輻射源制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種輻射源，包括：貯存器，配置成保持一體積的燃料；噴嘴，與貯存器流體連接，配置成沿著朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料的流；激光器，配置成將激光輻射引導(dǎo)到在等離子體形成位置處的所述流上，以在使用中產(chǎn)生用于產(chǎn)生輻射的等離子體；和污染物過(guò)濾器組件，定位在輻射源的燃料流路中且在噴嘴出口的上游，污染物過(guò)濾器組件的過(guò)濾介質(zhì)被通過(guò)由至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體提供的夾持力保持在污染物過(guò)濾器組件內(nèi)的適合位置上。

radiation source

The present invention provides a radiation source, including: a memory configured to hold a volume of fuel; a nozzle, connected with a reservoir fluid, configured to guide the flow of fuel along a path toward the plasma forming position; and a laser configured to direct laser radiation to the flow at the plasma forming position. To produce a plasma for producing radiation in use; and a pollutant filter assembly positioned in the fuel flow path of the radiation source and upstream of the nozzle outlet, the filter medium of the pollutant filter assembly is maintained in contamination by a clamping force provided by at least part of one or more objects surrounding the filter medium. Suitable location in the filter assembly.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
輻射源本申請(qǐng)是于2012年9月14日遞交的、申請(qǐng)?zhí)枮椤?01210342390.1”、專利技術(shù)名稱為“輻射源”的中國(guó)專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
本專利技術(shù)涉及輻射源，所述輻射源適合于結(jié)合光刻設(shè)備使用或形成光刻設(shè)備的一部分，且尤其涉及流體流生成器。
技術(shù)介紹
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于例如IC制造過(guò)程中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，通過(guò)將圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標(biāo)部分被連續(xù)地圖案化。光刻術(shù)被廣泛地看作制造IC和其他器件和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而，隨著通過(guò)使用光刻術(shù)制造的特征的尺寸變得越來(lái)越小，光刻術(shù)正變成允許制造微型IC或其他器件和/或結(jié)構(gòu)的更加關(guān)鍵的因素。圖案印刷的極限的理論估計(jì)可以由用于分辨率的瑞利法則給出，如等式(1)所示：其中λ是所用輻射的波長(zhǎng)，NA是用以印刷圖案的投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，k1是依賴于工藝的調(diào)節(jié)因子，也稱為瑞利常數(shù)，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或臨界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸的減小可以由三種途徑實(shí)現(xiàn)：通過(guò)縮短曝光波長(zhǎng)λ、通過(guò)增大數(shù)值孔徑NA或通過(guò)減小k1的值。為了縮短曝光波長(zhǎng)并因此減小最小可印刷尺寸，已經(jīng)提出使用極紫外(EUV)輻射源。EUV輻射是波長(zhǎng)在5-20nm范圍內(nèi)的電磁輻射，例如波長(zhǎng)在13-14nm范圍內(nèi)。還已經(jīng)提出可以使用波長(zhǎng)小于10nm的EUV輻射，例如波長(zhǎng)在5-10nm范圍內(nèi)，例如6.7nm或6.8nm的波長(zhǎng)。這樣的輻射被用術(shù)語(yǔ)極紫外輻射或軟x-射線輻射表示。可用的源包括例如激光產(chǎn)生的等離子體源、放電等離子體源或基于由電子存儲(chǔ)環(huán)提供的同步加速器輻射的源。可以通過(guò)使用等離子體產(chǎn)生EUV輻射。用于產(chǎn)生EUV輻射的輻射系統(tǒng)可以包括用于激發(fā)燃料以提供等離子體的激光和用于容納等離子體的源收集器模塊。等離子體可以例如通過(guò)引導(dǎo)激光束至燃料來(lái)產(chǎn)生，燃料例如可以是合適的燃料材料(例如錫，其當(dāng)前被認(rèn)為是最受期望的材料，且因此可能是EUV輻射源的選擇方案)的顆粒(即，液滴)，或合適的氣體或蒸汽的束，例如氙氣或鋰蒸汽。所形成的等離子體輻射輸出輻射，例如EUV輻射，其通過(guò)使用輻射收集器收集。輻射收集器可以是反射鏡式正入射輻射收集器，其接收輻射并將輻射聚焦成束。源收集器模塊可以包括包圍結(jié)構(gòu)(例如外殼或腔)，所述包圍結(jié)構(gòu)布置成提供真空環(huán)境以支持等離子體。這種輻射系統(tǒng)通常稱為激光產(chǎn)生等離子體(LPP)源。在可替代的系統(tǒng)(其還可以采用使用激光)中，可以通過(guò)使用放電形成的等離子體來(lái)產(chǎn)生輻射，例如放電產(chǎn)生等離子體(DPP)源。一些LPP輻射源產(chǎn)生連續(xù)的燃料液滴流。在這樣的系統(tǒng)中，輻射源包括用于朝向等離子體形成位置引導(dǎo)燃料液滴的噴嘴。液滴需要以高的精度引導(dǎo)至等離子體形成位置，用于確保激光束可以被朝向液滴引導(dǎo)且與液滴接觸。然而，為了實(shí)現(xiàn)其，燃料應(yīng)當(dāng)穿過(guò)噴嘴，而不遇到任何不被預(yù)期或不是有意安排的障礙或限制。這樣的障礙或限制可能由沉積到噴嘴的內(nèi)表面上的燃料中的污染物造成。污染物可能導(dǎo)致被噴嘴引導(dǎo)的液滴流不具有一種或更多種需要的性質(zhì)，例如期望的軌跡或期望的液滴尺寸、形狀或頻率。結(jié)果，這可能導(dǎo)致輻射源作為整體不像預(yù)期的那樣發(fā)揮作用。例如，系統(tǒng)可能不能產(chǎn)生輻射，或者可能不能產(chǎn)生所需強(qiáng)度的輻射或產(chǎn)生輻射持續(xù)所需的持續(xù)時(shí)間。雖然已經(jīng)關(guān)于用在LPP輻射源中的噴嘴描述了上述的問(wèn)題，但是可能其他流體(例如液體)流生成器(液滴或連續(xù))的噴嘴遇到同樣的問(wèn)題或類似的問(wèn)題，例如用在噴墨和/或(熔融的)金屬印刷或類似物中的噴嘴。另外，所述問(wèn)題不限于包括液滴的流，這是因?yàn)樵趯a(chǎn)生連續(xù)的流時(shí)將可能會(huì)遇到同樣的或類似的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
因此，所需要的是消除或減輕不被預(yù)期的或不是有意安排的障礙或限制的影響的有效系統(tǒng)和方法，其是燃料中的污染物沉積到噴嘴的內(nèi)表面上的結(jié)果，諸如用在LPP輻射源中的噴嘴。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，提供了一種輻射源，包括：貯存器，配置成保持一體積的燃料；噴嘴，與貯存器流體連接，用于沿著朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料的流。輻射源還包括激光器，所述激光器配置成在等離子體形成位置處將激光輻射引導(dǎo)到所述流上，以產(chǎn)生用于產(chǎn)生輻射的等離子體；和污染物過(guò)濾器組件，定位在輻射源的燃料流路中且在噴嘴出口的上游，其中污染物過(guò)濾器組件的過(guò)濾介質(zhì)被通過(guò)由至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體提供的夾持力保持在污染物過(guò)濾器組件內(nèi)的適合位置上。在一實(shí)施例中，過(guò)濾介質(zhì)可以通過(guò)已經(jīng)被收縮配合成圍繞過(guò)濾介質(zhì)且施加夾持力至過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體而被保持在適合的位置上。在一實(shí)施例中，所述一個(gè)或更多的圍繞物體可以是下述中的一個(gè)或更多個(gè)或它們的組合：污染物過(guò)濾器組件中的部件；污染物過(guò)濾器組件的進(jìn)口；污染物過(guò)濾器組件的出口；污染物過(guò)濾器組件的過(guò)濾介質(zhì)外殼；和/或用于運(yùn)送燃料的導(dǎo)管。在一實(shí)施例中，所述過(guò)濾介質(zhì)可以是或可以包括下述中的一個(gè)或更多個(gè)：陶瓷材料；為氧化鋯或包括氧化鋯的陶瓷材料；為氧化鋁或包括氧化鋁的陶瓷材料；為碳化硅或包括碳化硅的陶瓷材料；和/或?yàn)榈杌虬ǖ璧奶沾刹牧?。根?jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，提供了一種流體流生成器，包括：貯存器，配置成保持一體積的流體；噴嘴，與貯存器流體連接，用于沿著一軌跡引導(dǎo)流體流。流體流生成器還包括污染物過(guò)濾器組件，所述污染物過(guò)濾器組件定位在流體流生成器的流體流路中且在噴嘴出口的上游，其中污染物過(guò)濾器組件的過(guò)濾介質(zhì)被通過(guò)由至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體所提供的夾持力保持在污染物過(guò)濾器組件內(nèi)的適合位置上。根據(jù)本專利技術(shù)一實(shí)施例，提供了一種方法：將過(guò)濾介質(zhì)包含到流體流生成器的污染物過(guò)濾器組件中。所述方法包括：利用在污染物過(guò)濾器組件的使用期間將至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)且保持夾持力的一個(gè)或更多的物體將過(guò)濾介質(zhì)夾持在合適位置上。在一實(shí)施例中，所述方法可以包括：加熱在污染物過(guò)濾器組件的使用期間將至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體，用于使得所述一個(gè)或更多的物體膨脹至允許過(guò)濾介質(zhì)定位在一位置上的程度，由此所述一個(gè)或更多的物體圍繞過(guò)濾介質(zhì)。所述方法包括將過(guò)濾介質(zhì)定位在所述位置上；和冷卻或允許冷卻圍繞過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體，使得至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的所述一個(gè)或更多的物體將夾持力施加到過(guò)濾介質(zhì)。在一實(shí)施例中，所述加熱步驟需要使所述一個(gè)或更多的物體膨脹以將所述介質(zhì)定位在前述的位置上，所述加熱步驟可以是加熱至超過(guò)過(guò)濾器的操作溫度的溫度，使得在過(guò)濾器的操作期間保持夾持力。根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，提供了一種用于從流體流生成器過(guò)濾器的污染物過(guò)濾器組件移除過(guò)濾介質(zhì)的方法，所述過(guò)濾介質(zhì)由至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體被保持在過(guò)濾器組件內(nèi)的合適位置上。另外，所述方法包括移除由至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的所述一個(gè)或更多的物體所提供的夾持力；和移除未被夾持的過(guò)濾介質(zhì)。在一實(shí)施例中，所述方法可以包括步驟：加熱至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)的一個(gè)或更多的物體，用于使得所述一個(gè)或更多的物體膨脹至允許移除過(guò)濾介質(zhì)的程度；本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種輻射源，包括：流體流生成器，所述流體流生成器包括貯存器，配置成保持一體積的燃料；噴嘴，與貯存器流體連接，配置成沿著朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料的流；激光輻射組件，配置成將激光輻射引導(dǎo)到在等離子體形成位置處的所述燃料的流上，以產(chǎn)生用于產(chǎn)生輻射的等離子體；和污染物過(guò)濾器組件，定位在輻射源的燃料流路中且在噴嘴出口的上游，所述污染物過(guò)濾器組件包括過(guò)濾介質(zhì)和過(guò)濾介質(zhì)外殼，其中過(guò)濾介質(zhì)被所述污染物過(guò)濾器組件的進(jìn)口或出口或過(guò)濾介質(zhì)外殼通過(guò)所述過(guò)濾介質(zhì)和所述進(jìn)口或出口或過(guò)濾介質(zhì)外殼之間的收縮配合提供的夾持力保持在污染物過(guò)濾器組件內(nèi)的適合位置上，所述污染物過(guò)濾器組件的進(jìn)口或出口或過(guò)濾介質(zhì)外殼至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)并與過(guò)濾介質(zhì)接觸，所述燃料是熔融的金屬，過(guò)濾介質(zhì)具有第一部分和第二部分，所述第一部分被夾持在進(jìn)口或出口或過(guò)濾介質(zhì)外殼處，所述第二部分的外徑小于污染物過(guò)濾器組件的外殼的內(nèi)徑以在過(guò)濾介質(zhì)和污染物過(guò)濾器組件之間產(chǎn)生間隙，所述過(guò)濾介質(zhì)包括陶瓷材料，所述進(jìn)口、所述出口和所述過(guò)濾介質(zhì)外殼中施加夾持力的相應(yīng)的一者具有與過(guò)濾介質(zhì)接觸的內(nèi)表面；且所述內(nèi)表面包括陶瓷。

【技術(shù)特征摘要】
2011.09.23 US 61/538,6801.一種輻射源，包括：流體流生成器，所述流體流生成器包括貯存器，配置成保持一體積的燃料；噴嘴，與貯存器流體連接，配置成沿著朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料的流；激光輻射組件，配置成將激光輻射引導(dǎo)到在等離子體形成位置處的所述燃料的流上，以產(chǎn)生用于產(chǎn)生輻射的等離子體；和污染物過(guò)濾器組件，定位在輻射源的燃料流路中且在噴嘴出口的上游，所述污染物過(guò)濾器組件包括過(guò)濾介質(zhì)和過(guò)濾介質(zhì)外殼，其中過(guò)濾介質(zhì)被所述污染物過(guò)濾器組件的進(jìn)口或出口或過(guò)濾介質(zhì)外殼通過(guò)所述過(guò)濾介質(zhì)和所述進(jìn)口或出口或過(guò)濾介質(zhì)外殼之間的收縮配合提供的夾持力保持在污染物過(guò)濾器組件內(nèi)的適合位置上，所述污染物過(guò)濾器組件的進(jìn)口或出口或過(guò)濾介質(zhì)外殼至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)并與過(guò)濾介質(zhì)接觸，所述燃料是熔融的金屬，過(guò)濾介質(zhì)具有第一部分和第二部分，所述第一部分被夾持在進(jìn)口或出口或過(guò)濾介質(zhì)外殼處，所述第二部分的外徑小于污染物過(guò)濾器組件的外殼的內(nèi)徑以在過(guò)濾介質(zhì)和污染物過(guò)濾器組件之間產(chǎn)生間隙，所述過(guò)濾介質(zhì)包括陶瓷材料，所述進(jìn)口、所述出口和所述過(guò)濾介質(zhì)外殼中施加夾持力的相應(yīng)的一者具有與過(guò)濾介質(zhì)接觸的內(nèi)表面；且所述內(nèi)表面包括陶瓷。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射源，其中污染物過(guò)濾器組件的進(jìn)口或出口和過(guò)濾介質(zhì)外殼彼此收縮配合。3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源，其中所述過(guò)濾介質(zhì)包括下述中的一個(gè)或更多個(gè)：陶瓷材料；包括氧化鋯的陶瓷材料；包括氧化鋁的陶瓷材料；包括碳化硅的陶瓷材料；或包括氮化硅的陶瓷材料。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的輻射源，其中所述污染物過(guò)濾器組件定位在貯存器和噴嘴出口之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的輻射源，其中過(guò)濾介質(zhì)至少部分地沿著基本上平行于燃料流的方向的方向延伸。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的輻射源，其中陶瓷漿或聚酰亞胺密封定位在過(guò)濾介質(zhì)和一個(gè)或更多的圍繞物體中間。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的輻射源，其中過(guò)濾介質(zhì)的平均孔尺寸小于或等于20μm。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的輻射源，其中過(guò)濾介質(zhì)的平均孔尺寸小于或等于5μm。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的輻射源，其中過(guò)濾介質(zhì)的平均孔尺寸小于或等于1μm。10.一種流體流生成器，包括：貯存器，配置成保持一體積的流體；噴嘴，與貯存器流體連接，且配置成沿著一軌跡引導(dǎo)流體的流；污染物過(guò)濾器組件，定位在流體流生成器的流體流路中且在噴嘴出口的上游，所述污染物過(guò)濾器組件包括過(guò)濾介質(zhì)和過(guò)濾介質(zhì)外殼，其中所述過(guò)濾介質(zhì)被配置成通過(guò)由污染物過(guò)濾器組件的進(jìn)口或出口或過(guò)濾介質(zhì)外殼通過(guò)所述過(guò)濾介質(zhì)和所述進(jìn)口或出口或過(guò)濾介質(zhì)外殼之間的收縮配合提供的夾持力保持在污染物過(guò)濾器組件內(nèi)的適合位置上，所述污染物過(guò)濾器組件的進(jìn)口或出口或過(guò)濾介質(zhì)外殼至少部分地圍繞過(guò)濾介質(zhì)并與過(guò)濾介質(zhì)接觸，所述流體是熔融的金屬，且所述過(guò)濾介質(zhì)具有第一部分和第二部分，所述第一部分被夾持在進(jìn)口或出口或過(guò)濾介質(zhì)外殼處，所述第二部分的外徑小于污染物過(guò)濾器組件的外殼的內(nèi)徑以在過(guò)濾介質(zhì)和污染物過(guò)濾器組件之間產(chǎn)生間隙，所述過(guò)濾介質(zhì)包括陶瓷材料，所述進(jìn)口、所述出口和所述過(guò)濾介質(zhì)外殼中施加夾持力的相應(yīng)的一者具有與過(guò)濾介質(zhì)接觸的內(nèi)表面；且所述內(nèi)表面包括陶瓷。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的流體流生成器，其中污染物過(guò)濾器組件的進(jìn)口或出口和所述過(guò)濾介質(zhì)外殼彼此收縮配合。12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的流體流生成器，其中所述污染物過(guò)濾器組件定位在貯存器和噴嘴出口之間。13.根據(jù)權(quán)利要求10、11或12所述的流體流生成器，其中過(guò)濾介質(zhì)至少部分地沿著基本上平行于流體流的方向的方向延伸。14.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的流體流生成器...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：J·范德?？?/a>，A·T·W·凱姆彭，A·C·庫(kù)普爾斯，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：ASML荷蘭有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：荷蘭,NL