晶片工藝用垂直反應(yīng)器制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開(kāi)了改善隔熱區(qū)域的隔熱結(jié)構(gòu)及吹掃結(jié)構(gòu)以不影響晶舟區(qū)域的晶片工藝用垂直反應(yīng)器，所述垂直反應(yīng)器包括：內(nèi)管，內(nèi)部空間由上部晶舟區(qū)域與下部隔熱區(qū)域區(qū)分，所述上部晶舟區(qū)域配置有用于晶片工藝的晶舟，所述下部隔熱區(qū)域用于隔熱，并且在所述隔熱區(qū)域形成有排氣口；隔熱芯體，垂直形成在所述隔熱區(qū)域中平面狀中央；隔熱組件，形成有插入所述隔熱芯體的垂直的中空，并且具有在所述隔熱區(qū)域中上下間隔的多個(gè)隔熱件；其中，流入所述隔熱區(qū)域的吹掃氣體經(jīng)過(guò)間隔所述多個(gè)隔熱件的排氣空間，并繞過(guò)所述隔熱芯體，引導(dǎo)至所述內(nèi)管的所述排氣口。

Vertical reactor for wafer process

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
晶片工藝用垂直反應(yīng)器
本專利技術(shù)涉及反應(yīng)器，更詳細(xì)地說(shuō)涉及改善隔熱區(qū)域的隔熱結(jié)構(gòu)及吹掃結(jié)構(gòu)以不影響晶舟區(qū)域的晶片工藝用垂直反應(yīng)器。
技術(shù)介紹
半導(dǎo)體工藝可理解為執(zhí)行制造晶片的半導(dǎo)體制造工藝。例如，可利用反應(yīng)器(Reactor)，該反應(yīng)器利用晶舟，以進(jìn)行晶片的熱處理。反應(yīng)器對(duì)投放的晶片執(zhí)行熱處理工藝，晶舟是用于為了以預(yù)定數(shù)量為單位(例如，180片)裝載(Charge)用于熱處理的晶片投放到反應(yīng)器內(nèi)部，或者為了卸載(Discharge)已熱處理的晶片而向反應(yīng)器外部排出晶片。所述反應(yīng)器具有加熱器外殼、外管(OuterTube)、內(nèi)管(InnerTube)。內(nèi)管可分為上部的晶舟區(qū)域與下部的隔熱區(qū)域。晶舟區(qū)域是裝載晶舟并且對(duì)裝在晶舟的晶片進(jìn)行熱處理的區(qū)域，而隔熱區(qū)域是具有隔熱結(jié)構(gòu)以在晶片工藝中與外部隔絕保持高溫的晶舟區(qū)域的區(qū)域。晶片工藝中，向內(nèi)管上部的晶舟區(qū)域供應(yīng)反應(yīng)氣體，向內(nèi)管下部的隔熱區(qū)域供應(yīng)吹掃氣體。為了晶片工藝，晶舟區(qū)域可保持高溫與低壓環(huán)境。通常情況下，在工藝中吹掃氣體在隔熱區(qū)域經(jīng)過(guò)放置有晶片的晶舟區(qū)域的下部，從內(nèi)管向外管排放。通過(guò)所述的現(xiàn)有的工藝環(huán)境，針對(duì)裝載于晶舟下部的晶片的工藝環(huán)境受到吹掃氣體的影響。因此，位于遠(yuǎn)離隔熱區(qū)域的位置的晶片與接近隔熱區(qū)域的位置的晶片被暴露在其他工藝環(huán)境下。所述的工藝環(huán)境的差異在保持工藝穩(wěn)定性時(shí)起到障礙作用，并且起到降低生產(chǎn)力的作用。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
(要解決的問(wèn)題)本專利技術(shù)的目的在于，提供如下的晶片工藝用垂直反應(yīng)器：在內(nèi)管的內(nèi)部空間中吹掃氣體不影響晶舟區(qū)域的晶片的同時(shí)通過(guò)獨(dú)立的排氣空間排放，進(jìn)而可保持穩(wěn)定的工藝環(huán)境。另外，本專利技術(shù)的另一目的在于，提供如下的晶片工藝用垂直反應(yīng)器：具有隔熱結(jié)構(gòu)與吹掃結(jié)構(gòu)，所述隔熱結(jié)構(gòu)具有隔熱芯體與隔熱組件，所述隔熱芯體向晶舟傳遞旋轉(zhuǎn)力，所述隔熱組件插入有隔熱芯體并且提供排氣空間，所述吹掃結(jié)構(gòu)是吹掃氣體經(jīng)過(guò)排氣空間并繞過(guò)隔熱芯體。另外，本專利技術(shù)的其他一目的在于，提前如下的晶片工藝用垂直反應(yīng)器：利用上下間隔的隔熱件或者外側(cè)面具有環(huán)形水平通道的隔熱提供隔熱區(qū)域的排氣空間，進(jìn)而不影響晶舟區(qū)域的晶片的同時(shí)可排放吹掃氣體。另外，本專利技術(shù)的其他一目的在于，提供如下的晶片工藝用垂直反應(yīng)器：具有隔熱結(jié)構(gòu)與吹掃結(jié)構(gòu)，所述隔熱結(jié)構(gòu)具有隔熱芯體與隔熱組件，所述隔熱芯體向晶舟傳遞旋轉(zhuǎn)力，隔熱組件插入有隔熱芯體并且提供排氣空間，所述吹掃結(jié)構(gòu)是吹掃氣體經(jīng)過(guò)排氣空間并繞過(guò)隔熱件。另外，本專利技術(shù)的其他一目的在于，提供如下的晶片工藝用垂直反應(yīng)器：通過(guò)結(jié)合驅(qū)動(dòng)軸的凸緣中央的吹掃氣體入口與凸緣邊部的吹掃氣體噴嘴在相互分離的位置供應(yīng)吹掃氣體，進(jìn)而改善吹掃效率。(解決問(wèn)題的手段)本專利技術(shù)的晶片工藝用垂直反應(yīng)器包括：內(nèi)管，內(nèi)部空間由上部晶舟區(qū)域與下部隔熱區(qū)域區(qū)分，所述上部晶舟區(qū)域配置有用于晶片工藝的晶舟，所述下部隔熱區(qū)域用于隔熱，并且在所述隔熱區(qū)域形成有排氣口；隔熱芯體，垂直形成在所述隔熱區(qū)域中平面狀中央；隔熱組件，形成有插入所述隔熱芯體的垂直的中空，并且具有在所述隔熱區(qū)域中上下間隔的多個(gè)隔熱件；其中，流入所述隔熱區(qū)域的吹掃氣體經(jīng)過(guò)間隔所述多個(gè)隔熱件的排氣空間，并繞過(guò)所述隔熱芯體，引導(dǎo)至所述內(nèi)管的所述排氣口。另外，本專利技術(shù)的晶片工藝用垂直反應(yīng)器包括：內(nèi)管，內(nèi)部空間由上部晶舟區(qū)域與下部隔熱區(qū)域區(qū)分，所述上部晶舟區(qū)域配置有用于晶片工藝的晶舟，所述下部隔熱區(qū)域用于隔熱，并且在所述隔熱區(qū)域形成有排氣口；隔熱芯體，垂直形成在在所述隔熱區(qū)域中平面狀中央；隔熱組件，形成有插入所述隔熱芯體的垂直的中空，并且外側(cè)面具有由環(huán)形的水平通道形成的排氣空間；其中，流入所述隔熱區(qū)域的吹掃氣體經(jīng)過(guò)所述排氣空間，并繞過(guò)所述隔熱件，引導(dǎo)至所述內(nèi)管的所述排氣口。(專利技術(shù)的效果)本專利技術(shù)改善隔熱結(jié)構(gòu)，進(jìn)而在內(nèi)管中另外設(shè)置排放隔熱區(qū)域的吹掃氣壓的排氣空間，并且通過(guò)排氣空間排放隔熱區(qū)域的吹掃氣體，進(jìn)而可防止吹掃氣體影響晶舟區(qū)域的晶片的工藝環(huán)境。因此，本專利技術(shù)可具有通過(guò)改善的隔熱結(jié)構(gòu)與吹掃結(jié)構(gòu)晶片工藝用垂直反應(yīng)器可穩(wěn)定地保持用于工藝的環(huán)境的效果。附圖說(shuō)明圖1是本專利技術(shù)的垂直反應(yīng)器的立體圖。圖2是圖1的A-A部分剖面圖。圖3是除去加熱器外殼的圖2的部分?jǐn)U大圖。圖4是圖3的B-B部分剖面圖。圖5是用于本專利技術(shù)的另一實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于圖3的部分?jǐn)U大圖。圖6是圖5的C-C部分剖面圖。具體實(shí)施方式以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本專利技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例。在本說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求范圍內(nèi)使用的用語(yǔ)不得被解釋為常規(guī)或者詞典上的意思，而是應(yīng)該用符合本專利技術(shù)的技術(shù)思想的意思與概念解釋。在本說(shuō)明書(shū)記載的實(shí)施例與在附圖示出的結(jié)構(gòu)是本專利技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例，并不代表本專利技術(shù)的全部的技術(shù)思想，因此在本申請(qǐng)的申請(qǐng)時(shí)間點(diǎn)可以有可代替的各種同等物與變形例。如圖1，舉例示出由本專利技術(shù)實(shí)施的垂直反應(yīng)器100。圖1是示出垂直反應(yīng)器100的外觀的立體圖，可確認(rèn)到上部的加熱器外殼10、下部的歧管12以及凸緣14。在圖1示例的加熱器外殼10內(nèi)部結(jié)構(gòu)可通過(guò)圖2以及圖3理解。參照?qǐng)D2以及圖3，加熱器外殼10內(nèi)部具有圓筒形空間，并且在內(nèi)壁配置有加熱器11。在加熱器外殼10的圓筒形空間容納外管20。外管20下部外側(cè)面構(gòu)成有排氣管22,。排氣管22提供向外部排放外管20內(nèi)部的氣體的通道，并且連接有用于排氣的泵(未示出)，進(jìn)而可接收抽吸力。加熱器外殼10的加熱器11在加熱器外殼10的內(nèi)壁形成至形成有排氣管22的上部。在外管20的內(nèi)部形成內(nèi)管30，外管20與內(nèi)管30通過(guò)歧管12與下部的凸緣14結(jié)合。在本專利技術(shù)的實(shí)施例中，內(nèi)管30的內(nèi)部空間區(qū)分為上部的晶舟區(qū)域與隔熱區(qū)域，該晶舟區(qū)域配置有用于晶片工藝的晶舟50，該隔熱區(qū)域用于隔熱。歧管12形成在凸緣14的上部，并且設(shè)置有用于向內(nèi)管30供應(yīng)反應(yīng)氣體的排管12a。排管12a延伸至內(nèi)管30的上部，進(jìn)而可使凸緣14中心形成有吹掃氣體入口，在邊部可形成吹掃氣體噴嘴14a。吹掃氣體入口可理解為插入后述的驅(qū)動(dòng)軸42的空間。反應(yīng)氣體供應(yīng)于內(nèi)管30的晶舟區(qū)域。凸緣14中心形成有吹掃氣體入口，在邊部可形成吹掃氣體噴嘴14a。吹掃氣體入口可理解為插入后述的驅(qū)動(dòng)軸42的空間。驅(qū)動(dòng)部40的驅(qū)動(dòng)軸42通過(guò)吹掃氣體入口從下部貫通至上部。凸緣14的吹掃氣體入口用具有吹掃氣體流入空間的磁密封(MagneticSealing)結(jié)構(gòu)結(jié)合，吹掃氣體通過(guò)吹掃氣體流入空間供應(yīng)到內(nèi)管30的隔熱區(qū)域的下部中心。然后，凸緣14邊部的吹掃氣體噴嘴14a從下部向上部貫通凸緣14，以向內(nèi)管30內(nèi)側(cè)的隔熱熱區(qū)域的下部邊部供應(yīng)吹掃氣體。晶舟50具有垂直并排排列的多個(gè)狹縫的結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)狹縫用于水平裝載晶片，為了晶片工藝，晶舟50配置在內(nèi)管30的上部的晶舟區(qū)域。然后，配置有內(nèi)管30的晶舟50的下部可理解為隔熱區(qū)域，并且由隔熱芯體60與隔熱組件構(gòu)成。隔本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種晶片工藝用垂直反應(yīng)器，包括：/n內(nèi)管，內(nèi)部空間由上部晶舟區(qū)域與下部隔熱區(qū)域區(qū)分，所述上部晶舟區(qū)域配置有用于晶片工藝的晶舟，所述下部隔熱區(qū)域用于隔熱，并且在所述隔熱區(qū)域形成有排氣口；/n隔熱芯體，垂直形成在所述隔熱區(qū)域中平面狀中央；/n隔熱組件，形成有插入所述隔熱芯體的垂直的中空，并且具有在所述隔熱區(qū)域中上下間隔的多個(gè)隔熱件；/n其中，流入所述隔熱區(qū)域的吹掃氣體經(jīng)過(guò)間隔所述多個(gè)隔熱件的排氣空間，并繞過(guò)所述隔熱芯體，引導(dǎo)至所述內(nèi)管的所述排氣口。/n

【技術(shù)特征摘要】
20180726 KR 10-2018-00869191.一種晶片工藝用垂直反應(yīng)器，包括：
內(nèi)管，內(nèi)部空間由上部晶舟區(qū)域與下部隔熱區(qū)域區(qū)分，所述上部晶舟區(qū)域配置有用于晶片工藝的晶舟，所述下部隔熱區(qū)域用于隔熱，并且在所述隔熱區(qū)域形成有排氣口；
隔熱芯體，垂直形成在所述隔熱區(qū)域中平面狀中央；
隔熱組件，形成有插入所述隔熱芯體的垂直的中空，并且具有在所述隔熱區(qū)域中上下間隔的多個(gè)隔熱件；
其中，流入所述隔熱區(qū)域的吹掃氣體經(jīng)過(guò)間隔所述多個(gè)隔熱件的排氣空間，并繞過(guò)所述隔熱芯體，引導(dǎo)至所述內(nèi)管的所述排氣口。


2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片工藝用垂直反應(yīng)器，其特征在于，
在所述隔熱芯體及所述隔熱組件的下部還構(gòu)成有凸緣；
所述凸緣平面狀中央形成有吹掃氣體入口，在邊部構(gòu)成有吹掃氣體噴嘴，將通過(guò)所述吹掃氣體入口與所述吹掃氣體噴嘴從中央與邊部流入的所述吹掃氣體供應(yīng)至所述隔熱區(qū)域的下部。


3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片工藝用垂直反應(yīng)器，其特征在于，
驅(qū)動(dòng)軸貫通所述吹掃氣體入口與所述隔熱芯體軸連接，將旋轉(zhuǎn)力傳達(dá)于所述隔熱芯體，并且用具有吹掃氣體流入空間的磁密封結(jié)構(gòu)與所述吹掃氣體入口結(jié)合；
所述吹掃氣體通過(guò)所述吹掃氣體流入空間及所述吹掃氣體噴嘴供應(yīng)到所述隔熱區(qū)域的下部。


4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片工藝用垂直反應(yīng)器，其特征在于，
所述隔熱組件具有：
第一隔熱件，形成有垂直的第一中空，并且設(shè)置在所述隔熱區(qū)域的上部，在所述第一中空插入所述隔熱芯體的上部；以及
第二隔熱件，形成有垂直的第二中空，并且設(shè)置在所述隔熱區(qū)域的下部，以與第一隔熱件間隔形成所述排氣空間，在所述第二中空插入所述隔熱芯體的下部。


5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片工藝用垂直反應(yīng)器，其特征在于，還具有：
支撐部，介入于所述排氣空間，以所述隔熱芯體為中心間隔相同的距離與相同的角度，并且具有預(yù)定的高度；
所述隔熱組件由單一模塊構(gòu)成，所述模塊是由所述第一隔熱件與所述支撐部及所述第二隔熱件構(gòu)成一體而形成的。


6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片工藝用垂直反應(yīng)器，其特征在于，
在所述隔熱芯體以及所述第二隔熱件的下部還構(gòu)成有凸緣；
所述凸緣平面狀中央形成有吹掃氣體入口，在邊部形成有吹掃氣體噴嘴；
通過(guò)所述吹掃氣體噴嘴流入所述隔熱區(qū)域下部的第一吹掃氣體通過(guò)所述第二隔熱件的外側(cè)面與所述內(nèi)管的內(nèi)側(cè)之間的第一間隔空間引導(dǎo)至所述排氣空間；
通過(guò)所述吹掃氣體入口流入所述隔熱區(qū)域的下部的第二吹掃氣體通過(guò)所述第二隔熱件的所述第二中空的側(cè)面與所述隔熱芯體的側(cè)面之間的第二間隔空間引導(dǎo)至所...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金岐俊，許官善，徐泰旭，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：圓益IPS股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：韓國(guó);KR