲表面波諧振器進行改造，使其成本持續降低顯得尤為重要。基于此，本專利技術對傳統的聲表面波諧振器進行了改進，從而提出一種芯片面積小、成本低的聲表面波諧振器。參照圖1，聲表面波諧振器主要包括壓電基片（圖中未出示）、叉指換能器1及位于叉指換能器1左右兩側的反射柵陣2，在叉指換能器1的上下兩側則分別設置有輸入信號電極3及輸出信號電極4，輸入信號電極3及輸出信號電極4均與叉指換能器1連接。而輸入及輸出信號電極必須達到一定的寬度（一般為0.2mm），根據傳統聲表面波諧振器的結構，輸入及輸出電極分別在傳輸方向的兩側及叉指換能器的上下兩側，無形中增加了芯片的面積，不利于芯片的低成本生產。如圖2所示，本專利技術在現有技術的基礎上提出了一種聲表面波諧振器，其包括長方體狀的壓電基片及設置于壓電基片之上的叉指換能器1與反射柵陣2，叉值換能器1設置于壓電基片的中部位置，反射柵陣2為兩個且分別位于插叉換能器1的長度方向上的兩側。聲表面波諧振器還包括輸入信號電極3及輸出信號電極4；輸入信號電極3連接于叉指換能器1并位于叉指換能器1寬度方向的一側；叉指換能器1寬度方向的另一側與反射柵陣2之間設有金屬條5，輸出信號電極4設置于通過金屬條5與叉指換能器1相連的反射柵陣2之上，輸出信號電極4與輸入信號電極3處于叉指換能器1的同一側。由此，本專利技術通過在叉指換能器1輸出信號電極4的一側引出一條金屬條5連接到一側的反射柵陣2中的電極上，通過反射柵陣2中的金屬條做傳輸媒介，將反射柵中電極當做聲表面波諧振器的輸出信號電極4，達到輸出信號電極4同輸入信號電極3處于壓電基片的同一側，從而在不改變芯片叉指換能器和反射柵陣的情況下，有效的改變芯片尺寸，晶片的成本在很大程度上降低，具有重大的經濟效益。如圖3所示，針對上述聲表面波諧振器，本專利技術還提供了一種聲表面波諧振器的封裝結構，包括聲表面波諧振器100、SMD管殼200、綁線硅鋁絲300及封裝蓋板，SMD管殼200的輸入電極201及輸出電極202處于SMD管殼200內同側，聲表面波諧振器100貼于SMD管殼200內，聲表面波諧振器100的輸入信號電極3與輸出信號電極4分別與所述SMD管殼200內部的輸入電極201及輸出電極202對應，綁線硅鋁絲300連接于聲表面波諧振器100的輸入信號電極3與SMD管殼200的輸入電極201之間及聲表面波諧振器100的輸出信號電極4與SMD管殼200的輸出電極202之間。封裝過程中，只需將芯片貼入到SMD管殼200內，再將芯片的輸入與輸出信號電極與SMD管殼內部的輸入與輸出電極對應，由于芯片的輸入與輸出信號電極本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種聲表面波諧振器，包括長方體狀的壓電基片及設置于壓電基片之上的叉指換能器（1）與反射柵陣（2），所述叉值換能器（1）設置于壓電基片的中部位置，所述反射柵陣（2）為兩個且分別位于插叉換能器（1）的長度方向上的兩側，其特征在于，所述聲表面波諧振器還包括輸入信號電極（3）及輸出信號電極（4）；所述輸入信號電極（3）連接于叉指換能器（1）并位于叉指換能器（1）寬度方向的一側；所述叉指換能器（1）寬度方向的另一側與反射柵陣（2）之間設有金屬條（5），所述輸出信號電極（4）設置于通過金屬條（5）與叉指換能器（1）相連的反射柵陣（2）之上，所述輸出信號電極（4）與輸入信號電極（3）處于叉指換能器（1）的同一側。

【技術特征摘要】
1.一種聲表面波諧振器，包括長方體狀的壓電基片及設置于壓電基片之上的叉指換能器（1）與反射柵陣（2），所述叉值換能器（1）設置于壓電基片的中部位置，所述反射柵陣（2）為兩個且分別位于插叉換能器（1）的長度方向上的兩側，其特征在于，所述聲表面波諧振器還包括輸入信號電極（3）及輸出信號電極（4）；所述輸入信號電極（3）連接于叉指換能器（1）并位于叉指換能器（1）寬度方向的一側；所述叉指換能器（1）寬度方向的另一側與反射柵陣（2）之間設有金屬條（5），所述輸出信號電極（4）設置于通過金屬條（5）與叉指換能器（1）相連的反射柵陣（2）之上，所述輸出信號電極（4）與輸入信號電極（3）處于叉指換能器（1）的同一側。2.一種聲表面波諧振器的封裝結構，包括聲表面波諧...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王招林，張偉，蔣燕港，
申請(專利權)人：深圳華遠微電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東,44