導熱石墨制程及周轉用的抗靜電硅膠保護膜制造技術

本實用新型專利技術公開了一種導熱石墨制程及周轉用的抗靜電硅膠保護膜，包括抗靜電涂層、基材層、有機硅壓敏膠層、離型層，所述有機硅壓敏膠以10~25um的干膠厚度涂布于基材層的一面，離型層覆蓋在有機硅壓敏膠層上；抗靜電涂層位于基材層的另一面。本實用新型專利技術具有極佳的貼覆性、剝離不掉粉、良好的耐候性及其良好的抗靜電性能，滿足導熱石墨制程及周轉過程中的保護需求。

【技術實現步驟摘要】
導熱石墨制程及周轉用的抗靜電硅膠保護膜
本技術屬于一種抗靜電硅膠保護膜，具體涉及一種導熱石墨制程及周轉用的抗靜電保護膜，屬于保護膜

技術介紹
隨著手機產業的快速發展，電池使用過程中的散熱問題逐漸成為行業所關注重點。聚酰亞胺（PI）膜經高溫碳化后制成的石墨膜，具有極其優異的導熱、散熱性能。碳化后的石墨膜較脆，因此，在加工制程及出貨周轉過程中，需要保護膜的臨時保護。保護膜按照壓敏膠，可分為聚丙烯酸酯類、聚氨酯類和硅膠類。聚氨酯類保護膜，具有極好的貼覆性，但耐溫性、耐候性、耐濕性較差，在溫度較高時，粘性爬升較大，后期剝離困難，且易產生白霧，污染被貼物；聚丙烯酸酯類的保護膜粘附性較差，易產生氣泡，若用于貼覆導熱石墨，需要較高粘性，同時后期粘性爬升會導致剝離時石墨掉粉。硅膠類保護膜，具有良好的耐候性、排氣好，較低剝離力即可極佳的貼覆。保護膜的使用過程中，因加工摩擦、剝離或感應過程會使保護膜或產品表面產生及積累靜電荷，這些現象會導致如吸塵、電擊、放電甚至燃燒或爆炸等潛在風險。目前市場上，碳化石墨膜用于電池散熱的應用，在電子行業出現時間短?，F有的硅膠保護膜未曾完全滿足石墨臨時保護的需求，如剝離力穩定性、耐候性、抗靜電性、剝離不掉粉。
技術實現思路
有鑒于此，本技術針對現有技術存在之缺失，其主要目的是提供一種導熱石墨制程及周轉用的抗靜電硅膠保護膜，其具有極佳的貼覆性、良好的耐候性、良好的抗靜電性能及剝離不掉粉。為實現上述目的，本技術采用如下之技術方案：一種導熱石墨制程及周轉用的抗靜電硅膠保護膜，包括抗靜電涂層、基材層、有機硅壓敏膠層、離型層，其特征在于，有機硅壓敏膠以10~25um的干膠厚度涂覆于基材層的一面，離型層覆蓋在有機硅壓敏膠層上；抗靜電涂層位于基材層的另一面。所述抗靜電涂層為聚苯胺或聚噻吩類涂層的一種，阻抗值在106~10Ω。所述基材層為PET膜、PI膜、TPU膜的任一種，其厚度在36~100um。所述的有機硅壓敏膠層的180o剝離力為1~4gf/25mm。所述離型層為聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、非硅離型膜或氟素離型膜的一種。所述有機硅壓敏膠以10~25g/m2的上膠量涂布于基材的一面。即1m2的基材表面涂布的有機硅壓敏膠的量為10~25g。應用本技術的導熱石墨制程及周轉用的抗靜電硅膠保護膜時，撕開離型層，使有機硅壓敏膠層的膠面與導熱石墨貼合。相對于現有技術，本技術的有益效果為：本技術通過使用有機硅壓敏膠，使其涂布于有抗靜電涂層的基材上，制得的用于導熱石墨用制程及周轉用的抗靜電硅膠保護膜，具有極佳的貼覆性、良好的耐候性、良好的抗靜電性能及剝離不掉粉，能夠滿足導熱石墨制程及周轉過程中的保護需求。附圖說明圖1為本技術一例實施例的展開剖面示意圖。圖中主要標記含義為：1、抗靜電涂層；2、基材層；3、有機硅壓敏膠；4、離型層。具體實施方式為更清楚地闡述本技術的結構特征和功效，下面結合附圖與具體實施例來對本技術進行詳細說明。如圖1所示：導熱石墨用制程及周轉用的抗靜電硅膠保護膜，包括依序設置的抗靜電涂層1、基材層2、有機硅壓敏膠層3和離型層4。其中，基材的一面涂布有機硅壓敏膠，并以離型膜貼覆壓敏膠面，抗靜電涂層1涂覆在基材層2的另一面上。所述有機硅壓敏膠以10~25g/m2的上膠量以及10~25um的干膠厚度涂布于基材層的一面，180o剝離力為1~4gf/25mm；基材層為厚度36~100um的PET、PI或TPU薄膜，離型層為聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、非硅離型膜或氟素離型膜。所述抗靜電涂層為聚苯胺或聚噻吩類涂層，涂布在基材的另一面，其阻抗值在106~11Ω。實施例1：所述的抗靜電涂層以0.2g/m2的克重涂于36um厚的基材層2上，阻抗值為109Ω；所述有機硅壓敏膠以10g/m2的克重及10um干膠涂布36um基材2的另一面，180o剝離力為4g/25mm。實施例2：所述的抗靜電涂層以0.4g/m2的克重涂于50um厚的基材層2上，阻抗值為108Ω；所述有機硅壓敏膠以15g/m2的克重及12um干膠涂布50um基材2的另一面，180o剝離力為3g/25mm。實施例3：所述的抗靜電涂層以0.6g/m2的克重涂于75um厚的基材層2上，阻抗值為107Ω；所述有機硅壓敏膠以20g/m2的克重及20um干膠涂布75um基材2的另一面，180o剝離力為2g/25mm。實施例4：所述的抗靜電涂層以0.8g/m2的克重涂于100um厚的基材層2上，阻抗值為106Ω；所述有機硅壓敏膠以25g/m2的克重及25um干膠涂布100um基材2的另一面，180o剝離力為1g/25mm。此外，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種導熱石墨制程及周轉用的抗靜電硅膠保護膜，包括抗靜電涂層、基材層、有機硅壓敏膠層、離型層，其特征在于，有機硅壓敏膠以10~25um的干膠厚度涂覆于基材層的一面，離型層覆蓋在有機硅壓敏膠層上；抗靜電涂層位于基材層的另一面。

【技術特征摘要】
1.一種導熱石墨制程及周轉用的抗靜電硅膠保護膜，包括抗靜電涂層、基材層、有機硅壓敏膠層、離型層，其特征在于，有機硅壓敏膠以10~25um的干膠厚度涂覆于基材層的一面，離型層覆蓋在有機硅壓敏膠層上；抗靜電涂層位于基材層的另一面。2.根據權利要求1所述的一種導熱石墨制程及周轉用的抗靜電硅膠保護膜，其特征在于，所述抗靜電涂層為聚苯胺或聚噻吩類涂層的一種，阻抗值在106~10Ω。3.根據權利要求2所述的一種導熱石墨制程及周轉用的抗靜電硅膠保護膜，其特征在于，所述基材層為PET膜、P...

【專利技術屬性】
技術研發人員：喻四海，施法寬，周開奕，
申請(專利權)人：昆山博益鑫成高分子材料有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇,32