芯片堆疊封裝結構制造技術

本發明專利技術提供一種芯片堆疊封裝結構，其包括基板、至少兩個芯片、至少兩納米碳管層、多條導線以及封裝膠體。兩個芯片分別配置于基板上，其中一個芯片位于基板與另一個芯片之間。其中一個納米碳管層配置于其中一個芯片的主動表面與另一個芯片的背表面之間。另一個納米碳管層配置于另一個芯片的主動表面上。導線配置用以電性連接其中一個芯片與基板，以及電性連接另一個芯片與基板。封裝膠體配置于基板上，并包覆芯片、納米碳管層以及導線。本發明專利技術具有良好的散熱效率及可靠度。

【技術實現步驟摘要】
芯片堆疊封裝結構
本專利技術涉及一種芯片封裝結構，尤其涉及一種芯片堆疊封裝結構。
技術介紹
目前，為使芯片堆疊封裝結構具有良好的散熱效率，大多的作法是使上層芯片的上表面暴露于封裝膠體外，或者是將散熱片貼附于上層芯片并使散熱片的上表面暴露于封裝膠體外，以使芯片運行時所產生的熱可逸散至外界。然而，采用上述散熱手段，下層芯片運行時所產生的熱并無法有效地逸散至外界而不斷地累積于下層芯片，使得芯片可能會因為過熱而導致效能衰減或使用壽命縮短，甚至是損毀，進而影響芯片堆疊封裝結構的可靠度。因此，如何進一步地提升芯片堆疊封裝結構的散熱效率，已成目前亟待解決的課題。
技術實現思路
本專利技術提供一種芯片堆疊封裝結構，具有良好的散熱效率及可靠度。本專利技術的芯片堆疊封裝結構包括基板、至少兩個芯片、至少兩個納米碳管層、多條導線以及封裝膠體。兩芯片分別配置于基板上，其中一個芯片位于基板與另一個芯片之間。其中一個納米碳管層配置于其中一個芯片的主動表面與另一個芯片的背表面之間。另一個納米碳管層配置于另一個芯片的主動表面上。導線配置用以電性連接其中一個芯片與基板，以及電性連接另一個芯片與基板。封裝膠體配置于基板上，并包覆芯片、納米碳管層以及導線。在本專利技術的一實施例中，上述的納米碳管層包括多條納米碳管及多個導熱材，且導熱材填充于對應的納米碳管內。在本專利技術的一實施例中，上述的納米碳管彼此交錯相疊而呈網格狀。在本專利技術的一實施例中，上述的其中一個納米碳管層自其中一個芯片的主動表面沿著其側表面延伸至基板上，且另一個納米碳管層自另一個芯片的主動表面沿著其側表面延伸至基板上。在本專利技術的一實施例中，上述的延伸至基板上的其中一個納米碳管層與基板的導熱通孔相接觸，且延伸至基板上的另一個納米碳管層與其中一個納米碳管層相接觸。在本專利技術的一實施例中，上述的芯片堆疊封裝結構還包括至少一個膠層。膠層連接另一個芯片的背表面，且位于其中一個芯片的主動表面與另一個芯片的背表面之間。膠層用以黏著固定配置于其中一個芯片的主動表面與另一個芯片的背表面之間的其中一個納米碳管層，并黏著固定兩芯片。在本專利技術的一實施例中，上述的膠層包括液態膠(例如是銀膠或不導電膠)、黏晶膠(DAF)或線包覆膠膜(filmoverwire，FOW)。在本專利技術的一實施例中，上述的芯片堆疊封裝結構還包括至少一個黏著層。黏著層連接其中一個芯片的主動表面，且位于其中一個芯片的主動表面與另一個芯片的背表面之間。黏著層用以黏著固定配置于其中一個芯片的主動表面與另一個芯片的背表面之間的其中一個納米碳管層，并黏著固定兩芯片。在本專利技術的一實施例中，上述的其中一個納米碳管層在其中一個芯片的主動表面上的正投影面積小于其中一個芯片的主動表面的面積。另一個納米碳管層在另一個芯片的主動表面上的正投影面積小于另一個芯片的主動表面的面積。在本專利技術的一實施例中，上述的另一個芯片在其中一個芯片的主動表面上的正投影覆蓋其中一個納米碳管層在其中一個芯片的主動表面上的正投影?；谏鲜?，本專利技術的芯片堆疊封裝結構中的各芯片的主動表面上分別設有一層納米碳管層，因此各芯片運行時所產生的熱可通過對應的納米碳管層導出，使得本專利技術的芯片堆疊封裝結構具有良好的散熱效率及可靠度。為讓本專利技術的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。附圖說明圖1A是本專利技術一實施例的芯片堆疊封裝結構的剖面示意圖。圖1B是圖1A中區域A的放大示意圖。圖1C是本專利技術一實施例的納米碳管的排列方式的局部立體示意圖。圖2是本專利技術另一實施例的芯片堆疊封裝結構的剖面示意圖。圖3是本專利技術又一實施例的芯片堆疊封裝結構的剖面示意圖。圖4是本專利技術再一實施例的芯片堆疊封裝結構的剖面示意圖。附圖標記說明100、100a、100b、100c：芯片堆疊封裝結構110、110a：基板120：第一芯片120a：第一主動表面120b：第一背表面120c、122c：側表面122：第二芯片122a：第二主動表面122b：第二背表面124：第三芯片124a：第三主動表面124b：第三背表面130、130a：第一納米碳管層132、132a：第二納米碳管層134：第三納米碳管層136：納米碳管138：導熱材140、142、144：導線150：封裝膠體160：第一膠層162：第二膠層164：第三膠層170：第一黏著層172：第二黏著層174：第三黏著層180：導熱通孔190：焊球A：區域具體實施方式圖1A是本專利技術一實施例的芯片堆疊封裝結構的剖面示意圖。圖1B是圖1A中區域A的放大示意圖。圖1C是本專利技術一實施例的納米碳管的排列方式的局部立體示意圖。請參照圖1A至圖1C，在本實施例中，芯片堆疊封裝結構100包括基板110、第一芯片120、第二芯片122、第三芯片124、第一納米碳管層130、第二納米碳管層132、第三納米碳管層134、第一導線140、第二導線142、第三導線144以及封裝膠體150，其中基板110可以是多層線路基板，且可為軟式線路基板或是線路基板。第一芯片120、第二芯片122以及第三芯片124依序堆疊于基板110，其中第一芯片120位于基板110與第二芯片122之間，且第二芯片122位于第一芯片120與第三芯片124之間。第一芯片120具有相對的第一主動表面120a與第一背表面120b，第二芯片122具有相對的第二主動表面122a與第二背表面122b，且第三芯片124具有相對的第三主動表面124a與第三背表面124b。第一背表面120b朝向基板110，第一主動表面120a朝向第二背表面122b，且第二主動表面122a朝向第三背表面124b。另一方面，第一納米碳管層130配置于第一主動表面120a與第二背表面122b之間，且熱耦接于第一主動表面120a。第二納米碳管層132配置于第二動表面122a與第三背表面124b之間，且熱耦接于第二主動表面122a。第三納米碳管層134配置于第三主動表面124a上，且熱耦接于第三主動表面124a。在本實施例中，第一納米碳管層130在第一主動表面120a上的正投影面積小于第一主動表面120a的面積，第二納米碳管層132在第二主動表面122a上的正投影面積小于第二主動表面122a的面積，且第三納米碳管層134在第三主動表面124a上的正投影面積小于第三主動表面124a的面積。在每一芯片的主動表面未被對應的納米碳管層完全占據的情況下，得以在每一芯片的主動表面上保有用來電性連接每一芯片與基板110的接合區域。另一方面，第三芯片124在第二主動表面122a上的正投影可覆蓋第二納米碳管層132在第二主動表面122a上的正投影，且第二芯片122在第一主動表面120a上的正投影可覆蓋第一納米碳管層130在第一主動表面120a上的正投影。進一步而言，位于任兩相鄰芯片之間的納米碳管層例如是分布于任兩相鄰芯片的重疊處，用以獲致較大散熱面積。請繼續參照圖1A至圖1C，在本實施例中，每一芯片的主動表面上保有用來電性連接每一芯片與基板110的接合區域，其中第一導線140配置用以電性連接第一主動表面120a與基板110，第二導線142配置用以電性連接第二主動表面122a與基板110，且第三導線144配置用以電性連接第三主動表面124a與基板110。就導線之間的相對位置而言，第一本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種芯片堆疊封裝結構，其特征在于，包括：基板；至少兩個芯片，分別配置于基板上，其中一個所述芯片位于所述基板與另一個所述芯片之間；至少兩個納米碳管層，其中一個所述納米碳管層配置于其中一個所述芯片的主動表面與另一個所述芯片的背表面之間，且另一個所述納米碳管層配置于另一個所述芯片的主動表面上；多條導線，配置用以電性連接其中一個所述芯片與所述基板以及電性連接另一個所述芯片與所述基板；以及封裝膠體，配置于所述基板上，并包覆所述至少兩個芯片、所述至少兩個納米碳管層以及所述多個導線。

【技術特征摘要】
2017.11.29 TW 1061417021.一種芯片堆疊封裝結構，其特征在于，包括：基板；至少兩個芯片，分別配置于基板上，其中一個所述芯片位于所述基板與另一個所述芯片之間；至少兩個納米碳管層，其中一個所述納米碳管層配置于其中一個所述芯片的主動表面與另一個所述芯片的背表面之間，且另一個所述納米碳管層配置于另一個所述芯片的主動表面上；多條導線，配置用以電性連接其中一個所述芯片與所述基板以及電性連接另一個所述芯片與所述基板；以及封裝膠體，配置于所述基板上，并包覆所述至少兩個芯片、所述至少兩個納米碳管層以及所述多個導線。2.根據權利要求1所述的芯片堆疊封裝結構，其特征在于，各所述納米碳管層包括多條納米碳管及多個導熱材，各所述導熱材填充于對應的各所述納米碳管內。3.根據權利要求2所述的芯片堆疊封裝結構，其特征在于，多個所述納米碳管彼此交錯相疊而呈網格狀。4.根據權利要求1所述的芯片堆疊封裝結構，其特征在于，所述納米碳管層自其中一個所述芯片的主動表面沿著其側表面延伸至所述基板上，且另一個所述納米碳管層自另一個所述芯片的主動表面沿著其側表面延伸至所述基板上。5.根據權利要求4所述的芯片堆疊封裝結構，其特征在于，延伸至所述基板上的其中一個所述納米碳管層與所述基板的導熱通孔相接觸，且延伸至所述基板上的另一個...

【專利技術屬性】
技術研發人員：許翰誠，
申請(專利權)人：南茂科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣,71