彈性波裝置、高頻前端電路以及通信裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種能夠使產(chǎn)生雜散的頻率遠(yuǎn)離其它通信系統(tǒng)等利用的頻帶且能夠有效地改善頻率溫度特性的彈性波裝置。彈性波裝置(1)具備：支承基板(2)；聲反射層(3)，設(shè)置在支承基板(2)上；壓電體層(6)，設(shè)置在聲反射層(3)上；以及IDT電極(7)，設(shè)置在壓電體層(6)上。聲反射層(3)具有三層以上的低聲阻抗層和兩層以上的高聲阻抗層。最靠近壓電體層(6)的低聲阻抗層(4a)的膜厚比最靠近該低聲阻抗層的低聲阻抗層的膜厚厚。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
彈性波裝置、高頻前端電路以及通信裝置
本專利技術(shù)涉及彈性波裝置、高頻前端電路以及通信裝置。
技術(shù)介紹
以往，彈性波裝置被廣泛用于便攜式電話機(jī)的濾波器等。在下述的專利文獻(xiàn)1公開了彈性波裝置的一個(gè)例子。該彈性波裝置具有設(shè)置在支承基板與壓電體層之間的聲反射層。在聲反射層中，交替地層疊有低聲阻抗層和高聲阻抗層。專利文獻(xiàn)1的彈性波裝置利用S0模式等的板波作為主模式。多個(gè)低聲阻抗層的膜厚以及多個(gè)高聲阻抗層的膜厚分別設(shè)為全部相等。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開第2012/086441號(hào)在專利文獻(xiàn)1記載的彈性波裝置中，具有在比主模式靠高頻段側(cè)產(chǎn)生大的雜散的傾向。例如，在制作了通信波段為3.5GHz頻段的Band42用的器件的情況下，有時(shí)會(huì)在無(wú)線LAN使用的5GHz頻段的頻帶產(chǎn)生雜散而成為問題。進(jìn)而，在上述彈性波裝置中，未能充分改善頻率溫度特性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
專利技術(shù)要解決的課題本專利技術(shù)的目的在于，提供一種能夠使產(chǎn)生雜散的頻率遠(yuǎn)離其它通信系統(tǒng)等利用的頻帶且能夠有效地改善頻率溫度特性的彈性波裝置、高頻前端電路以及通信裝置。用于解決課題的技術(shù)方案本專利技術(shù)涉及的彈性波裝置具備：支承基板；聲反射層，設(shè)置在所述支承基板上；壓電體層，設(shè)置在所述聲反射層上；以及IDT電極，設(shè)置在所述壓電體層上，所述聲反射層具有三層以上的低聲阻抗層和兩層以上的高聲阻抗層，最靠近所述壓電體層的所述低聲阻抗層的膜厚比最靠近該低聲阻抗層的低聲阻抗層的膜厚厚。在本專利技術(shù)涉及的彈性波裝置的某個(gè)特定的方面中，至少在三層所述低聲阻抗層和兩層所述高聲阻抗層中，所述低聲阻抗層和所述高聲阻抗層交替地層疊。在該情況下，能夠更進(jìn)一步提高聲反射層中的反射率，因此能夠更進(jìn)一步改善損耗。在本專利技術(shù)涉及的彈性波裝置的某個(gè)特定的方面中，最靠近所述壓電體層的所述低聲阻抗層的膜厚為最靠近該低聲阻抗層的所述低聲阻抗層的膜厚的1.38倍以下。在該情況下，能夠使產(chǎn)生雜散的頻率更加遠(yuǎn)離其它通信系統(tǒng)等利用的頻帶。因而，能夠更進(jìn)一步抑制雜散對(duì)其它通信系統(tǒng)等的影響。在本專利技術(shù)涉及的彈性波裝置的另一個(gè)特定的方面中，最靠近所述壓電體層的所述低聲阻抗層的膜厚為在該低聲阻抗層中傳播的橫波彈性波的波長(zhǎng)的所述壓電體層的厚度方向上的分量的0.7倍以上且0.8倍以下的范圍。在該情況下，能夠在不導(dǎo)致聲反射層的反射特性的劣化的情況下更進(jìn)一步改善頻率溫度特性。在本專利技術(shù)涉及的彈性波裝置的又一個(gè)特定的方面中，除最靠近所述壓電體層的所述低聲阻抗層以外的各所述低聲阻抗層的膜厚為在各所述低聲阻抗層中傳播的橫波彈性波的波長(zhǎng)的所述壓電體層的厚度方向上的分量的0.2倍以上且0.3倍以下的范圍，所述高聲阻抗層的膜厚為在所述高聲阻抗層中傳播的橫波彈性波的波長(zhǎng)的所述壓電體層的厚度方向上的分量的0.2倍以上且0.3倍以下的范圍。在該情況下，能夠?qū)椥圆ㄓ行У胤忾]在壓電體層側(cè)。在本專利技術(shù)涉及的彈性波裝置的另一個(gè)特定的方面中，利用S0模式的板波。在本專利技術(shù)涉及的彈性波裝置的又一個(gè)特定的方面中，所述彈性波裝置是產(chǎn)生與利用的主模式不同的模式的雜散的彈性波裝置，在將所述雜散的諧振頻率設(shè)為Fs，將所述主模式的諧振頻率設(shè)為Fm，將所述雜散與所述主模式的諧振頻率比設(shè)為Fs/Fm時(shí)，諧振頻率比Fs/Fm在1.45以上且1.55以下的范圍外。在該情況下，能夠更進(jìn)一步抑制雜散對(duì)其它通信系統(tǒng)等的影響。在本專利技術(shù)涉及的彈性波裝置的另一個(gè)特定的方面中，各所述低聲阻抗層由氧化硅構(gòu)成。本專利技術(shù)涉及的高頻前端電路具備按照本專利技術(shù)構(gòu)成的彈性波裝置和功率放大器。本專利技術(shù)涉及的通信裝置具備按照本專利技術(shù)構(gòu)成的高頻前端電路和RF信號(hào)處理電路。專利技術(shù)效果根據(jù)本專利技術(shù)，能夠提供一種能夠使產(chǎn)生雜散的頻率遠(yuǎn)離其它通信系統(tǒng)等利用的頻帶且能夠有效地改善頻率溫度特性的彈性波裝置、高頻前端電路以及通信裝置。附圖說明圖1(a)是本專利技術(shù)的第一實(shí)施方式涉及的彈性波裝置的主視剖視圖，圖1(b)是示出第一實(shí)施方式中的彈性波裝置的電極構(gòu)造的示意性俯視圖。圖2是示出板波的傳播模式的例子的圖。圖3是示出第一比較例的彈性波裝置的阻抗特性的圖。圖4是示出第一比較例的主模式的頻率處的壓電體層的厚度方向上的位移的分布的圖。圖5是示出第一比較例的產(chǎn)生雜散的頻率處的壓電體層的厚度方向上的位移的分布的圖。圖6是示出本專利技術(shù)的第一實(shí)施方式的第一實(shí)驗(yàn)例以及第一比較例的彈性波裝置的阻抗特性的圖。圖7是示出最靠近壓電體層的低聲阻抗層的膜厚與諧振頻率比Fs/Fm的關(guān)系的圖。圖8是示出本專利技術(shù)的第一實(shí)施方式的第二實(shí)驗(yàn)例以及第一比較例的彈性波裝置的阻抗特性的圖。圖9是示出最靠近壓電體層的低聲阻抗層的膜厚與諧振頻率比Fs/Fm的關(guān)系的圖。圖10是示出最靠近壓電體層的低聲阻抗層的膜厚與頻率溫度系數(shù)TCF的關(guān)系的圖。圖11是示出在聲反射層傳播的彈性波的位移的一個(gè)例子的圖。圖12是用于對(duì)由設(shè)置在壓電體層上的IDT電極激勵(lì)的彈性波作為體波(bulkwave)而向基板側(cè)傳播時(shí)的體波的各分量進(jìn)行說明的示意圖。圖13是示出將各低聲阻抗層的膜厚的關(guān)系設(shè)為與本專利技術(shù)的第二實(shí)施方式相同的情況下的、在聲反射層傳播的彈性波的位移的一個(gè)例子的圖。圖14是具有高頻前端電路的通信裝置的結(jié)構(gòu)圖。附圖標(biāo)記說明1：彈性波裝置，2：支承基板，3：聲反射層，4a～4d：低聲阻抗層，5a～5c：高聲阻抗層，6：壓電體層，7：IDT電極，8a：第一匯流條，8b：第一電極指，9a：第二匯流條，9b：第二電極指，18：反射器，19：反射器，201A、201B：雙工器，202：天線元件，203：RF信號(hào)處理電路，211、212：濾波器，214：低噪聲放大器電路，221、222：濾波器，224：低噪聲放大器電路，225：開關(guān)，230：高頻前端電路，231、232：濾波器，234a、234b：功率放大器電路，240：通信裝置，244a、244b：功率放大器電路。具體實(shí)施方式以下，通過參照附圖對(duì)本專利技術(shù)的具體的實(shí)施方式進(jìn)行說明，從而明確本專利技術(shù)。另外，需要指出的是，在本說明書記載的各實(shí)施方式是例示性的，能夠在不同的實(shí)施方式間進(jìn)行結(jié)構(gòu)的部分置換或組合。圖1(a)是本專利技術(shù)的第一實(shí)施方式涉及的彈性波裝置的主視剖視圖。圖1(b)是示出第一實(shí)施方式中的彈性波裝置的電極構(gòu)造的示意性俯視圖。彈性波裝置1具有支承基板2。在本實(shí)施方式中，支承基板2由硅(Si)構(gòu)成。另外，支承基板2的材料并不限定于上述材料，例如，也可以是玻璃、尖晶石、氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC、硅、藍(lán)寶石、鉭酸鋰、鈮酸鋰、石英等壓電體、礬土(alumina)、氧化鋯、堇青石、多鋁紅柱石、滑石、鎂橄欖石等各種陶瓷、金剛石、氧化鎂、或者以上述各材料為主成分的材料、以上述各材料的混合物為主成分的材料中的任一者。在支承基板2上設(shè)置有聲反射層3。在聲反射層3上設(shè)置有壓電體層6。在壓電體層6上設(shè)置有IDT電極7。通過對(duì)IDT電極7施加交流電壓，從而激勵(lì)彈性波。聲反射層3為了使彈性波向壓電體層6側(cè)反射并將彈性波封閉在壓電體層6側(cè)而設(shè)置。另外，可以在壓電體層6與聲反射層3之間設(shè)置有由鈦、鎳等構(gòu)成的中間層。此外，也可以在聲反射層3與支承基板2之間設(shè)置有由鈦、鎳等構(gòu)成的中間層。進(jìn)而，IDT電極7也可以經(jīng)由氧化硅膜等間接地設(shè)置在壓電體層6上。聲反射層3具有聲阻抗相對(duì)低的多個(gè)低聲阻本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種彈性波裝置，具備：支承基板；聲反射層，設(shè)置在所述支承基板上；壓電體層，設(shè)置在所述聲反射層上；以及IDT電極，設(shè)置在所述壓電體層上，所述聲反射層具有三層以上的低聲阻抗層和兩層以上的高聲阻抗層，最靠近所述壓電體層的所述低聲阻抗層的膜厚比最靠近該低聲阻抗層的所述低聲阻抗層的膜厚厚。

【技術(shù)特征摘要】
2017.11.29 JP 2017-2293251.一種彈性波裝置，具備：支承基板；聲反射層，設(shè)置在所述支承基板上；壓電體層，設(shè)置在所述聲反射層上；以及IDT電極，設(shè)置在所述壓電體層上，所述聲反射層具有三層以上的低聲阻抗層和兩層以上的高聲阻抗層，最靠近所述壓電體層的所述低聲阻抗層的膜厚比最靠近該低聲阻抗層的所述低聲阻抗層的膜厚厚。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中，至少在三層所述低聲阻抗層和兩層所述高聲阻抗層中，所述低聲阻抗層和所述高聲阻抗層交替地層疊。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，最靠近所述壓電體層的所述低聲阻抗層的膜厚為最靠近該低聲阻抗層的所述低聲阻抗層的膜厚的1.38倍以下。4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)所述的彈性波裝置，其中，最靠近所述壓電體層的所述低聲阻抗層的膜厚為在該低聲阻抗層中傳播的橫波彈性波的波長(zhǎng)的所述壓電體層的厚度方向上的分量的0.7倍以上且0.8倍以下的范圍。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的彈性波裝置，其中，除最靠近...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：三村昌和，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：株式會(huì)社村田制作所，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：日本,JP