封裝結構及其形成方法技術

本公開的實施例提供一種封裝結構，包括：第一重布線結構，包括第一介電層及設置于第一介電層中的第一重布線電路；第二重布線結構，包括第一部分及第二部分，其中第一部分設置于第一重布線結構上并電性連接第一重布線結構，且第二部分設置于第一部分上并電性連接第一部分，其中第二部分的電路密度小于第一部分的電路密度；其中第一部分包括：第二介電層、及設置于第二介電層中的第二重布線電路；第二部分包括：第三介電層、設置于第三介電層中的第三重布線電路、及設置于第三介電層中的加強層，其中加強層與第三重布線電路之間被第三介電層隔開。本公開的實施例亦提供一種封裝結構的形成方法。

【技術實現步驟摘要】
封裝結構及其形成方法
本專利技術涉及一種封裝結構及其形成方法。
技術介紹
隨著電子產業的蓬勃發展，電子產品也邁向多功能及高性能的趨勢。目前半導體封裝結構已開發出不同的封裝形態，為了滿足半導體封裝件高整合度及微型化的封裝需求，封裝基板也由雙層電路板演變成多層電路板，以于有限的空間中運用層間連接技術擴大封裝基板上可供利用的布線面積，并能配合高線路密度的集成電路的使用需求，且降低封裝基板的厚度，以達到封裝結構輕薄短小及提高電性功能的目的。在現有技術中，使用傳統機鉆式逐次壓合法(drilledsequentiallamination)將分別完成的重布線結構進行壓合，由于該方法需通過中介層使重布線結構彼此結合，導致整體厚度無法輕薄化及制造成本高等問題。再者，為了因應微小化及高密度化的趨勢，目前已發展出無核心(coreless)封裝基板，然而，由于無核心基板厚度變小，故無法提供足夠的支撐性，以達到平坦化的要求，特別是在高溫植球時，超薄化的基板受熱而造成翹曲變形的情形更加嚴重，對后段的封裝制程帶來不良的影響。因此，目前亟需一種新的封裝結構及其形成方法，使封裝結構能夠達到高密度化及輕薄化，并能夠加強無核心基板的支撐性以降低基板翹曲的發生，進而增進后段封裝制程的品質。
技術實現思路
根據一些實施例，本專利技術提供一種封裝結構，包括：第一重布線結構，包括第一介電層，及設置于第一介電層中的第一重布線電路；第二重布線結構，包括第一部分以及第二部分，其中第一部分設置于第一重布線結構上并電性連接第一重布線結構，且第二部分設置于第一部分上并電性連接第一部分，其中第二部分的電路密度小于第一部分的電路密度；第一部分包括：第二介電層，及設置于第二介電層中的第二重布線電路；第二部分包括：第三介電層、設置于第三介電層中的第三重布線電路、及設置于第三介電層中的加強層，其中加強層與第三重布線電路之間被第三介電層隔開。根據一些實施例，本專利技術提供一種封裝結構，包括：第一重布線結構，包括：第一介電層，及設置于該第一介電層中的第一重布線電路；第二重布線結構，包括第一部分、第二部分及第三部分，其中第一部分設置于第一重布線結構上并電性連接第一重布線結構，第二部分設置于第一部分上并電性連接第一部分，且第三部分設置于第一重布線結構的側壁上，其中第二部分的電路密度小于第一部分的電路密度；其中第一部分包括：第二介電層，及設置于第二介電層中的第二重布線電路；第二部分包括：第三介電層、設置于第三介電層中的第三重布線電路、及設置于第三介電層中的加強層，其中加強層與第三重布線電路之間被第三介電層隔開。根據一些實施例，本專利技術提供一種封裝結構的形成方法，包括：形成第一重布線結構，包括：形成第一介電層，及形成第一重布線電路于第一介電層之中；形成第二重布線結構的第一部分于第一重布線結構上，包括：形成第二介電層，及形成第二重布線電路于第二介電層中；形成第二重布線結構的第二部分于第一部分上，其中第二部分的電路密度小于第一部分的電路密度，包括：形成第三介電層，形成第三重布線電路于該第三介電層中；及形成加強層于第三介電層中，其中加強層與第三重布線電路之間被第三介電層隔開。附圖說明以下將配合說明書附圖詳述本公開的實施例，應注意的是，依照工業上的標準實施，以下圖示并未按照比例繪制，事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸以便清楚表現出本公開的特征。而在說明書及附圖中，除了特別說明外，同樣或類似的元件將以類似的符號表示。圖1A至圖1H顯示根據本專利技術一些實施例，封裝結構于不同制程階段的剖面圖。圖2是根據本專利技術另一些實施例，封裝結構的剖面圖。附圖標記說明：100封裝結構200封裝結構10第一重布線結構12重布線電路14介電層15載板20第二重布線結構20a第一部分20b第二部分20c第三部分22重布線電路24介電層26重布線電路27重布線電路27a墊層27b導孔28a介電層28b介電層28介電層30加強層30a加強件30b加強件32干膜34開口36開口38防焊層具體實施方式以下公開許多不同的實施方法或是例子來實行本專利技術的不同特征，以下描述具體的元件及其排列的例子以闡述本專利技術。當然這些僅是例子且不該以此限定本專利技術的范圍。此外，在不同實施例中可能使用重復的標號或標示，這些重復僅為了簡單清楚地敘述本公開，不代表所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關系。為簡化及清楚起見，各種特征可任意繪制成不同尺寸。此外，其中可能用到與空間相關的用詞，像是“在……下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”及類似的用詞，這些關系詞是為了便于描述圖示中一個(些)元件或特征與另一個(些)元件或特征之間的關是。這些空間關系詞包括使用中或操作中的裝置的不同方位，以及圖示中所描述的方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則其中使用的空間相關形容詞也可相同地照著解釋。本專利技術實施例提供一種封裝結構及其形成方法，通過直接增層的方式使重布線結構彼此結合，并于重布線結構密度較小的區域設置加強層，以使封裝結構高密度化及輕薄化，并提高無核心基板的支撐性及平整性，進而增進后段封裝制程的品質。圖1A至圖1H是根據本專利技術一些實施例，封裝結構100于不同制程階段的的剖面圖。請先參照圖1H，封裝結構100包括第一重布線結構10及第二重布線結構20。第一重布線結構10包括重布線電路12及介電層14。第二重布線結構20包括第一部分20a及第二部分20b。第一部分20a包括重布線電路22及介電層24；第二部分20b包括重布線電路26、27、介電層28、加強層30及防焊層38。以下將詳細描述形成封裝結構100的步驟。首先，請參照圖1A，提供第一重布線結構10，并將其設置于載板15上。第一重布線結構10包括介電層14以及設置于介電層14中的重布線電路12。在一些實施例中，第一重布線結構10可為無核心基板；重布線電路12可為單層或多層，且其材料可包括鎳、金、錫、鉛、銅、鋁、銀、鉻、鎢、上述的組合或上述的合金。重布線電路12的形成方法可包括影像轉移制程、激光制程、沉積制程、電鍍制程、壓合制程、涂布制程或上述的組合。在一些實施例中，介電層14的材料可包括環氧樹脂(epoxyresin)、雙馬來酰亞胺-三氮雜苯(bismaleimietriacine,BT)、聚酰亞胺(polyimide,PI)、增層絕緣膜(ajinomotobuild-upfilm)、聚苯醚(polyphenyleneoxide,PPO)、聚丙烯(polypropylene,PP)、聚丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、聚四氟乙烯(polytetrafluorethylene,PTFE)、上述的組合或其他合適的絕緣材料。介電層14的形成方法可包括壓合制程、涂布制程或上述的組合。請參照圖1B，于第一重布線結構10上形成介電層24并于介電層24中形成重布線電路22，且重布線電路22電性連接重布線電路12。接著，于介電層24上形成介電層28a并于介電層28a中形成重布線電路26，且重布線電路26電性連接重布線電路22。在一些實施例中，重布線電路22及26可為單層或多層，且其材料可包括鎳、金、錫、鉛、銅、鋁、銀、鉻、鎢、上述的組合或上述的合金。重布線電路本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種封裝結構，包括：一第一重布線結構，包括：一第一介電層，及一第一重布線電路，設置于該第一介電層之中；一第二重布線結構，包括一第一部分及一第二部分，其中該第一部分設置于該第一重布線結構上并電性連接該第一重布線結構，且該第二部分設置于該第一部分上并電性連接該第一部分，其中該第二部分的電路密度小于該第一部分的電路密度；其中該第一部分包括：一第二介電層，及一第二重布線電路，設置于該第二介電層之中；該第二部分包括：一第三介電層，一第三重布線電路，設置于該第三介電層之中；及一加強層，設置于該第三介電層之中，且該加強層與該第三重布線電路之間被該第三介電層隔開。

【技術特征摘要】
2018.04.19 TW 1071133341.一種封裝結構，包括：一第一重布線結構，包括：一第一介電層，及一第一重布線電路，設置于該第一介電層之中；一第二重布線結構，包括一第一部分及一第二部分，其中該第一部分設置于該第一重布線結構上并電性連接該第一重布線結構，且該第二部分設置于該第一部分上并電性連接該第一部分，其中該第二部分的電路密度小于該第一部分的電路密度；其中該第一部分包括：一第二介電層，及一第二重布線電路，設置于該第二介電層之中；該第二部分包括：一第三介電層，一第三重布線電路，設置于該第三介電層之中；及一加強層，設置于該第三介電層之中，且該加強層與該第三重布線電路之間被該第三介電層隔開。2.如權利要求1所述的封裝結構，其中該加強層的材料包括金屬、金屬合金、陶瓷基板、有機基板或上述的組合。3.如權利要求1所述的封裝結構，其中該第一重布線結構的電路密度大于該第二重布線結構的電路密度。4.如權利要求1所述的封裝結構，其中該第一重布線結構的側壁齊平于該第二重布線結構的側壁。5.如權利要求1所述的封裝結構，其中在該第一重布線結構中，越靠近該第二重布線電路的區域具有越小的電路密度。6.如權利要求1所述的封裝結構，其中該加強層與該第三重布線電路之間無電性連接。7.如權利要求1所述的封裝結構，其中該加強層包括一第一加強件及一第二加強件，且該第三重布線電路具有一導孔，位于該第一加強件與該第二加強件之間，其中該導孔具有一漸細的寬度。8.一種封裝結構，包括：一第一重布線結構，包括：一第一介電層，及一第一重布線電路，設置于該第一介電層之中；一第二重布線結構，包括一第一部分、一第二部分及一第三部分，其中該第一部分設置于該第一重布線結構上并電性連接該第一重布線...

【專利技術屬性】
技術研發人員：莊俊逸，羅國韶，何信芳，
申請(專利權)人：南亞電路板股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣,71