具有薄層覆蓋物的組件和其產生方法技術

本發明專利技術具體說明一種組件B，其包括載體TR上的功能結構FS，放置于所述載體上的薄層覆蓋物DSA跨越所述功能結構。第一布線層VE1應用到所述薄層覆蓋物上或應用于所述薄層覆蓋物中并且包括與所述功能結構連接的結構化導體跡線。

Components with thin cover and their generation methods

The invention specifies a component B, which comprises a functional structure FS on the carrier TR, and a thin layer cover DSA placed on the carrier spans the functional structure. The first wiring layer VE1 is applied to the thin layer cover or to the thin layer cover and includes a structured conductor trace connected with the functional structure.

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】具有薄層覆蓋物的組件和其產生方法相關申請案的交叉引用本申請案主張2016年6月29日申請的德國申請案第102016111911.3號的優先權，所述德國申請案以全文引用的方式并入本文中。
本專利技術涉及具有被薄層覆蓋物覆蓋的功能層的組件以及其產生方法。
技術介紹
MEMS組件且尤其是微聲學組件要求封裝，其中以機械固定的方式保護組件的功能結構，并且優選地將所述功能結構包封于空腔中。已知多種用于產生此類封裝的技術，所述技術可能已經在晶片級進行，并且因此，允許晶片級上的組件的具成本效益的并行處理。舉例來說，在倒裝芯片設計中，有可能將其上產生有組件芯片的晶片應用到載體例如層壓體或多層陶瓷上，并且使用覆蓋層緊貼所述載體密封所述晶片。還有可能將組件的功能結構布置在框架中并且使用此框架作為覆蓋晶片的殼體壁和間隔件。另外致使組件具有小構造高度的具成本效益的方法是稱為薄膜封裝(TFP)的封裝，其中借助于機械穩定薄層設計覆蓋功能結構。借助于結構化犧牲層來提供空腔，所述空腔與功能結構一起被薄層覆蓋物覆蓋，從而在薄層覆蓋物下方界定空腔，并且在后續方法步驟中通過薄層覆蓋物中的結構開口再溶解掉所述空腔。在另一步驟中，再次密封住所述結構開口。然而，除了TFP封裝的成本優點和小尺寸，此類組件還具有缺點。以此方式包封的組件的連接面布置于芯片表面上，即布置于載體的表面上的薄層覆蓋物之間。為了將此類組件焊接到電路環境，例如電路板，則必須使用具有足夠托腳(stand-off)的凸塊，所述托腳必須至少具有薄層覆蓋物的高度加公差值的高度。此外，不利的是，載體上的連接面的技術上最有利的布置未必與如標準化組件所慣用的所需占用面積一致。另外，凸塊需要相對大面積，然而，面積在載體的表面上是有限的，在微型化組件的情況下尤其如此。如果載體上的連接面的分布適用于所需占用面積，那么為此目的所需的導體路徑占用載體的表面上的額外空間，這進一步增加組件的大小因此，本專利技術的任務是具體說明具有薄層覆蓋物的組件，借此所述組件避免前述缺點。
技術實現思路
根據本專利技術通過具有根據權利要求1所述的特征的組件達成此任務。將從額外權利要求得知本專利技術的有利實施例和用于產生所述組件的方法。具體說明具有薄層覆蓋物的組件，其中第一布線層應用到薄層覆蓋物上或上方。以此方式，避免為連接目的犧牲載體的表面上的有價值空間，因此節省載體上為此目的所需的空間。第一布線層包括結構化導體跡線，其連接到載體的表面上的至少一個連接面，但優選地使載體的表面上的兩個或更多個連接面連接到彼此。表面上的連接面構成載體上的功能結構的連接器，使得在布線層中實現功能結構的不同連接器的連接。本專利技術具有與已知TFP封裝兼容并且在功能性上擴展和改進這些封裝的額外優點。在本專利技術的一個實施例中，第一布線層包括可焊接連接墊。這意味著功能結構的外連接位移到薄層覆蓋物上方的層。可存在僅從載體的表面位移到薄層覆蓋物的表面的可焊接連接墊。額外可焊接連接面可構成與載體的表面上的一系列連接面連接的共同節點。薄層覆蓋物上的可焊接連接墊具有用于將AP與電路環境接合的托腳不再需要出于組件高度的原因考慮所述托腳的額外優點。構成用于一系列連接面的母線的可焊接連接墊因此可減少外部連接器的數目。薄層覆蓋物上方的可焊接連接墊具有如下額外優點：所述可焊接連接墊可在幾乎任意水平位置處實現，并且因此連接面相對于載體的表面上的功能結構的技術上最優分布的改型可適應于所要引腳布局或適應電路環境的所要占用面積。在本專利技術的一個實施例中，薄層覆蓋物包括數個部分層。部分層中的一個是機械穩定層，這可確保包封包封在其下的空腔至少對于接下來的方法步驟是穩定的。另一部分層充當用于密封結構開口的密封層，所述結構開口被導引穿過機械穩定層以便溶解掉薄層覆蓋物下方的犧牲層。第一布線層優選地布置于薄層覆蓋物的兩個部分層之間，即集成到傳統的薄層覆蓋物的結構中。本專利技術優選地用于在其功能結構上方要求空腔以便不受干擾地起作用的組件。因此，功能結構可有利地選自MEMS結構、微聲學結構、SAW結構、BAW結構或GBAW結構。MEMS結構包括微結構化3D結構，其優選地由晶態半導體主體產生并且包括至少一個可移動部分，例如膜或接觸突片。在適合換能器結構的形式中，SAW結構可直接應用于包括壓電材料的載體上。對于BAW結構，層序列應用到載體上，借此所述層序列包括例如聲學鏡、其上方的第一電極、壓電層和第二電極。聲學鏡包括分別具有相對高聲學阻抗和相對低聲學阻抗的至少一對層，所述層一方面由硬金屬形成且另一方面由輕型材料例如SiO2、聚合物或鋁形成。GBAW結構包括電聲換能器和聲波導層，其可布置于換能器電極上方或下方。如所提及，所述組件包括布置于載體上并且與功能結構連接并且經由結構化導體跡線中的一個與第一布線層連接的連接面。在一個實施例中，連接面的數目和可焊接連接墊的數目可為不同的。另外或替代地，連接面和連接墊可具有不同分布或不同連接模式。個別可焊接連接墊可在其水平位置上與載體表面上的連接面的位置一致，但在載體的表面上的不同位置處與不同連接面電連接。以此方式，在載體表面上方的一個平面上達成電連接的合并，這尤其節省空間。此外，因而達成在所要引腳布局中產生可焊接連接墊。換句話說，載體上的連接面的物理上最優分布適用于所要引腳層或布線標準。第一布線層至少包括結構化導體跡線，但可另外還包括連接到其上的電路組件，電路組件可同樣存在于薄層覆蓋物的表面上或集成到薄層覆蓋物中。此類電路組件可為無源電路組件，例如電阻結構、電容或電感，其可包括對應地結構化的導電跡線段。此類電路組件可增補或擴展組件的功能。在本專利技術的另一實施例中，第二布線層布置于薄層結構的兩個部分層之間，其中布置于兩個布線層之間的至少一個電絕緣部分層提供兩個布線層的足夠絕緣。兩個布線層分別包括結構化導體跡線，其整體上可使所述層以導電方式彼此連接。在此實例中，第一布線層優選地不具有可焊接連接墊；而是，這些可焊接連接墊布置于第二布線層中，這是由于其在此處更容易被接取。在例外情況下，可能有利的是，替代地或另外在第一金屬化層中提供更多連接墊。薄層覆蓋物可變化使用并且可用于覆蓋功能結構的個別結構或整個群組。至關重要的是，薄層覆蓋物在跨越具有功能結構的相對大區域的情況下仍保持充分機械穩定性。例如矩形或大致矩形薄層覆蓋物的至少一個尺寸就此而言應不超過用于足夠機械穩定性的限值。利用聲波工作并且包括作為功能結構產生聲波的換能器結構(最好是電聲換能器)的組件通常包括彼此聲學間隔開并且僅彼此電連接的數個功能結構。在此類情況下，可能有利的是，提供具有相應獨立薄層覆蓋物的個別功能結構。借助于本專利技術，現在有可能在薄層覆蓋物上方的布線層中使個別功能結構連接到彼此。可在第一或第二布線層中實現功能結構的連接。示范性實施例和附圖說明在下文參考示范性實施例和相關各圖解釋用于產生根據本專利技術具有薄層覆蓋物和布線層的組件的方法。各圖僅用于更好地理解本專利技術，并且因此，部分地僅為示意性的且并非按真實比例繪制。為更好地理解，可以放大或按比例縮小方式說明個別部分。附圖說明圖1A是根據本專利技術的組件的簡單實施例的示意性橫截面圖；圖1B是同一實施例的平面視圖；圖2是第二實施例的示意性橫截面圖；圖3是具有兩個布線層的實施例的示意性橫截面圖；本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種組件B，其包括?載體TR，?功能結構FS，其在所述載體TR上，?薄層覆蓋物DSA，其跨越所述功能結構FS并且放置在所述載體上，?第一布線層VE1，其應用到所述平面化層上并且包括結構化導體跡線，其中?所述第一布線層VE1經由所述導體跡線與所述功能結構FS互連。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2016.06.29 DE 102016111911.31.一種組件B，其包括-載體TR，-功能結構FS，其在所述載體TR上，-薄層覆蓋物DSA，其跨越所述功能結構FS并且放置在所述載體上，-第一布線層VE1，其應用到所述平面化層上并且包括結構化導體跡線，其中-所述第一布線層VE1經由所述導體跡線與所述功能結構FS互連。2.根據權利要求1所述的組件，其中所述第一布線層VE1包括可焊接連接墊AP。3.根據前述權利要求中任一權利要求所述的組件，-部分層包括機械穩定層MSS和密封層VS-其中所述機械穩定層在所述載體TR上方包封空腔，在所述空腔中包封所述功能結構FS的至少一部分-其中所述布線層VE布置于所述部分層中的兩個之間。4.根據前述權利要求所述的組件，其中-所述功能結構FS選自：MEMS結構MEMSS、微聲學結構、SAW結構SAWS、BAW結構BAWS、GBAW結構GBAWS。5.根據前述權利要求中任一權利要求所述的組件，其還包括所述載體TR上的連接面AF，所述連接面與所述功能結構FS互連并且經由穿過所述平面化層的所述導體跡線中的一個與所述第一布線層VE1互連。6.根據前述權利要求所述的組件，其中所述連接面AF和所述可焊接連接墊AP依據其含于所述組件中的數目進行排列，或排列于所述組件上的水...

【專利技術屬性】
技術研發人員：羅蘭·羅澤青，安斯加爾·肖費勒，
申請(專利權)人：追蹤有限公司，
類型：發明
國別省市：美國,US