利于長壽花生長的栽培基質及栽培方法技術

本發明專利技術公開了一種利于長壽花生長的栽培基質，所述的栽培基質的各組分為紅土、椰糠、珍珠巖，各組分基質經前期處理后按如下體積比例配制，椰糠：珍珠巖:紅土=4:2：0?4，該基質在定植后第30天開始追肥，且每隔20天追肥一次。此外本發明專利技術還提供一種利于長壽花生長的栽培方法，包括以下步驟：基質填充、扦插、苗期管理、成品期管理。本發明專利技術提供的栽培基質，配料簡單易得，能為長壽花的生長提供豐富的有機質和氮磷鉀以及微量元素，使得長壽花在分枝生長期、現蕾期和開花期的生長情況都有顯著提高。在栽培過程中，控制合理的溫度和濕度。同時不需專門育苗，插穗直接插入花盆，一次成花，縮短生長周期，降低生產成本。

Substrate and cultivation method for longevity peanut growth

【技術實現步驟摘要】
利于長壽花生長的栽培基質及栽培方法
本專利技術涉及種植領域，具體涉及利于長壽花生長的栽培基質及栽培方法。
技術介紹
長壽花(KalanchoeBlossfeldiana)又叫矮生伽藍菜、壽星花、假川蓮，屬景天科、伽藍菜屬，為多年生常綠短日照多漿植物，原產地馬達加斯加。長壽花株高10～30cm，莖直立，葉片密集繁茂，花朵密集，圣誕節前后開花，花期長，是冬春季節理想的室內盆栽花卉，用來布置窗臺、書桌、茶幾等十分適宜；用于公共場所的花壇、花境布置，整體觀賞效果也極佳。由于名字吉利，也是贈送長輩的佳品。此外,長壽花還有吸收甲醛凈化空氣的功效,受到越來越多家庭的喜愛，市場發展前景較好。在長壽花的栽培中，通常將長壽花植入栽培基質中進行栽培，而不同栽培基質及其栽培方法對長壽花的生長也有所影響，因此有必要探索一種利于長壽花生長的栽培基質和栽培方法。
技術實現思路
本專利技術的目的在研究出一種利于長壽花生長的栽培基質及栽培方法，使得長壽花在生長期、現蕾期和開花期能較好的生長,同時不需專門育苗，插穗直接插入花盆，一次成花，縮短生長周期，降低生產成本。為解決上述的技術問題，本專利技術采用以下技術方案：利于長壽花生長的栽培基質，所述的栽培基質的各組分為紅土、椰糠、珍珠巖，各組分基質經前期處理后按如下體積比例配制，椰糠：珍珠巖:紅土＝4:2：0-4，該基質在定植后第30天開始追肥，且每隔20天追肥一次。作為優選的，所述的栽培基質的各個組分體積比為:椰糠：珍珠巖：紅土＝4:2:0。進一步的，所述的栽培基質中施加的肥料為水溶性肥料，肥料中氮、磷、鉀比例為1:1:1。進一步的，基質前期處理包括將基質進行浸泡處理，并用熟石灰將基質pH值調整到5.5～6.0，基質泡水需要完全浸透，其程度為用手輕捏基質能流出水。此外，本專利技術還提供一種利于長壽花生長的栽培方法，其特征在于，包括以下步驟：S1、基質填充：基質經處理后填充到花盆中，填充過程中保證基質的疏松性，基質填充好后需澆透水份；S2、扦插：將準備好的枝條頂芽作為插穗，插條的合適長度為5～7cm，扦插時將下部葉片除去，將該莖節直接扦插到裝好基質的花盆中，扦插時需保證插穗與基質緊密接觸，扦插好后再進行澆水；S3、苗期管理：將花盆放至蔽蔭處或蓋上遮陽網，溫度保持在20℃－25℃之間，待插穗生根后，將其移至全日照條件下或撤去遮陽網，溫度保持在18℃－22℃之間；S4、成品期管理：在長壽花生長旺盛階段時，夜溫保持在14.7℃～16℃、晝溫19.1℃～21.3℃，濕度控制在75-85％，在此期間保證充足的光照，在摘心2周后對植株噴施生長調節劑。進一步的，控制溫度所采用的設備為霧化降溫和天然氣加溫系統。進一步的，步驟S4中所使用的生長調節劑為矮壯素或多效唑，施用的方法可以葉面噴施或土壤澆灌。與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：本專利技術提供的栽培基質，配料簡單易得，能為長壽花的生長提供豐富的有機質和氮磷鉀以及微量元素，對基質進行前期處理和裝盆時保證合理的疏松性，以使得栽培長壽花時，根系能有適宜生長的PH和保證了根系的透氣性和吸水能力，通過本專利技術提供的栽培基質，使得長壽花在分枝生長期、現蕾期和開花期的生長情況都有顯著提高。同時不需專門育苗，插穗直接插入花盆，一次成花，縮短生長周期，降低生產成本。在栽培過程中，控制合理的溫度和濕度，避免溫度過高、晝夜溫差過大對植株造成傷害和由于濕度的不合理導致真菌感染，在長壽花生長旺盛階段噴施生長調節劑，防止長壽花徒長影響其質量。具體實施方式為了使本專利技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合實施例，對專利技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。實施例1本專利技術提供一種利于長壽花生長的栽培基質，該栽培基質的各組分為紅土、椰糠、珍珠巖，各組分基質經前期處理后按如下體積比例配制，椰糠：珍珠巖:紅土＝4:2：0-4，該基質在定植后第30天開始追肥，且每隔20天追肥一次。所施加的肥料為水溶性肥料，肥料中氮、磷、鉀比例為1:1:1。基質前期處理包括將基質進行浸泡處理，并用熟石灰將基質pH值調整到5.5～6.0，基質泡水需要完全浸透，其程度為用手輕捏基質能流出水。實施例2本專利技術提供一種利于長壽花生長的栽培基質，該栽培基質的各組分為紅土、椰糠、珍珠巖，為了進行比較長壽花的生長情況，選出最優的基質的配比方案，根據上述實施例提供5中基質配比和常規紅土栽培對照組。配比如下表所示：組別椰糠珍珠巖紅土T1421T2422T3423T4424T5420CK1001為減小樣本的誤差，每個組別種植7株，重復6次，共294株長壽花，且每個組別選擇光照、溫度、濕度較均勻的大棚，隨機選擇長壽花種植地塊(避免靠近大棚邊緣地帶，消除邊緣效應的影響)，均勻劃分為六個小區，每個小區種植49盆長壽花。通過以上不同紅土和基質配比對長壽花生長和開花的影響，可看出：無土栽培T5種植的長壽花植株長勢好，花朵數量多、枝葉茂盛品質好；土壤栽培配方T1、T2、T3、T4表現良好，但土壤栽培方法質量大，不便于運輸，難以實現規模化、集約化、自動化生產。而T5能夠實現大規模商業化生產，省力省工，易于管理，盆栽質量輕。T1、T2、T3、T4、T5的長壽花生長和開花指標明顯優于常規紅土栽培CK，總體來看，T1、T2、T3、T4、T5都有利于長壽花的生長。實施例3在上述實施例的基礎上，本專利技術還提供一種利于長壽花生長的栽培方法，其特征在于，包括以下步驟：S1、基質填充：基質經處理后填充到花盆中，填充過程中保證基質的疏松性，以盆子填滿、基質填充疏松為宜，基質過緊會影響到根系的透氣性和吸水能力，基質填充好后需澆透水份；S2、扦插：將準備好的枝條頂芽作為插穗，插條的合適長度為5～7cm，扦插時將下部葉片除去，將該莖節插入到基質中，扦插時需保證插穗與基質緊密接觸，扦插好后再進行澆水，且各花盆之間的擺放需保持一定的間距；S3、苗期管理：將花盆放至蔽蔭處或蓋上遮陽網，溫度保持在20℃－25℃，一般扦插后2周，長壽花便可生根了，只是根系還不很發達，生根前切不可使生根基質干透，待插穗生根后，將其移至全日照條件下或撤去遮陽網，溫度保持在18℃－22℃之間，生根后需控制澆水量和施肥量，施肥的濃度不宜過高；S4、成品期管理：在長壽花生長旺盛階段時，夜溫保持在14.7℃～16℃、晝溫19.1℃～21.3℃，長壽花在短日照處理早期比晚期對高夜溫更為敏感，此時可以在晚上7點后覆蓋黑布，次日晚一點揭開可以較大程度上避免延遲開花，濕度控制在75-85％，在此期間保證充足的光照，在摘心2周后對植株噴施生長調節劑，所使用的生長調節劑為矮壯素或多效唑，施用的方法可以葉面噴施或土壤澆灌。在以上步驟中控制溫度所采用的設備為霧化降溫和天然氣加溫系統。盡管這里參照本專利技術的多個解釋性實施例對本專利技術進行了描述，但是，應該理解，本領域技術人員可以設計出很多其他的修改和實施方式，這些修改和實施方式將落在本申請公開的原則范圍和精神之內。更具體地說，在本申請公開的權利要求的范圍內，可以對主題組合布局的組成部件或布局進行多種變形和改進。除了對組成部件或布局進行的變形和改進外，對于本領域技術人員來說，其他的用途也將是明顯的。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.利于長壽花生長的栽培基質，其特征在于，所述的栽培基質的各組分為紅土、椰糠、珍珠巖，各組分基質經前期處理后按如下體積比例配制，椰糠：珍珠巖:紅土=4:2：0?4，該基質在定植后第30天開始追肥，且每隔20天追肥一次。

【技術特征摘要】
1.利于長壽花生長的栽培基質，其特征在于，所述的栽培基質的各組分為紅土、椰糠、珍珠巖，各組分基質經前期處理后按如下體積比例配制，椰糠：珍珠巖:紅土=4:2：0-4，該基質在定植后第30天開始追肥，且每隔20天追肥一次。2.根據權利要求1所述的利于長壽花生長的栽培基質，其特征在于：所述的栽培基質的各個組分體積比為:椰糠：珍珠巖：紅土=4:2:0。3.根據權利要求1所述的利于長壽花生長的栽培基質，其特征在于：所述的栽培基質中施加的肥料為水溶性肥料，肥料中氮、磷、鉀比例為1:1:1。4.根據權利要求1所述的利于長壽花生長的栽培基質，其特征在于：基質前期處理包括將基質進行浸泡處理，并用熟石灰將基質pH值調整到5.5～6.0，基質泡水需要完全浸透，其程度為用手輕捏基質能流出水。5.利于長壽花生長的栽培方法，其特征在于，包括以下步驟：S1、基質填充：基質經處理后填充到花盆中，填充過程中保證基質的疏...

【專利技術屬性】
技術研發人員：桂敏，李進昆，李紳崇，蘇艷，盧珍紅，莫錫君，周旭紅，龍江，
申請(專利權)人：云南省農業科學院花卉研究所，
類型：發明
國別省市：云南,53