TFT陣列基板的制備方法及TFT陣列基板技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種TFT陣列基板的制備方法及TFT陣列基板，主要包括：在銅電極經(jīng)刻蝕形成源漏極金屬膜層后，對后續(xù)剝離工藝分兩步進(jìn)行：第一步對所述源漏極金屬膜層上的所述光刻膠進(jìn)行干法剝離，以去除部分所述光刻膠；第二步在對所述源漏極金屬膜層上的剩余所述光刻膠進(jìn)行濕法剝離，以將剩余所述光刻膠剝離，形成源漏極。該方法避免了對銅電極的腐蝕，進(jìn)一步提升了TFT陣列基板的導(dǎo)電性能。

Preparation of TFT array substrate and TFT array substrate

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
TFT陣列基板的制備方法及TFT陣列基板
本專利技術(shù)涉及顯示驅(qū)動(dòng)
，尤其涉及一種TFT陣列基板的制備方法及TFT陣列基板。
技術(shù)介紹
在Cu制程的TFT-LCD(薄膜晶體管-液晶顯示面板)制造過程中，當(dāng)采用金屬銅作為源、漏電極時(shí)，其剝離技術(shù)通常采用干法剝離或者濕法剝離。然而，當(dāng)采用純干法剝離時(shí)，不僅容易殘留光阻膠，而且因干法剝離的等離子氣體含有O、S等元素易導(dǎo)致銅電極氧化或者硫化，剝離終點(diǎn)難以控制，進(jìn)而影響TFT晶體管的開態(tài)電流導(dǎo)致其開態(tài)電流過小。而當(dāng)采用濕法剝離時(shí)，由于剝離液呈現(xiàn)強(qiáng)堿性以及長時(shí)間的在堿性條件中浸泡，金屬銅極易受到腐蝕；另一方面，因銅離子較為活潑，在剝離過程中會粘附在溝道處，導(dǎo)致器件關(guān)態(tài)電流過大。綜上所述，需提供一種Cu制程TFT晶體管工藝的制備方法，以解決上述問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供一種TFT陣列基板的制備方法及TFT陣列基板，能夠避免銅電極制程在剝離工藝中腐蝕，以解決現(xiàn)有的TFT陣列基板的制備方法及TFT陣列基板，在采用銅電極制備源漏極的制程中，單獨(dú)采用干法剝離工藝導(dǎo)致銅電極氧化或者單獨(dú)采用濕法剝離工藝導(dǎo)致銅電極腐蝕的技術(shù)問題。為解決上述問題，本專利技術(shù)提供的技術(shù)方案如下：本專利技術(shù)提供一種液晶顯示面板，包括：本專利技術(shù)提供一種TFT陣列基板的制備方法，所述方法包括：S10，提供基板，在所述基板表面依次制備柵極、柵極絕緣層、有源層膜層、歐姆接觸層膜層以及銅金屬膜層；S20，在所述銅金屬膜層上涂光刻膠，并對該光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，根據(jù)所述顯影后的光刻膠，對所述銅金屬膜層、所述歐姆接觸層膜層和所述有源層膜層進(jìn)行第一次刻蝕；S30，在對所述銅金屬膜層進(jìn)行第二道濕法刻蝕，形成源漏極金屬膜層；S40，對所述源漏極金屬膜層上的所述光刻膠剝離工藝，形成源漏極，其中所述光刻膠剝離工藝包括：S401，對所述源漏極金屬膜層上的所述光刻膠進(jìn)行干法剝離，以去除部分所述光刻膠；S402，在對所述源漏極金屬膜層上的剩余所述光刻膠進(jìn)行濕法剝離，以將剩余所述光刻膠剝離，形成源漏極；S50，以所述源漏極為掩膜版，對所述歐姆接觸層膜層和所述有源層膜層進(jìn)行第二道干法刻蝕，以形成TFT有源層溝道。根據(jù)本專利技術(shù)一優(yōu)選實(shí)施例，所述S401還包括：S4011，對所述源漏極金屬膜層上的所述光刻膠通入灰化氣體進(jìn)行灰化處理，在設(shè)定的第一工藝時(shí)間內(nèi)完成干法剝離，以去除部分所述光刻膠。根據(jù)本專利技術(shù)一優(yōu)選實(shí)施例，所述S4011中，采用所述灰化處理是對所述光刻膠進(jìn)行整體薄化處理。根據(jù)本專利技術(shù)一優(yōu)選實(shí)施例，所述S4011中，所述灰化氣體為SF6與O2組成的混合氣體。根據(jù)本專利技術(shù)一優(yōu)選實(shí)施例，所述S402還包括：S4021，對所述源漏極金屬膜層上的剩余所述光刻膠投入到濕法剝離設(shè)備，在設(shè)定的第二工藝時(shí)間內(nèi)完成濕法剝離，以將剩余所述光刻膠剝離，形成源漏極。根據(jù)本專利技術(shù)一優(yōu)選實(shí)施例，所述S4021中，所述第二工藝時(shí)間在40s至100s之間。根據(jù)本專利技術(shù)一優(yōu)選實(shí)施例，所述基板為玻璃基板；所述柵極絕緣層的材料為氮化硅和氧化硅中的一種或多種的組合；所述有源層的材料為多晶硅；所述歐姆接觸層的材料為摻雜有磷的非晶硅。根據(jù)本專利技術(shù)一優(yōu)選實(shí)施例，所述方法還包括：在所述源漏極上形成像素電極，在所述像素電極上形成鈍化層。根據(jù)本專利技術(shù)一優(yōu)選實(shí)施例，所述像素電極的材料為氧化銦錫，所述鈍化層的材料為氮化硅和氧化硅中的一種或多種的組合。本專利技術(shù)還提供一種使用所述方法制造的TFT陣列基板，包括：基板、柵極、柵極絕緣層、有源層、歐姆接觸層、源漏極、像素電極以及鈍化層；所述有源層為一形狀與所述柵極相同的一通道結(jié)構(gòu)，所述有源層包括溝道、源極摻雜區(qū)以及漏極摻雜區(qū)；所述歐姆接觸層位于所述源極摻雜區(qū)以及所述漏極摻雜區(qū)。本專利技術(shù)的有益效果為：本專利技術(shù)所提供的TFT陣列基板的制備方法及TFT陣列基板，將剝離工藝調(diào)整為干法剝離和濕法剝離分步進(jìn)行，避免了對銅電極的腐蝕，進(jìn)一步提升了TFT陣列基板的導(dǎo)電性能。附圖說明為了更清楚地說明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是專利技術(shù)的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本專利技術(shù)TFT陣列基板的制備方法流程圖。圖2A-圖2F為本專利技術(shù)TFT陣列基板的制備方法示意圖。圖3為本專利技術(shù)TFT陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖示，用以例示本專利技術(shù)可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本專利技術(shù)所提到的方向用語，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[內(nèi)]、[外]、[側(cè)面]等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本專利技術(shù)，而非用以限制本專利技術(shù)。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是用以相同標(biāo)號表示。本專利技術(shù)針對現(xiàn)有的TFT陣列基板的制備方法及TFT陣列基板，在采用銅電極制備源漏極的制程中，單獨(dú)采用干法剝離工藝導(dǎo)致銅電極氧化或者單獨(dú)采用濕法剝離工藝導(dǎo)致銅電極腐蝕的技術(shù)問題，本實(shí)施例能夠解決該缺陷。如圖1所示，本專利技術(shù)提供一種TFT陣列基板的制備方法，所述方法包括：S10，提供基板11，在所述基板11表面依次制備柵極12、柵極絕緣層13、有源層膜層141、歐姆接觸層膜層151以及銅金屬膜層161。具體地，所述S10還包括：所述基板11為玻璃基板；首先使用純水或熱硫酸等清洗液將所述基板11洗凈，采用濺射法在所述基板11上形成一層金屬薄膜，以一道光罩微影蝕刻制程來定義出柵極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)用于制作所述柵極12；所述柵極12材料選用Mo/AlNd。然后再用氣相沉積法方式在所述柵極12上依次沉積柵極絕緣層13、有源層膜層141、歐姆接觸層膜層151以及銅金屬膜層161；所述柵極絕緣層13材料為氮化硅和氧化硅中的一種或多種的組合；所述有源層膜層141的材料為多晶硅；所述歐姆接觸層膜層151的材料為摻雜有磷的非晶硅，如圖2A所示。S20，在所述銅金屬膜層161上涂光刻膠162，并對該光刻膠162進(jìn)行曝光、顯影，根據(jù)所述顯影后的光刻膠162，對所述銅金屬膜層161、所述歐姆接觸層膜層151和所述有源層膜層141進(jìn)行第一次刻蝕。具體地，所述S20還包括：在所述銅金屬膜層161上涂光刻膠162，并對該光刻膠162進(jìn)行曝光、顯影，根據(jù)所述顯影后的光刻膠162，對所述銅金屬膜層161、所述歐姆接觸層膜層151和所述有源層膜層141進(jìn)行第一次刻蝕，蝕刻掉未被所述光刻膠162覆蓋的部分所述有源層膜層141、部分所述歐姆接觸層膜層151以及部分所述銅金屬膜層161，如圖2B所示。S30，在對所述銅金屬膜層161進(jìn)行第二道濕法刻蝕，形成源漏極金屬膜層163。具體地，所述S30還包括：在對所述銅金屬膜層161進(jìn)行第二道濕法刻蝕，即進(jìn)行TFT的導(dǎo)電溝道刻蝕，形成源漏本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：/nS 10，提供基板，在所述基板表面依次制備柵極、柵極絕緣層、有源層膜層、歐姆接觸層膜層以及銅金屬膜層；/nS20，在所述銅金屬膜層上涂光刻膠，并對該光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，根據(jù)所述顯影后的光刻膠，對所述銅金屬膜層、所述歐姆接觸層膜層和所述有源層膜層進(jìn)行第一次刻蝕；/nS30，對所述銅金屬膜層進(jìn)行第二道濕法刻蝕，形成源漏極金屬膜層；/nS40，對所述源漏極金屬膜層上的所述光刻膠采用剝離工藝處理，形成源漏極，其中所述光刻膠剝離工藝包括：/nS401，對所述源漏極金屬膜層上的所述光刻膠進(jìn)行干法剝離，以去除部分所述光刻膠；/nS402，對所述源漏極金屬膜層上的剩余光刻膠進(jìn)行濕法剝離，以將剩余所述光刻膠剝離，形成源漏極；/nS50，以所述源漏極為掩膜版，對所述歐姆接觸層膜層和所述有源層膜層進(jìn)行第二道干法刻蝕，以形成TFT有源層溝道。/n

【技術(shù)特征摘要】
1.一種TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
S10，提供基板，在所述基板表面依次制備柵極、柵極絕緣層、有源層膜層、歐姆接觸層膜層以及銅金屬膜層；
S20，在所述銅金屬膜層上涂光刻膠，并對該光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，根據(jù)所述顯影后的光刻膠，對所述銅金屬膜層、所述歐姆接觸層膜層和所述有源層膜層進(jìn)行第一次刻蝕；
S30，對所述銅金屬膜層進(jìn)行第二道濕法刻蝕，形成源漏極金屬膜層；
S40，對所述源漏極金屬膜層上的所述光刻膠采用剝離工藝處理，形成源漏極，其中所述光刻膠剝離工藝包括：
S401，對所述源漏極金屬膜層上的所述光刻膠進(jìn)行干法剝離，以去除部分所述光刻膠；
S402，對所述源漏極金屬膜層上的剩余光刻膠進(jìn)行濕法剝離，以將剩余所述光刻膠剝離，形成源漏極；
S50，以所述源漏極為掩膜版，對所述歐姆接觸層膜層和所述有源層膜層進(jìn)行第二道干法刻蝕，以形成TFT有源層溝道。


2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述S401還包括：
S4011，對所述源漏極金屬膜層上的所述光刻膠通入灰化氣體進(jìn)行灰化處理，在設(shè)定的第一工藝時(shí)間內(nèi)完成干法剝離，以去除部分所述光刻膠。


3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述S4011中，采用所述灰化處理是對所述光刻膠進(jìn)行整體薄化處理。


4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述S4011中，所述灰化氣體為SF6與O2組成的混合氣體。


5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：柴國慶，
申請(專利權(quán))人：深圳市華星光電技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東;44