寄生電容減小的顯示面板及其制造方法。本公開提供了一種使在選通線和數據線的交叉部中出現的寄生電容減小的顯示面板和制造該顯示面板的方法。根據示例性實施方式的顯示面板包括:多條選通線,所述多條選通線形成在基板上;絕緣層,所述絕緣層形成在所述多條選通線上;以及多條數據線,所述多條數據線形成在所述絕緣層上以越過所述多條選通線,從而導致產生交疊區域,在所述交疊區域中,所述多條數據線與所述多條選通線水平地交叉但是與所述多條選通線豎直地間隔開。按照所述多條選通線和所述多條數據線在所述交疊區域中的寬度比在非交疊區域中的寬度窄來形成所述多條選通線和所述多條數據線。
Display panel with reduced parasitic capacitance and its manufacturing method
【技術實現步驟摘要】
寄生電容減小的顯示面板及其制造方法
本公開涉及顯示面板,更具體而言,涉及在選通線和數據線的交叉部出現的寄生電容減小的顯示面板。另外,本專利技術涉及用于將在選通線和數據線的交叉部出現的寄生電容減小的制造顯示面板的方法。
技術介紹
由于對諸如移動電話、個人數字助理(PDA)和筆記本計算機之類的各種便攜式電子設備所需的小型顯示設備的需求與對大型高質量顯示設備的需求一起增加,因此對平板顯示設備的需求越來越多。平板顯示設備的示例包括液晶顯示(LCD)設備、有機發光二極管(OLED)顯示設備、等離子體顯示設備、場致發射顯示(FED)設備和真空熒光顯示(VFD)設備。在這些平板顯示設備當中,液晶顯示設備因為大規模生產技術水平、設備驅動容易以及能夠實現高質量圖像而正在吸引人們注意并得到廣泛使用。液晶顯示設備的操作原理利用包括光學各向異性和偏振的液晶分子的物理特性。液晶分子細而長,并且在分子排列中表現出方向性。液晶中的分子排列的方向可以通過向液晶施加電場而改變。如果適當地調節液晶中的分子排列的方向,則液晶的分子排列可以改變,并且穿過液晶的光由于光學各向異性特性而可以在分子排列的方向上被折射,因此能夠通過液晶顯示來表達圖像信息。當前,由薄膜晶體管(TFT)形成的單位像素以及連接至單位像素以傳輸信號的選通線和數據線以矩陣形式排列的有源矩陣液晶顯示設備由于其優異的分辨率和視頻顯示能力而吸引了最多的注意力。然而,隨著液晶顯示設備的尺寸變得越來越大并且設備分辨率變得越來越高,向像素傳輸信號的選通線和數據線的交叉部增多,這導致在交叉部中出現的寄生電容增加。[現有技術參考][專利文獻]韓國未審專利公開No.2004-0044588(2004年5月31日)
技術實現思路
根據本公開,提供了一種使在選通線和數據線的交叉部中出現的寄生電容減小的顯示面板和制造該顯示面板的方法。附加方面將在隨后的描述中部分地闡述,并且將部分地從該描述變得清楚,或者可以通過實踐所提供的示例性實施方式而獲知。根據示例性實施方式的一個方面,一種顯示面板包括:多條選通線,所述多條選通線形成在基板上;絕緣層,所述絕緣層形成在所述多條選通線上;以及多條數據線,所述多條數據線形成在所述絕緣層上以越過所述多條選通線,從而導致產生交疊區域,在所述交疊區域中,所述多條數據線與所述多條選通線在水平方向上交叉但是與所述多條選通線在豎直方向上間隔開。按照所述多條選通線和所述多條數據線的寬度在所述交疊區域中比在非交疊區域中窄的方式來形成所述多條選通線和所述多條數據線。所述顯示面板可以進一步包括:設備部分,各設備部分布置在由所述多條選通線中的一條選通線和所述多條數據線中的一條數據線限定的空間中并且連接至所述多條選通線中的所述一條選通線和所述多條數據線中的所述一條數據線。所述顯示面板可以進一步包括:輔助選通線,所述輔助選通線從所述多條選通線中的所述一條選通線延伸以將所述多條選通線中的所述一條選通線連接至所述設備部分;以及輔助數據線,所述輔助數據線從所述多條數據線中的所述一條數據線延伸以將所述多條數據線中的所述一條數據線連接至所述設備部分。每個所述設備部分都可以包括:柵極,所述柵極從所述輔助選通線延伸;設備絕緣層,所述設備絕緣層覆蓋所述柵極的上部并且與所述絕緣層一體地形成為單個結構;設備半導體層,所述設備半導體層在每個所述交疊區域中與形成在所述多條數據線中的所述一條數據線和所述多條選通線中的所述一條選通線之間的半導體層一起形成在所述設備絕緣層上;以及數據電極,所述數據電極在所述設備半導體層上從所述輔助數據線延伸。所述顯示面板可以進一步包括保護層,所述保護層覆蓋所述多條數據線、所述輔助數據線和所述設備部分。根據另一個示例性實施方式的一個方面,一種制造顯示面板的方法,該方法包括以下步驟:在基板上形成多條選通線;在所述多條選通線上形成絕緣層;以及在所述絕緣層上將多條數據線形成為越過所述多條選通線,從而導致產生交疊區域,在所述交疊區域中,所述多條數據線與所述多條選通線在水平方向上交叉但是與所述多條選通線在豎直方向上間隔開。在形成所述多條選通線和所述多條數據線時,所述多條選通線和所述多條數據線的寬度被形成為在所述交疊區域中比在非交疊區域中窄。在根據本公開的顯示面板中,所述多條選通線和所述多條數據線的寬度形成為在所述交疊區域中比在非交疊區域中窄,以減小每個所述交疊區域的面積,從而能夠減小在所述交疊區域中出現的寄生電容。附圖說明為了更好地理解該公開,現在將參照附圖描述以示例方式給出的本公開的各種形式,在附圖中:圖1是示出了根據本公開的實施方式的顯示面板的平面圖;圖2是示出了在根據本公開的實施方式的顯示面板中選通線與數據線交叉的交疊區域的截面圖;圖3是示出了根據本公開的實施方式的顯示面板的設備部分的截面圖;圖4是示出了制造根據本公開的實施方式的顯示面板的方法的流程圖;以及圖5是示出了根據本公開的另一實施方式的顯示面板的平面圖。這里描述的附圖僅用于舉例說明之目的,并且不是為了以任何方式限制本公開的范圍。[附圖標記描述]10:基板21、121:選通線22:輔助選通線23:柵極31:絕緣層32:設備絕緣層41:半導體層42:設備半導體層51、151:數據線52:輔助數據線53:數據電極61、62:保護層100、200:顯示面板具體實施方式在如下描述和附圖中,將僅僅描述理解本公開的實施方式所必需的部分,為了簡單起見,將可能使本公開的主題內容模糊不清的公知功能或構造的描述省略。在如下描述和所附權利要求中使用的術語和措辭未必以普通意義或字典含義進行解釋,而是可以在這里適當地限定以用作以可能最佳方式描述本公開的術語。這些術語和措辭應該被解釋為與本公開的技術構思一致的含義和概念。在本說明書中描述的實施方式和附圖中所示的構造僅僅是本公開的優選實施方式,并且不是為了限制本公開的技術構思。因此,應該理解,可能存在替換在本申請提交時的示例性實施方式的各種等同物和修改。特別地,術語“水平地交叉”或“與……水平地交叉”在這里用來指代當從上方觀看時兩個構件彼此交叉的位置關系。術語“豎直地間隔開”或“與……豎直地間隔開”在這里用來指代當從側面或前面觀看時兩個構件間隔開的位置關系。下面將參照附圖詳細地描述本公開的示例性實施方式。圖1是示出了根據本公開的實施方式的顯示面板的平面圖,圖2是示出了在根據本公開的實施方式的顯示面板中選通線與數據線交叉的交疊區域的截面圖,而圖3是示出了根據本公開的實施方式的顯示面板的設備部分的截面圖。參照圖1至3,根據本公開的實施方式的顯示面板100包括多條選通線21、絕緣層31、半導體層41和多條數據線51。顯示面板100進一步包括設備部分50,每個設備部分50都布置在由多條選通線21中的一條選通線和多條數據線51中的一條數據線限定的空間中并且連接至對應的選通線21和對應的數據線51。多條選通線21可以形成在基板10上。也就是說,多條選通線21可以被構圖成間隔開預定距離從而彼此平行的多個行。多條選通線21可以將選通驅動器(未示出)輸出的顯示掃描信號順序地輸送至設備部分50。絕緣層31可以形成在多條選通線21上以將多條數據線51與多條選通線21絕緣。該絕緣層31可以沿著每條選通線21形成或者可以在多條選通線21本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種顯示面板,該顯示面板包括:多條選通線,所述多條選通線形成在基板上;絕緣層,所述絕緣層形成在所述多條選通線上;以及多條數據線,所述多條數據線形成在所述絕緣層上以越過所述多條選通線,從而導致產生交疊區域,在所述交疊區域中,所述多條數據線與所述多條選通線在水平方向上交叉但是與所述多條選通線在豎直方向上間隔開,其中,按照所述多條選通線和所述多條數據線的寬度在所述交疊區域中比在非交疊區域中窄的方式來形成所述多條選通線和所述多條數據線。
【技術特征摘要】
2018.01.26 KR 10-2018-00098001.一種顯示面板,該顯示面板包括:多條選通線,所述多條選通線形成在基板上;絕緣層,所述絕緣層形成在所述多條選通線上;以及多條數據線,所述多條數據線形成在所述絕緣層上以越過所述多條選通線,從而導致產生交疊區域,在所述交疊區域中,所述多條數據線與所述多條選通線在水平方向上交叉但是與所述多條選通線在豎直方向上間隔開,其中,按照所述多條選通線和所述多條數據線的寬度在所述交疊區域中比在非交疊區域中窄的方式來形成所述多條選通線和所述多條數據線。2.根據權利要求1所述的顯示面板,該顯示面板還包括:設備部分,各個設備部分布置在由所述多條選通線中的一條選通線和所述多條數據線中的一條數據線限定的空間中并且連接至所述多條選通線中的所述一條選通線和所述多條數據線中的所述一條數據線。3.根據權利要求2所述的顯示面板,該顯示面板還包括:輔助選通線,所述輔助選通線從所述多條選通線中的所述一條選通線延伸以將所述多條選通線中的所述一條選通線連接至所述設備部分;以及輔助數據線,所述輔助數據線從所述多條數據線中的所述一...
【專利技術屬性】
技術研發人員:俞炳旭,吳旻錫,
申請(專利權)人:電子部品研究院,
類型:發明
國別省市:韓國,KR
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