本實用新型專利技術提供一種應用在射頻前端接收機的模組電路,包括濾波器電路和低噪聲放大器電路。濾波器電路包括:第一電容、第二電容、第三電容、第一電感、第二電感和第三電感。其中,第一電容與第一電感連接組成串聯支路,串聯支路與第二電容組成第一并聯支路,第一并聯支路的輸入端作為濾波器電路的輸入端,輸出端通過第二電感接地。第三電容與第三電感組成第二并聯支路,第二并聯支路的輸入端連接第一并聯支路的輸入端,輸出端作為濾波器電路的輸出端。濾波器電路的輸出端與低噪聲放大器電路的輸入端連接,輸入端作為模組電路的輸入端。低噪聲放大器電路的輸出端作為模組電路的輸出端。
A Modular Circuit for RF Front End Receiver
【技術實現步驟摘要】
一種應用在射頻前端接收機的模組電路
本技術涉及通訊
,更具體地說,涉及一種應用在射頻前端接收機的模組電路。
技術介紹
射頻前端是在通訊系統中介于天線與基帶電路之間的信號處理段,以高頻交流電的形式進行傳輸信號。射頻前端包括發射通路和接收通路。設置接收通路的目的在于確保有用的射頻信號能夠完整不失真地從天線拾取出來并輸送給后級的處理裝置。所述后級處理裝置稱為射頻前端接收機。然而,模組是一種安裝在射頻前端接收機前端的信號處理裝置。其中,模組包括低噪聲放大器、濾波器、切換開關、以及控制器等器件。濾波器在射頻前端中發揮消除干擾雜訊的作用。隨著模組技術的日益發展,濾波器技術也在不斷發展。模組的抗干擾性能在很大程度上取決于濾波器的除雜濾波性能。現有模組中的濾波器難以抑制多個頻點的干擾,即便實現抑制多個頻點的干擾,但是要求濾波器具備更多的元器件,從而帶來較高的生產成本,而且加大模組電路的封裝尺寸。因此,在保證生產成本和封裝尺寸的情況下,如何實現提升應用在射頻前端接收機的模組的抗干擾性能,成為本領域技術人員需要解決的問題。
技術實現思路
有鑒于此,本技術實施例提供一種應用在射頻前端接收機的模組電路,以實現提升模組電路的抗干擾性。為實現上述目的,本技術實施例提供如下技術方案:一種應用在射頻前端接收機的模組電路,包括濾波器電路和低噪聲放大器電路。所述濾波器電路包括:第一電容、第二電容、第三電容、第一電感、第二電感和第三電感。其中,所述第一電容與所述第一電感連接組成串聯支路,所述串聯支路與所述第二電容組成第一并聯支路,所述第一并聯支路的輸入端作為所述濾波器電路的輸入端,輸出端通過所述第二電感接地。所述第三電容與所述第三電感組成第二并聯支路,所述第二并聯支路的輸入端連接所述第一并聯支路的輸入端,輸出端作為所述濾波器電路的輸出端。所述濾波器電路的輸出端與所述低噪聲放大器電路的輸入端連接,輸入端作為所述模組電路的輸入端。所述低噪聲放大器電路的輸出端作為所述模組電路的輸出端。可選地,所述濾波器電路的制造工藝與互補金屬氧化物半導體工藝(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)兼容。可選地,所述濾波器電路的制造工藝包括低溫共燒陶瓷工藝(LowTemperatureCo-firedCeramic,LTCC)。可選地,所述濾波器電路的制造工藝包括集成無源器件工藝(IntegratedPassiveDevice,IPD)。可選地,所述濾波器電路的制造工藝包括層壓基板制造的工藝。可選地,所述濾波器電路和所述低噪聲放大器電路集成設置。可選地,所述濾波器電路采用IPD,所述低噪聲放大器電路采用CMOS,所述濾波器電路和所述低噪聲放大器電路采用雙側無引腳扁平封裝(DualFlatNon-leadedpackage,DFN)進行集成設置。可選地,所述噪聲放大器電路內設置有靜電保護電路,所述靜電保護電路用于保護所述濾波器電路中的電容免受靜電的破壞。本技術提供的應用在射頻前端接收機的模組電路中,采用較少的電容和電感實現濾波器電路,控制了濾波器電路的生產成本,保證了模組電路的封存尺寸。其中,第一電容和第一電感連接組成串聯支路,該串聯支路再與第二電容組成第一并聯支路。第三電容和第三電感組成第二并聯支路,實現了抑制多個頻點的干擾。而且,將濾波器電路與低噪聲放大器電路進行連接形成模組電路,使得模組電路具有除雜濾波的效果,從而提升了應用在射頻前端接收機的模組電路的抗干擾性能。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本技術的實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。圖1為本技術實施例公開一種應用在射頻前端接收機的模組電路的結構簡圖;圖2為本技術實施例公開一種應用在射頻前端接收機的模組電路中的濾波器電路的第一并聯支路的頻響特性圖;圖3為本技術實施例公開一種應用在射頻前端接收機的模組電路中的濾波器電路的第一并聯支路與第二電感的頻響特性圖;圖4為本技術實施例公開一種應用在射頻前端接收機的模組電路中的濾波器電路的第二并聯支路的頻響特性圖;圖5為本技術實施例公開一種應用在射頻前端接收機的模組電路的頻響特性圖;圖6為本技術實施例公開一種封裝集成的示意圖。具體實施方式下面將結合本技術實施例中的附圖,對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本技術保護的范圍。本技術實施例提供一種應用在射頻前端接收機的模組電路,以實現提升模組電路的抗干擾性。請參閱圖1,本技術實施例公開的應用在射頻前端接收機的模組電路,包括濾波器電路和低噪聲放大器電路。其中,濾波器電路包括:第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第一電感L1、第二電感L2和第三電感L3。第一電容C1與第一電感L1連接組成串聯支路,串聯支路與第二電容C2組成第一并聯支路,第一并聯支路的輸入端作為濾波器電路的輸入端,輸出端通過第二電感L2接地。第三電容C3與第三電感L3組成第二并聯支路,第二并聯支路的輸入端連接第一并聯支路的輸入端,輸出端作為濾波器電路的輸出端。濾波器電路的輸出端與低噪聲放大器電路的輸入端連接,輸入端作為模組電路的輸入端。低噪聲放大器電路的輸出端作為模組電路的輸出端。需要說明的是,請參閱圖1,應用在射頻前端接收機的模組電路的輸入端接入射頻輸入信號,輸出端接入射頻輸出信號。請參閱圖2,第一電容C1與第一電感L1諧振在頻點f1,呈低阻帶阻特性,該頻點的信號被過濾,其他頻點的信號可以通過,實現了第一個頻點的干擾信號的過濾。通帶寬度和帶內抑制度與第一電感L1品質因數相關。并且,同樣參見圖2,第一電容C1與第一電感L1的串聯支路,與第二電容C2并聯諧振在頻點f2,呈高阻帶通特性,該頻點的信號可以通過。第一并聯支路在高于f2的頻點呈電容特性,等效電容值為Cp’,Cp’與第二電感L2諧振在頻點f4,如圖3所示。在頻點f4呈低阻帶阻特性,該頻點的信號被過濾,其他頻點的信號可以通過,實現了第二個頻點的干擾信號的過濾。阻帶寬度和帶內抑制度與第二電感L2、第一電感L1品質因數相關。請參閱圖4,第三電容C3、第三電感L3與低噪聲放大器輸入電容Cgs共同諧振在頻點f3,呈高阻帶阻特性,該頻點的信號被過濾,其他頻點的信號可以通過,實現了第三個頻點的干擾信號的過濾。第二并聯支路的阻帶寬度、帶內抑制度與第三電感L3的電感品質因數有關。需要說明的是,請參閱圖5,集成了濾波器電路和低噪聲放大器電路的模組電路可以抑制f1、f3及f4三個頻點的干擾,f2為模組電路的放大頻點。f2頻點的附近頻段為模組電路的工作頻段。在工作頻段內的f2頻點處,模組電路的頻響特性達到峰值,代表功率增益最大。f1、f3、f4頻點為頻響特性低點,代表功率抑制點。此外,在f2頻點附近的工作頻段內,低噪聲放大器的特性阻抗本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種應用在射頻前端接收機的模組電路,其特征在于,包括濾波器電路和低噪聲放大器電路;所述濾波器電路包括:第一電容、第二電容、第三電容、第一電感、第二電感和第三電感;其中,所述第一電容與所述第一電感連接組成串聯支路,所述串聯支路與所述第二電容組成第一并聯支路,所述第一并聯支路的輸入端作為所述濾波器電路的輸入端,輸出端通過所述第二電感接地;所述第三電容與所述第三電感組成第二并聯支路,所述第二并聯支路的輸入端連接所述第一并聯支路的輸入端,輸出端作為所述濾波器電路的輸出端;所述濾波器電路的輸出端與所述低噪聲放大器電路的輸入端連接,輸入端作為所述模組電路的輸入端;所述低噪聲放大器電路的輸出端作為所述模組電路的輸出端。
【技術特征摘要】
1.一種應用在射頻前端接收機的模組電路,其特征在于,包括濾波器電路和低噪聲放大器電路;所述濾波器電路包括:第一電容、第二電容、第三電容、第一電感、第二電感和第三電感;其中,所述第一電容與所述第一電感連接組成串聯支路,所述串聯支路與所述第二電容組成第一并聯支路,所述第一并聯支路的輸入端作為所述濾波器電路的輸入端,輸出端通過所述第二電感接地;所述第三電容與所述第三電感組成第二并聯支路,所述第二并聯支路的輸入端連接所述第一并聯支路的輸入端,輸出端作為所述濾波器電路的輸出端;所述濾波器電路的輸出端與所述低噪聲放大器電路的輸入端連接,輸入端作為所述模組電路的輸入端;所述低噪聲放大器電路的輸出端作為所述模組電路的輸出端。2.如權利要求1所述的應用在射頻前端接收機的模組電路,其特征在于,所述濾波器電路的制造工藝與互補金屬氧化物半導體工藝CMOS兼容。3.如權利要求2所述的應用在射頻前端接收機的模組電...
【專利技術屬性】
技術研發人員:李鵬,
申請(專利權)人:上海艾為電子技術股份有限公司,
類型:新型
國別省市:上海,31
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