一種生產高基頻石英晶體片的加工方法技術

本發明專利技術涉及一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，包括以下步驟：1）鍍膜：將基頻22MHz的晶片放入電極板中，進行兩次晶片表面鍍膜；2）清洗：將鍍膜后的晶片放入清洗治具中，進行清洗；3）腐蝕：將裝有晶片的清洗治具整體放入酸罐中，進行腐蝕；4）膜層剝離：剝離晶片表面膜層，得到高基頻晶片。優點：1）采用全新的晶片生產流程，解決了傳統晶片加工無法研磨到200?240MHz等高基頻晶片的問題。2）操作簡單，方法獨特、生產成本低。3）本發明專利技術技術方案所得高基頻晶片比利用水晶片倍頻技術或IC倍頻技術生產的晶片，有更好的相位噪聲、更小的抖動值及良好的短穩特性等。

【技術實現步驟摘要】
一種生產高基頻石英晶體片的加工方法
本專利技術是一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，屬于石英電子元件

技術介紹
隨著電子信息技術的高速發展，頻率元件的對基頻的需求越來越高。高端電子產品需求達到了基頻200MHz以上的水平，目前通過傳統的研磨方法生產的基頻頻率最高達到70MHz，如此高頻率的基頻片按照現有晶片生產方法，無法做到，如何生產出200MHz以上的基頻晶片，對石英晶片的基頻生產提出了最具挑戰性的要求。
技術實現思路
本專利技術提出的是一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其目的在于針對現有技術中傳統晶片加工方法中高基頻片太薄、無法研磨到200-240MHz等高基頻晶片、以及普通方法容易導致晶片表面不平、腐蝕隧道的缺陷，提出了一種通過對晶片局部進行頻率處理，生產具有良好相位噪聲、短穩特性、低抖動值的200MHz-240MHz高頻基頻晶片的加工方法。本專利技術的技術解決方案：一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，包括以下步驟：1）鍍膜：將基頻22MHz的晶片1放入電極板2中，進行兩次晶片表面鍍膜；2）清洗：將鍍膜后的晶片放入清洗治具4中，進行清洗；3）腐蝕：將裝有晶片的清洗治具4整體放入酸罐5中，進行腐蝕；4）膜層剝離：剝離晶片表面膜層，得到高基頻晶片6。本專利技術的有益效果：1）采用全新的晶片生產流程，解決了傳統晶片加工無法研磨到200-240MHz等高基頻晶片的問題。2）操作簡單，方法獨特、生產成本低。3）本專利技術技術方案所得高基頻晶片比利用水晶片倍頻技術或IC倍頻技術生產的晶片，有更好的相位噪聲、更小的抖動值及良好的短穩特性等。附圖說明附圖1是22MHz基頻晶片平面圖。附圖2是A鍍膜電極板示意圖。附圖3是B鍍膜電極板示意圖。附圖4是清洗治具示意圖。附圖5是酸罐示意圖。附圖6是晶片在酸罐中腐蝕的示意圖。附圖7是最終高基頻晶片平面圖。圖中1是晶片、2是電極板、3是膜層、4是清洗治具、5是酸罐、7是高基頻晶片、4-a是石英晶體片載盤、4-b是導桿、4-c是擋捎、4-d是螺絲、5-a是磁力攪拌轉子、5-b是磁力攪拌器、5-c是酸罐、5-d酸罐蓋是、A是晶片長度、B是晶片寬度、C晶片頻率為200MHz-240MHz區域。圖2中a是晶片定位板，b是鍍膜裝置限位槽放大圖，c是鍍膜電極上下板，d是一次鍍膜后晶片表面金層分布圖形。圖3中a是晶片定位板，b是鍍膜裝置限位槽放大圖，c是鍍膜電極上下板，d是二次鍍膜后晶片表面金層分布圖形。具體實施方式一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，包括以下步驟：1）鍍膜：將基頻22MHz的晶片1放入鍍膜治具2中，進行兩次晶片表面鍍膜；2）清洗：將鍍膜后的晶片放入清洗治具4中,進行清洗；3）腐蝕：將裝有晶片的清洗治具4整體放入酸罐5中，進行腐蝕；4）膜層剝離：剝離晶片表面膜層，得到高基頻晶片6。所述步驟1）鍍膜中，所述鍍膜治具2包括A板鍍膜治具和B板鍍膜治具，分別將晶片放入A板鍍膜治具和B板鍍膜治具中進行兩次鍍膜，A板鍍膜治具一次鍍膜后晶片表面形成橫線，再放入B板鍍膜治具中，使晶片中心橫線與B板鍍膜治具下電極板中的橫線位置重合，完成兩次晶片表面鍍膜，鍍膜速度為1800pps，兩次鍍膜過程晶片兩面中心局部區域中心保持同心等高所述步驟1）鍍膜中，所述A板鍍膜治具包括A晶片定位板（A-1）、A鍍膜電極下底板和A鍍膜電極上蓋板(A-2），上下電極板相同，其中A晶片定位板（A-1）具有若干晶片限位槽，鍍膜前將晶片碼入槽孔中；A鍍膜電極下底板（A-2）具有與A晶片定位板上限位槽對應的鏤空部分和掩膜部分，置于晶片定位板下方為晶片下表面提供鍍膜電極；A鍍膜電極上蓋板具有與A晶片定位板限位槽和A鍍膜電極下底板上鏤空電極對應的鏤空及掩膜部分，以固定晶片并為晶片上表面提供鍍膜電極,將晶片放在A鍍膜電極下底板A-2中上，蓋上晶片定位板A-1，進行一次鍍膜。所述步驟1）鍍膜中，所鍍膜層為金層。所述步驟2）清洗：將鍍膜后的晶片延著清洗治具4的孔長軸方向豎直放入清洗治具4中，將清洗治具依次放入ALCONOX清洗劑溶液和去離子水中超聲清洗，隨后將清洗治具放入甩干機中甩干，完成清洗。所述步驟2）清洗中，所述清洗治具包括兩個相同的石英晶體片載盤4-a，每個載盤上設有多個槽孔，導桿4-b穿過石英晶體片載盤，將晶片放入槽孔中，將擋捎4-c插入導桿中，用螺絲4-d旋緊進行固定，使擋捎、導桿與石英晶體片載盤固定不晃動。所述步驟3）腐蝕：將清洗治具4整體放入裝有晶格腐蝕酸（LatticeEtch）的酸罐5中進行腐蝕，所述酸罐5包括磁力攪拌轉子5-a，磁力攪拌器5-b，酸罐5-c，酸罐蓋5-d，腐蝕溫度為22±2℃，腐蝕速率為50-70微英寸/小時,轉子速度：1-3；腐蝕過程中進行頻率抽測，當達到所需頻率要求時，取出清洗治具4，用去離子水清洗。所述步驟4）膜層剝離，包括如下工藝步驟：a）將清洗治具放入裝有王水的燒杯中，燒杯放入裝有熱水的不銹鋼盆中，浸泡30-50min，水溫50℃±10℃；b）將清洗治具放入熱水盆中上下晃動，水溫50℃-60℃，沖洗四次；c）將清洗治具放入裝有去離子熱水的燒杯中，水溫50℃-60℃，上下晃動導桿進行沖洗；d）將治具放在靜電風扇處進行靜電吹風吹干，完成膜層剝離，得到中心為200MHz-240MHz的高基頻晶片6。下面結合附圖對本專利技術技術方案進一步說明如附圖1所示，為現有的22MHz晶片。如附圖2所示，將現有的22MHz晶片，放入A板鍍膜治具中一次鍍膜。A板鍍膜治具包括一晶片定位板（A-1）、一鍍膜電極下底板和一鍍膜電極上蓋板(A-2，上下電極板相同)，其中一晶片定位板（A-1）具有若干晶片限位槽，鍍膜前將晶片碼入槽孔中；一鍍膜電極下底板（A-2）具有與晶片定位板上限位槽對應的鏤空部分和掩膜部分，置于晶片定位板下方以為晶片下表面提供鍍膜電極；一鍍膜電極上蓋板具有與晶片定位板限位槽和電極下底板上鏤空電極對應的鏤空及掩膜部分，以固定晶片并為晶片上表面提供鍍膜電極。如附圖3所示，將現有的22MHz晶片，放入B板鍍膜治具中二次鍍膜。將晶片碼入B板，橫線部分與B板的下電極板的橫線部分重合，進行兩次晶片表面鍍膜（請補充鍍膜的實驗條件）（鍍膜速度：1800pp）s，通過兩次鍍膜，晶片除中心局部區域外均被保護金屬覆蓋，兩次鍍膜過程晶片兩面中心局部區域中心保持同心等高。如附圖4所示，清洗治具由兩個相同的石英晶體片載盤（4-a）組成，每個載盤有多個槽孔，導桿穿過石英晶體片載盤，將晶片放入槽孔中，將擋捎插入導桿（4-b）中，用擋捎上（4-c）的螺絲（4-d）旋緊進行固定，使擋捎、導桿與石英晶體片載盤固定不晃動,進行清洗。如附圖5所示，酸罐包括5-a磁力攪拌轉子，5-b磁力攪拌器，5-c酸罐，5-d酸罐蓋。如附圖6所示，將裝有晶片的清洗治具放入裝有Lattice酸的酸罐中，進行腐蝕。如附圖7所示，將達到200MHz-240MHz的晶片從酸罐取出后，進行脫金（將金層剝離），即可得到中心為200MHz-240MHz的高基頻晶片。實施例1一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，包括以下步驟：1）鍍膜：將基頻22MHz的晶片1放入電極板2中，進行兩次晶片表面鍍膜；2）清洗：將鍍膜后的晶片放入清洗治具4中，進行清洗；3）腐蝕：將裝有晶片的清本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是包括以下步驟：1）鍍膜：將基頻22MHz的晶片放入鍍膜治具中，進行兩次晶片表面鍍膜；2）清洗：將鍍膜后的晶片放入清洗治具中,進行清洗；3）腐蝕：將裝有晶片的清洗治具整體放入酸罐中，進行腐蝕；4）膜層剝離：剝離晶片表面膜層，得到高基頻晶片。

【技術特征摘要】
1.一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是包括以下步驟：1）鍍膜：將基頻22MHz的晶片放入鍍膜治具中，進行兩次晶片表面鍍膜；2）清洗：將鍍膜后的晶片放入清洗治具中,進行清洗；3）腐蝕：將裝有晶片的清洗治具整體放入酸罐中，進行腐蝕；4）膜層剝離：剝離晶片表面膜層，得到高基頻晶片。2.根據權利要求1所述的一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是所述步驟1）鍍膜中，所述鍍膜治具包括A板鍍膜治具和B板鍍膜治具，分別將晶片放入A板鍍膜治具和B板鍍膜治具中進行兩次鍍膜，A板鍍膜治具一次鍍膜后晶片表面形成橫線，再放入B板鍍膜治具中，使晶片中心橫線與B板鍍膜治具下電極板中的橫線位置重合，完成兩次晶片表面鍍膜，鍍膜速度為1800pps，兩次鍍膜過程晶片兩面中心局部區域中心保持同心等高。3.根據權利要求2所述的一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是所述A板鍍膜治具包括A晶片定位板、A鍍膜電極下底板和A鍍膜電極上蓋板，上下板相同，其中A晶片定位板具有若干晶片限位槽，鍍膜前將晶片碼入槽孔中；A鍍膜電極下底板具有與A晶片定位板上限位槽對應的鏤空部分和掩膜部分，置于晶片定位板下方為晶片下表面提供鍍膜電極；A鍍膜電極上蓋板具有與A晶片定位板限位槽和A鍍膜電極下底板上鏤空電極對應的鏤空及掩膜部分，以固定晶片并為晶片上表面提供鍍膜電極,將晶片放在A鍍膜電極下底板上，蓋上晶片定位板，進行一次鍍膜。4.根據權利要求1所述的一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是所述步驟1）鍍膜中，所鍍膜層為金層。5.根據權利要求1所述的一種生產高基頻石英晶體片的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：杜敏，李坡，姚曉文，
申請(專利權)人：深圳中電熊貓晶體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東,44