芯片年齡判斷方法、裝置、芯片及終端制造方法及圖紙

本發明專利技術實施例涉及一種芯片年齡判斷方法、裝置、芯片及終端。方法包括：控制芯片SRAM多次上下電；多次獲取SRAM的上電反饋值；計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率；根據所述錯誤率判斷所述芯片的年齡。通過實施本名發明專利技術實施例，可以準確的判斷芯片年齡。

Chip Age Judgment Method, Device, Chip and Terminal

【技術實現步驟摘要】
芯片年齡判斷方法、裝置、芯片及終端
本專利技術涉及芯片檢測領域，尤其涉及一種芯片年齡判斷方法、裝置、芯片及終端。
技術介紹
因為芯片全球供應鏈的關系，政府、公司等單位購買芯片使用的來源渠道多種多樣。芯片回收翻新再售賣給相關的單位已經是一種常見的黑產獲益手段。相關的政府，公司使用了翻新的芯片產品會對自身的產品穩定性造成巨大影響。當前手段僅僅通過芯片外表判斷亦或是通過物理侵入芯片判斷內部結構是否老化。這種判斷方法費時費力，并且由于翻新技術的更迭，往往無法達到驗收的效果，同時無法精確的判斷出芯片的年齡。如何準確的判斷芯片年齡，是本領域亟待解決的一大問題。
技術實現思路
本專利技術實施例提供一種芯片年齡判斷方法、裝置、芯片及終端，可準確的判斷芯片年齡。一方面，本專利技術實施例公開了一種芯片年齡判斷方法，包括：控制芯片SRAM多次上下電；多次獲取SRAM的上電反饋值；計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率；根據所述錯誤率判斷所述芯片的年齡。可選的，計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率，具體為：根據所述多次獲取的SRAM的上電反饋值與標準反饋值的比較計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率；所述標準反饋值是被指定作為比較標準的，其中一次獲取的SRAM的上電反饋值?？蛇x的，控制芯片SRAM多次上下電，具體為：在預設時長內以預設頻率控制所述芯片SRAM反復上下電，直到獲取的SRAM上電反饋值次數達到預設次數?？蛇x的，根據所述錯誤率判斷所述芯片的年齡，具體為：將所述錯誤率與預存的錯誤率與芯片年齡的對應關系比較，得出所述芯片的年齡。第二方面，本專利技術實施例公開一種芯片年齡判斷裝置，包括：上下電模塊，用于控制芯片SRAM多次上下電；獲取模塊，用于多次獲取SRAM的上電反饋值；計算模塊，用于計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率；年齡判斷模塊，用于根據所述錯誤率判斷所述芯片的年齡?？蛇x的，計算模塊，具體用于，根據所述多次獲取的SRAM的上電反饋值與標準反饋值的比較計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率；所述標準反饋值是被指定作為比較標準的，其中一次獲取的SRAM的上電反饋值?？蛇x的，上下電模塊，具體用于，在預設時長內以預設頻率控制所述芯片SRAM反復上下電，直到獲取的SRAM上電反饋值次數達到預設次數?？蛇x的，年齡判斷模塊，具體用于，將所述錯誤率與預存的錯誤率與芯片年齡的對應關系比較，得出所述芯片的年齡。第三方面，本專利技術實施例還公開一種芯片，芯片為數字芯片，包括達成所述芯片功能的功能集成電路，以及如權利要求5-8中任一項所述的芯片年齡判斷裝置；所述芯片年齡判斷裝置以片上運行的方式判斷所述芯片年齡。第四方面，本專利技術實施例還公開一種終端，包括芯片，以及如權利要求5-8中任一項所述的芯片年齡判斷裝置。本專利技術實施例，通過控制芯片SRAM多次上下電；多次獲取SRAM的上電反饋值；計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率；根據所述錯誤率判斷所述芯片的年齡。通過實施本專利技術實施例，可以準確的判斷芯片年齡。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本專利技術實施例提供的一種芯片年齡判斷方法的流程圖；圖2為本專利技術實施例提供的一種芯片年齡判斷裝置示意圖；圖3為本專利技術實施例提供的芯片示意圖；圖4為本專利技術實施例提供的終端示意圖。具體實施方式為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦＠夹g中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。本專利技術實施例描述中的芯片為數字芯片，具有靜態隨機存儲器(SRAM)。芯片本身功能不做限制。下面將結合附圖以具體實施例做進一步的解釋說明，實施例并不構成對本專利技術的限定。圖1為本專利技術實施例提供的一種芯片年齡的判斷方法的流程圖；該實施例包括：S101、控制芯片SRAM多次上下電；S102、多次獲取SRAM的上電反饋值；每次對SRAM上電會產生一個上電反饋值，通過對芯片SRAM多次上下電來多次獲取SRAM的上電反饋值，直到獲取的上電反饋值次數達到滿足數據分析次數的要求?？蛇x的，控制芯片SRAM多次上下電，具體的做法為在預設時長內以預設頻率控制芯片SRAM反復上下電，直到上電次數達到預設次數；當然，也可以是直到獲取SRAM上電反饋值的次數達到預設次數，即滿足數據分析次數的要求(例如100次)。以避免在某些可能的情況下，僅統計上電次數，導致其中某些次上電的初始值沒能被獲取的情況。S103、計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率；根據所述多次獲取的SRAM的上電反饋值與標準反饋值的比較，計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率；標準反饋值是被指定作為比較標準的，其中一次獲取的SRAM的上電反饋值。比如，標準反饋值可以為此次檢測過程中，多次獲取SRAM上電反饋值中的第一次獲取到的SRAM的上電反饋值，也可以是其他任一次獲取到的SRAM的上電反饋值，當多次獲取到的SRAM上電反饋值與該值比較，出現偏差，即可體現出整體的錯誤率，該錯誤率表現了SRAM上電反饋值的偏差程度。需要說明的是，隨著芯片使用年齡的增加，芯片的老化，導致錯誤率逐漸增大。計算該錯誤率，對判斷芯片的年齡至關重要。S104、根據所述錯誤率判斷所述芯片的年齡；SRAM的上電反饋值本身對芯片使用年齡敏感。使用年齡的變化會導致SRAM的上電反饋值發生變化，體現為上電反饋值的錯誤率。比如芯片使用一年，其SRAM的上電反饋值錯誤率為3％，但是使用了一年半的芯片，其SRAM的上電反饋值錯誤率會超過4％。將S103中得到的錯誤率與預存的錯誤率與芯片年齡的對應關系比較，得出所述芯片的年齡。需要說明的是，本專利技術實施例中的芯片年齡并非僅指芯片已用的年數，而是泛指芯片的已用時長。根據芯片工作環境的不同，可以得出幾月甚至幾日的的判斷。比如，在高溫環境下工作的芯片，芯片老化更快，SRAM的上電反饋值錯誤率會更高，從而可得出更短時間單位的計算結果。本專利技術實施例通過芯片SRAM上電反饋值的錯誤率來判斷芯片年齡，相較于現有技術中通過芯片外表判斷的方式，準確度高；相對于現有技術中通過物理侵入芯片判斷內部結構是否老化的方式，也節省了成本，并提升了效率。由于SRAM是數字芯片中普遍存在的元件，本專利技術實施例提供的方案通用性也強。圖3為本專利技術實施例提供的芯片年齡判斷裝置的示意圖；芯片年齡判斷裝置20包括：上下電模塊201，用于控制芯片SRAM多次上下電；具體的，上下電的方式為，在預設時長內以預設頻率控制芯片SRAM反復上下電，直到獲取的SRAM上電反饋值次數達到預設次數。獲取模塊202，用于多次獲取SRAM的上電反饋值；計算模塊203，用于計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率；具體的，根據多次獲取的SRAM的上電反饋值與標準反饋值得比較，來計算所述多次獲取本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種芯片年齡的判斷方法，其特征在于，包括：控制芯片SRAM多次上下電；多次獲取SRAM的上電反饋值；計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率；根據所述錯誤率判斷所述芯片的年齡。

【技術特征摘要】
1.一種芯片年齡的判斷方法，其特征在于，包括：控制芯片SRAM多次上下電；多次獲取SRAM的上電反饋值；計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率；根據所述錯誤率判斷所述芯片的年齡。2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率，具體為：根據所述多次獲取的SRAM的上電反饋值與標準反饋值的比較計算所述多次獲取的SRAM的上電反饋值的錯誤率；所述標準反饋值是被指定作為比較標準的，其中一次獲取的SRAM的上電反饋值。3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制芯片SRAM多次上下電，具體為：在預設時長內以預設頻率控制所述芯片SRAM反復上下電，直到獲取的SRAM的上電反饋值次數達到預設次數。4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述錯誤率判斷所述芯片的年齡，具體為：將所述錯誤率與預存的錯誤率與芯片年齡的對應關系比較，得出所述芯片的年齡。5.一種芯片年齡判斷裝置，其特征在于，包括：上下電模塊，用于控制芯片SRAM多次上下電；獲取模塊，用于多次獲取SRAM的上電反饋值；計算...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周煜梁，
申請(專利權)人：深圳市紐創信安科技開發有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東,44