一種掩膜版精密再生工藝及其系統(tǒng)技術(shù)方案

本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種掩膜版精密再生工藝及其系統(tǒng)，解決了現(xiàn)有的掩膜版的一般清洗方法效率低下，對(duì)OLED掩膜版的精密再生效果不好，且無(wú)相應(yīng)的成套系統(tǒng)來(lái)完成OLED掩膜版的高效精密再生的問(wèn)題。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)包括以下步驟：采用藥液對(duì)掩膜版進(jìn)行加熱浸泡清洗，所述藥液為有機(jī)酸或有機(jī)堿；采用純水和壓縮空氣對(duì)步驟1處理后的掩膜版進(jìn)行吹淋；采用純水對(duì)步驟2處理后的掩膜版進(jìn)行漂洗；采用易溶于水且易揮發(fā)醇對(duì)步驟3漂洗后的掩膜版進(jìn)行漂洗；對(duì)步驟4處理后的掩膜版進(jìn)行干燥。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)具有對(duì)掩膜版的再生效果好，自動(dòng)化程度高，效率高等優(yōu)點(diǎn)。

A precise regeneration process and system of mask plate

The invention discloses a mask precision regeneration process and system, which solves the problems of low efficiency of the general cleaning method of the existing mask, poor precision regeneration effect of the OLED mask, and no corresponding complete set of system to complete the high efficiency and precision regeneration of the OLED mask. The invention comprises the following steps: heating, soaking and cleaning the mask plate with liquid medicine, which is organic acid or organic alkali; blowing and drenching the mask plate after treatment in step 1 with pure water and compressed air; rinsing the mask plate after treatment in step 2 with pure water; rinsing the mask plate after rinsing in step 3 with water-soluble and volatile alcohol; rinsing the mask plate after treatment in step 4 The mask plate is dried. The invention has the advantages of good regeneration effect, high automation degree and high efficiency for the mask plate.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種掩膜版精密再生工藝及其系統(tǒng)
本專(zhuān)利技術(shù)涉及掩膜版清洗
，具體涉及一種掩膜版精密再生工藝及其系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(OLED)作為顯示器的一大分支，因OLED屬于自發(fā)光，不像LCD需要借助背光，故厚度薄、可視度和亮度均高，其次是電壓需求低且省電效率高，加上響應(yīng)速度快、重量輕等特性，被視為21世紀(jì)最具有前途的產(chǎn)品之一。OLED制程中，在掩膜版(或擋板)與其基板對(duì)位的過(guò)程中，如果擋板或掩膜版開(kāi)孔處存在雜質(zhì)或異物，制作出的OLED會(huì)出現(xiàn)像素不良、破壞OLED基板等而導(dǎo)致不良。目前，小世代線使用的擋板或掩膜版(如G4.5及以下)的清潔方式主要是人工手動(dòng)清潔、半自動(dòng)清潔等模式。伴隨著高世代線的發(fā)展，高世代的擋板或掩膜版清潔，國(guó)內(nèi)暫無(wú)該線體。如果靠人工清潔，存在隨意性和不確定性，損壞風(fēng)險(xiǎn)較大。目前，在OLED用的擋板或掩膜版清洗時(shí)，常用的方法是先用氫氧化鉀(KOH)或四甲基氫氧化銨、NMP(N-甲基吡咯烷酮)溶液浸泡，然后在自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備(AOI)中檢查，檢查結(jié)果不合格時(shí)，再次投入氫氧化鉀(KOH)或四甲基氫氧化銨溶液、NMP(N-甲基吡咯烷酮)反復(fù)清洗，直至檢查結(jié)果合格，但是上述清洗方法所用物質(zhì)存在以下問(wèn)題：1、氫氧化鉀(KOH)溶液對(duì)一般的無(wú)機(jī)物清洗效果好，但因強(qiáng)堿對(duì)不銹鋼腐蝕性較大；同時(shí)，對(duì)有機(jī)物去除能力一般，故在實(shí)際使用過(guò)程，常出現(xiàn)不銹鋼OLED擋板或掩膜版腐蝕且有異物殘留，影響客戶端產(chǎn)品質(zhì)量；2、四甲基氫氧化銨溶液對(duì)有機(jī)物的溶解能力非常好，但極易吸潮，在空氣中迅速吸收二氧化碳(CO2)而完全分解氣化，成本較高；同時(shí)，屬于強(qiáng)腐蝕物品，對(duì)不銹鋼腐蝕性較大。綜上，四甲基氫氧化銨不適用于大批量使用；3、NMP(N-甲基吡咯烷酮)對(duì)有機(jī)物溶解能力非常好，但無(wú)法去除擋板或掩膜版表面的金屬沉積膜或無(wú)機(jī)金屬鹽沉積膜。由此可見(jiàn)，以上清洗方法存在效率低下，清洗效果不好，清洗質(zhì)量不可控的問(wèn)題。OLED制程中使用的擋板或掩膜版上的雜質(zhì)或異物可以通過(guò)精密再生去除，且在去除過(guò)程中需確保開(kāi)孔部位不得有雜質(zhì)或異物產(chǎn)生；與OLED基板對(duì)接的部位，不得有雜質(zhì)或異物產(chǎn)生。而現(xiàn)在的OLED掩膜版均是借鑒一般掩膜版的清洗方式，沒(méi)有很好的精密再生方法來(lái)去除雜質(zhì)或異物，也沒(méi)有成套系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)OLED掩膜版的精密再生。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專(zhuān)利技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：現(xiàn)有的掩膜版的一般清洗方法效率低下，對(duì)OLED掩膜版的精密再生效果不好，且無(wú)相應(yīng)的成套系統(tǒng)來(lái)完成OLED掩膜版的高效精密再生。本專(zhuān)利技術(shù)提供了解決上述問(wèn)題的一種掩膜版精密再生工藝及其系統(tǒng)。本專(zhuān)利技術(shù)通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：一種掩膜版精密再生工藝，包括以下步驟：步驟1：采用藥液對(duì)掩膜版進(jìn)行加熱浸泡清洗，所述藥液為有機(jī)酸或有機(jī)堿；步驟2：采用純水和壓縮空氣對(duì)步驟1處理后的掩膜版進(jìn)行吹淋；步驟3：采用純水對(duì)步驟2處理后的掩膜版進(jìn)行漂洗；步驟4：采用易溶于水且易揮發(fā)醇對(duì)步驟3漂洗后的掩膜版進(jìn)行漂洗；步驟5：對(duì)步驟4處理后的掩膜版進(jìn)行干燥。本專(zhuān)利技術(shù)根據(jù)掩膜版的具體應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行藥液的選擇，當(dāng)沉積膜為金屬時(shí)，將掩膜版采用有機(jī)酸進(jìn)行加熱浸泡清洗，沉積膜為無(wú)機(jī)金屬鹽時(shí)采用有機(jī)堿對(duì)掩膜版進(jìn)行浸泡清洗，有機(jī)酸可溶解沉積膜中金屬部分；有機(jī)堿性清洗劑可使無(wú)機(jī)金屬鹽類(lèi)沉積膜膨脹、松軟，進(jìn)而清除，在浸泡過(guò)程中進(jìn)行加熱，根據(jù)熱脹冷縮原理，掩膜版與金屬沉積部分或者溶解后的物質(zhì)，掩膜版與無(wú)機(jī)金屬鹽及沉積物的熱膨脹系數(shù)不同，會(huì)使得這類(lèi)沉積污漬更易脫落。其次，有機(jī)酸/堿性清洗劑能夠與水混溶，便于后工序使用純水清洗時(shí)將掩膜版上殘留的有機(jī)酸/堿性清洗劑洗掉；最后，有機(jī)酸/堿性清洗劑對(duì)擋板或掩膜版的腐蝕速率小，清洗后不會(huì)在擋板或掩膜版表面留下異物或臟污。進(jìn)一步地，所述有機(jī)酸性藥液為中等酸性的有機(jī)酸。進(jìn)一步地，所述有機(jī)酸為乙酰丙酮、羧酸中的一種或者幾種的混合酸。進(jìn)步一地，所述有機(jī)堿性藥液為中等堿性的有機(jī)堿。進(jìn)一步地，所述有機(jī)堿為氫氧化鉀、焦磷酸鈉、乙二胺四乙酸中的一種或幾種的混合堿。本專(zhuān)利技術(shù)優(yōu)選一種掩膜版精密再生工藝，所述步驟1的浸泡清洗為超聲加熱溢流清洗，當(dāng)有機(jī)酸對(duì)掩膜版表面金屬沉積物溶解或者無(wú)機(jī)金屬鹽沉積物在有機(jī)堿的作用下膨脹、松軟后或因?yàn)闊崦浝淇s而附著力減弱后，超聲振蕩利于表層附著物脫落，而溢流清洗利于將脫落的附著物溢流出，防止過(guò)多的附著物再次殘留在掩膜版的表面。當(dāng)藥液浸泡清洗后進(jìn)行第一次吹淋，將經(jīng)過(guò)有機(jī)酸或堿清洗后的擋板或掩膜版進(jìn)行純水和CDA進(jìn)行吹淋，一方面，可去除擋板或掩膜版表面較多的藥液，延長(zhǎng)純水的使用次數(shù)，降低成本；同時(shí)，通過(guò)一定壓力的純水、CDA對(duì)擋板或掩膜版進(jìn)行處理，降低產(chǎn)品表面及其縫隙部位的異常發(fā)生。采用易溶于水且易揮發(fā)醇對(duì)掩膜版進(jìn)行漂洗可以去除掩膜版表面殘留的水。本專(zhuān)利技術(shù)優(yōu)選一種掩膜版精密再生工藝，所述步驟2和步驟3之間還包括步驟21，所述步驟21為：采用有機(jī)堿對(duì)步驟2處理后的掩膜版進(jìn)行浸泡，所述步驟21之后還包括步驟22，所述步驟22為：采用純水和壓縮空氣對(duì)步驟21處理后的掩膜版進(jìn)行吹淋。采用有機(jī)堿對(duì)掩膜版進(jìn)行二次處理可以去除掩膜版表面的小顆粒。本專(zhuān)利技術(shù)優(yōu)選一種掩膜版精密再生工藝，所述步驟21的浸泡過(guò)程包括超聲加熱溢流清洗。本專(zhuān)利技術(shù)優(yōu)選一種掩膜版精密再生工藝，所述步驟3和步驟4之間還包括步驟31，所述步驟31為：采用壓縮空氣對(duì)步驟3處理后的掩膜版進(jìn)行吹淋。在進(jìn)入醇中進(jìn)行漂洗之前先采用CDA進(jìn)行吹淋，可以減少掩膜版表面殘留的水分，尤其是掩膜版夾縫中的水分，當(dāng)縫隙太小，醇類(lèi)進(jìn)入相對(duì)困難的地方，通過(guò)CDA吹淋可以更好地去除。進(jìn)一步地，所述步驟3的純水漂洗次數(shù)為3次，擋板或掩膜版經(jīng)過(guò)第一次純水漂洗后，已基本去除表面的藥液及顆粒，再進(jìn)行兩次漂洗，可以保證掩膜版表面的清潔度。本專(zhuān)利技術(shù)優(yōu)選一種掩膜版精密再生工藝，所述步驟4的醇為異丙醇，異丙醇可與水混同，且揮發(fā)性好，便于掩膜版最終的干燥。本專(zhuān)利技術(shù)優(yōu)選一種掩膜版精密再生工藝，所述步驟1之前還包括：對(duì)掩膜版進(jìn)行異常部位外觀檢查，所述步驟5之后還包括：對(duì)掩膜版進(jìn)行外觀檢查和光學(xué)檢測(cè)。掩膜版精密再生系統(tǒng)，用于實(shí)施掩膜版精密再生工藝，所述系統(tǒng)包括檢測(cè)組件、藥液浸泡裝置、吹淋裝置、純水漂洗裝置、醇漂洗裝置和烘干裝置。進(jìn)一步地，所述系統(tǒng)包括依次設(shè)置的第一檢測(cè)組件、藥液浸泡裝置、第一吹淋裝置、第二藥液浸泡槽、第二吹淋裝置、純水漂洗裝置、第三吹淋裝置、醇漂洗裝置、第四吹淋裝置、烘干裝置以及第二檢測(cè)組件，所述吹淋裝置包括空槽和吹淋組件。本專(zhuān)利技術(shù)優(yōu)選掩膜版精密再生系統(tǒng)，所述吹淋裝置包括多個(gè)噴嘴，所述噴嘴在所述空槽內(nèi)沿平行于產(chǎn)品方向布置。進(jìn)一步地，所述第一檢測(cè)組件包括表觀檢測(cè)設(shè)備，所述第二檢測(cè)組件包括表觀檢測(cè)設(shè)備和自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備。本專(zhuān)利技術(shù)具有如下的有益效果：1、本專(zhuān)利技術(shù)通過(guò)有機(jī)酸或有機(jī)堿對(duì)掩膜版進(jìn)行加熱浸泡清洗，并配合超聲器，利用熱脹冷縮原理和超聲振蕩原理，清洗掩本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種掩膜版精密再生工藝，其特征在于，包括以下步驟：/n步驟1：采用有機(jī)酸或有機(jī)堿對(duì)掩膜版進(jìn)行加熱浸泡清洗；/n步驟2：采用純水和壓縮空氣對(duì)步驟1處理后的掩膜版進(jìn)行吹淋；/n步驟3：采用純水對(duì)步驟2處理后的掩膜版進(jìn)行漂洗；/n步驟4：采用易溶于水且易揮發(fā)醇對(duì)步驟3漂洗后的掩膜版進(jìn)行漂洗；/n步驟5：對(duì)步驟4處理后的掩膜版進(jìn)行干燥。/n

【技術(shù)特征摘要】
1.一種掩膜版精密再生工藝，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：采用有機(jī)酸或有機(jī)堿對(duì)掩膜版進(jìn)行加熱浸泡清洗；
步驟2：采用純水和壓縮空氣對(duì)步驟1處理后的掩膜版進(jìn)行吹淋；
步驟3：采用純水對(duì)步驟2處理后的掩膜版進(jìn)行漂洗；
步驟4：采用易溶于水且易揮發(fā)醇對(duì)步驟3漂洗后的掩膜版進(jìn)行漂洗；
步驟5：對(duì)步驟4處理后的掩膜版進(jìn)行干燥。


2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掩膜版精密再生工藝，其特征在于，所述步驟1的浸泡清洗為超聲加熱溢流清洗。


3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種掩膜版精密再生工藝，其特征在于，所述步驟2和步驟3之間還包括步驟21，所述步驟21為：采用有機(jī)堿對(duì)步驟2處理后的掩膜版進(jìn)行浸泡，所述步驟21之后還包括步驟22，所述步驟22為：采用純水和壓縮空氣對(duì)步驟21處理后的掩膜版進(jìn)行吹淋。


4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種掩膜版精密再生工藝，其特征在于，所述步驟21的浸泡過(guò)程包括超聲加熱溢流清洗。


5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或4任一項(xiàng)所述的一種掩膜版精密再生工藝，其特征在于，所述步驟3和步驟4之間還包括步驟3...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王照忠，王宏宇，羅雪春，胡家銘，萬(wàn)長(zhǎng)明，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：成都拓維高科光電科技有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：四川;51