一種像素電路制造技術

本發明專利技術公開了一種像素電路，包括：第一晶體管TFT1、第二晶體管TFT2、第三晶體管TFT3、第四晶體管TFT4、第五晶體管TFT5、電容CS、有機發光二極管OLED和晶體管DTFT。本發明專利技術的有益效果為：電路結構簡單，成本較低，所用電子元器件較少。

A Pixel Circuit

The invention discloses a pixel circuit, which comprises a first transistor TFT1, a second transistor TFT2, a third transistor TFT3, a fourth transistor TFT4, a fifth transistor TFT5, a capacitor CS, an organic light emitting diode OLED and a transistor DTFT. The invention has the advantages of simple circuit structure, low cost and less electronic components.

【技術實現步驟摘要】
一種像素電路
本專利技術涉及電路
，尤其是一種像素電路。
技術介紹
現有技術中，像素電路大多結構復雜，所用電子元器件較多，功能單一，成本高昂。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題在于，提供一種像素電路，電路結構簡單，成本較低，所用電子元器件較少。為解決上述技術問題，本專利技術提供一種像素電路，包括：第一晶體管TFT1、第二晶體管TFT2、第三晶體管TFT3、第四晶體管TFT4、第五晶體管TFT5、電容CS、有機發光二極管OLED和晶體管DTFT；第四晶體管TFT4的基極連接到第二晶體管TFT2的基極，第四晶體管TFT4的集電極連接電源，第四晶體管TFT4的發射極連接到晶體管DTFT的集電極；第三晶體管TFT3的基極連接第一晶體管TFT1的基極后連接到第五晶體管TFT5的基極，第三晶體管TFT3的集電極連接在第四晶體管TFT4的發射極與晶體管DTFT的集電極之間，第三晶體管TFT3的發射極連接在電容CS和晶體管DTFT的基極之間；第一晶體管TFT1的發射極直接連接到Vdata，第一晶體管TFT1的集電極連接電容CS后連接到晶體管DTFT的基極；第二晶體管TFT2的基極連接到第四晶體管TFT4的基極，第二晶體管TFT2的發射極直接接地；晶體管DTFT的發射極連接有機發光二極管OLED后接地，第五晶體管TFT5的集電極連接在晶體管DTFT的發射極與有機發光二極管之間，第五晶體管TFT5的發射極直接接地。本專利技術的有益效果為：電路結構簡單，成本較低，所用電子元器件較少。附圖說明圖1是本專利技術的電路結構示意圖。具體實施方式如圖1所示，一種像素電路，包括：第一晶體管TFT1、第二晶體管TFT2、第三晶體管TFT3、第四晶體管TFT4、第五晶體管TFT5、電容CS、有機發光二極管OLED和晶體管DTFT；第四晶體管TFT4的基極連接到第二晶體管TFT2的基極，第四晶體管TFT4的集電極連接電源，第四晶體管TFT4的發射極連接到晶體管DTFT的集電極；第三晶體管TFT3的基極連接第一晶體管TFT1的基極后連接到第五晶體管TFT5的基極，第三晶體管TFT3的集電極連接在第四晶體管TFT4的發射極與晶體管DTFT的集電極之間，第三晶體管TFT3的發射極連接在電容CS和晶體管DTFT的基極之間；第一晶體管TFT1的發射極直接連接到Vdata，第一晶體管TFT1的集電極連接電容CS后連接到晶體管DTFT的基極；第二晶體管TFT2的基極連接到第四晶體管TFT4的基極，第二晶體管TFT2的發射極直接接地；晶體管DTFT的發射極連接有機發光二極管OLED后接地，第五晶體管TFT5的集電極連接在晶體管DTFT的發射極與有機發光二極管之間，第五晶體管TFT5的發射極直接接地。盡管本專利技術就優選實施方式進行了示意和描述，但本領域的技術人員應當理解，只要不超出本專利技術的權利要求所限定的范圍，可以對本專利技術進行各種變化和修改。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種像素電路，其特征在于，包括：第一晶體管TFT1、第二晶體管TFT2、第三晶體管TFT3、第四晶體管TFT4、第五晶體管TFT5、電容CS、有機發光二極管OLED和晶體管DTFT；第四晶體管TFT4的基極連接到第二晶體管TFT2的基極，第四晶體管TFT4的集電極連接電源，第四晶體管TFT4的發射極連接到晶體管DTFT的集電極；第三晶體管TFT3的基極連接第一晶體管TFT1的基極后連接到第五晶體管TFT5的基極，第三晶體管TFT3的集電極連接在第四晶體管TFT4的發射極與晶體管DTFT的集電極之間，第三晶體管TFT3的發射極連接在電容CS和晶體管DTFT的基極之間；第一晶體管TFT1的發射極直接連接到Vdata，第一晶體管TFT1的集電極連接電容CS后連接到晶體管DTFT的基極；第二晶體管TFT2的基極連接到第四晶體管TFT4的基極，第二晶體管TFT2的發射極直接接地；晶體管DTFT的發射極連接有機發光二極管OLED后接地，第五晶體管TFT5的集電極連接在晶體管DTFT的發射極與有機發光二極管之間，第五晶體管TFT5的發射極直接接地。

【技術特征摘要】
1.一種像素電路，其特征在于，包括：第一晶體管TFT1、第二晶體管TFT2、第三晶體管TFT3、第四晶體管TFT4、第五晶體管TFT5、電容CS、有機發光二極管OLED和晶體管DTFT；第四晶體管TFT4的基極連接到第二晶體管TFT2的基極，第四晶體管TFT4的集電極連接電源，第四晶體管TFT4的發射極連接到晶體管DTFT的集電極；第三晶體管TFT3的基極連接第一晶體管TFT1的基極后連接到第五晶體管TFT5的基極，第三晶體管TFT3的集電極連接在第四晶體管TFT4的發射...

【專利技術屬性】
技術研發人員：何學軍，
申請(專利權)人：何學軍，
類型：發明
國別省市：江蘇,32