【技術實現(xiàn)步驟摘要】
一種封裝結構
本技術涉及一種封裝結構，屬于半導體封裝
技術介紹
低電壓、大電流的產品，為了提供芯片與基板之間的電性連接是通過一個個獨立的金屬凸塊來實現(xiàn)的，并且兩個電極的凸塊數(shù)量非常多(如圖1～圖3所示)。芯片上的焊墊都是通過凸塊供電，但是這種設計會造成中間區(qū)域的阻抗較大，導致此區(qū)域的電壓減小。隨著電子技術的發(fā)展，客戶對電子產品的要求越來越高。在一些低電壓、高電流產品中，為保證芯片的電壓，需要采用三層以上基板來實現(xiàn)。
技術實現(xiàn)思路
本技術所要解決的技術問題是針對上述現(xiàn)有技術提供一種封裝結構，它將芯片正面的部分電源焊墊或接地焊墊串聯(lián)起來，形成長條狀的凸塊結構，可以減小封裝電阻。本技術解決上述問題所采用的技術方案為：一種封裝結構，它包括基板，所述基板上設置有金屬線路層，所述金屬線路層上設置有芯片，所述芯片正面有多個接地焊墊和電源焊墊，部分接地焊墊上的凸塊串聯(lián)起來形成接地端凸塊，部分電源焊墊上的凸塊串聯(lián)起來形成電源端凸塊，所述芯片通過接地端凸塊和電源端凸塊與金屬線路層相連接，所述接地端凸塊和電源端凸塊之間填充有絕緣材料。所述接地端凸塊或電源端凸塊的形狀為長條狀。與現(xiàn)有技術相比，本技術的優(yōu)點在于：1、部分電源端凸塊或部分接地端凸塊串聯(lián)起來形成長條狀的凸塊結構，可以讓絕緣材料填充至芯片與基板之間，保證整體封裝結構的可靠性；2、芯片通過長條狀的凸塊結構電性連接至基板，芯片焊墊到基板的壓降減少，可以減小封裝電阻，同時連接芯片與基板的凸塊面積增大，封裝散熱增強，芯片工作溫度低，芯片工作更穩(wěn)定，同時可以減少外加散熱設備的成本；3、部分電源端凸塊或部分接地端凸塊串聯(lián)起來形成長...
【技術保護點】
1.一種封裝結構，其特征在于：它包括基板(1)，所述基板(1)上設置有金屬線路層(2)，所述金屬線路層(2)上設置有芯片(3)，所述芯片(3)正面有多個接地焊墊(6)和電源焊墊(7)，部分接地焊墊(6)上的凸塊串聯(lián)起來形成接地端凸塊(4)，部分電源焊墊(7)上的凸塊串聯(lián)起來形成電源端凸塊(5)，所述芯片(3)通過接地端凸塊(4)電源端凸塊(5)和與金屬線路層(2)相連接，所述接地端凸塊(4)電源端凸塊(5)之間填充有絕緣材料(8)。
【技術特征摘要】
1.一種封裝結構，其特征在于：它包括基板(1)，所述基板(1)上設置有金屬線路層(2)，所述金屬線路層(2)上設置有芯片(3)，所述芯片(3)正面有多個接地焊墊(6)和電源焊墊(7)，部分接地焊墊(6)上的凸塊串聯(lián)起來形成接地端凸塊(4)，部分電源焊墊(7)上的凸塊串聯(lián)...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：張江華，梁新夫，沈錦新，周海峰，吳昊平，周青云，
申請(專利權)人：江蘇長電科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇,32
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