陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，所述方法利用濕法刻蝕的各向同性、光阻的分段灰化和剝離、以及利用電極層作為刻蝕的掩膜，從而制得了具有超短溝道的TFT器件的陣列基板。本發明專利技術通過濕法刻蝕以及光阻的灰化和剝離技術的結合，并使用電極層作為刻蝕的掩膜，從而制得了具有超短溝道的TFT器件，增大了開態電流和充電率，且本發明專利技術僅需四道光罩工藝，無需新增光罩數量，節省了工藝制程和制作成本。

Fabrication method of array substrate, array substrate and display device

【技術實現步驟摘要】
陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置
本專利技術涉及顯示
，尤其涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板以及具有該陣列基板的顯示裝置。
技術介紹
在TFT-LCD中，TFT器件的功能相當于一個開關管，常用的TFT器件是三端器件，一般在玻璃基板上制備半導體層，在其兩端有與之相連的源極和漏極，利用施加在柵極上的電壓來控制源、漏電極間的電流。TFT器件工作在線性區，溝道相當于一個電阻，電流和溝道寬長比(W/L)呈正比，為了提升大尺寸面板的充電率，需要電阻夠小才能夠滿足一定的開態電流和一定的充電率，但是由于像素開口率的限制，W不能過大，所以為了增大開態電流，將L縮小成為設計大尺寸面板的趨勢。傳統方法由于曝光精度限制及其他因素會影響良率，所以無法實現大尺寸面板的超短溝道TFT器件。
技術實現思路
本專利技術提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，能夠制得具有超短溝道的TFT器件，以解決現有的陣列基板中，由于曝光精度以及其他因素的影響，導致TFT器件的溝道長度無法進步一地減小，無法得到較大的開態電流和充電率，進而影響顯示的技術問題。為解決上述問題，本專利技術提供的技術方案如下：本專利技術提供一種陣列基板的制作方法，所述方法包括以下步驟：S10、提供基板，依次制備第一金屬層、絕緣層、半導體層、導通層、以及第二金屬層于所述基板上；S20、形成光阻層于所述第二金屬層上，并且覆蓋部分所述第二金屬層，其中，所述光阻層具有凸起部對應所述第一金屬層；S30、依次去除未被所述光阻層覆蓋的所述第二金屬層、所述導通層、所述半導體層與所述絕緣層，以及去除所述凸起部以外的所述光阻層以暴露出部分所述第二金屬層的上表面；S40、去除未被所述凸起部覆蓋的部分所述第二金屬層以及對應的所述導通層，且剩余的所述第二金屬層形成漏極；S50、去除部分未被所述凸起部覆蓋的所述半導體層，以暴露部分所述絕緣層，且剩余的所述半導體層形成有源層；S60、去除部分所述凸起部，且所述有源層對所述基板的投影范圍大于并完全涵蓋剩余所述凸起部對所述基板的投影范圍；S70、制備電極層于剩余的所述凸起部、所述有源層的側壁和部分上表面、以及所述絕緣層上；S80、去除所述凸起部，并對所述有源層進行圖案化，以形成溝道；以及S90、對所述電極層進行圖案化，以形成源極和像素電極，并制備鈍化層覆蓋所述有源層、所述源極、所述漏極以及所述像素電極，以形成所述陣列基板。根據本專利技術一優選實施例，在所述步驟S10中，所述第一金屬層具有圖案，且所述絕緣層、所述半導體層、所述導通層、以及所述第二金屬層依次保形地形成于所述基板上。根據本專利技術一優選實施例，所述步驟S40還包括去除所述凸起部下方的部分所述第二金屬層以及對應的所述導通層。根據本專利技術一優選實施例，在所述步驟S60中，所述有源層對所述基板的投影范圍大于并完全涵蓋所述漏極或剩余的所述導通層對所述基板的投影范圍。根據本專利技術一優選實施例，所述方法包括四道光罩工藝，其中包括：在所述步驟S10中，使用第一道光罩于所述第一金屬層上，以形成柵極以及金屬走線；在所述步驟S20、S30、S40以及S50中，使用第二道光罩依次去除所述第二金屬層、所述導通層、所述半導體層，以形成所述漏極以及所述有源層；在所述步驟S60、S70以及S80中，使用第三道光罩于所述有源層上，以形成所述溝道；以及在所述步驟S90中，使用第四道光罩于所述電極層上，以形成所述源極以及所述像素電極。根據本專利技術一優選實施例，所述導通層以及所述電極層的材料各自獨立地包括：氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅或鋁摻雜的氧化鋅材料。根據本專利技術的上述目的，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：基板；第一金屬層，設置于所述基板上，且所述第一金屬層包括柵極以及金屬走線；絕緣層，設置于所述第一金屬層上，并包覆所述柵極，其中所述絕緣層對應所述金屬走線的區域設置有過孔；有源層，設置于所述絕緣層上，且所述有源層上設置有溝道；源極、漏極以及像素電極，其中所述源極與所述漏極設置于所述溝道兩側，且所述漏極位于所述有源層上，所述漏極與所述有源層之間設置有導通層，所述像素電極設置于所述絕緣層上，并通過所述過孔與所述金屬走線搭接；以及鈍化層，設置于所述絕緣層上，并覆蓋所述有源層、所述源極、所述漏極以及所述像素電極。根據本專利技術一優選實施例，所述導通層、所述源極以及所述像素電極的材料各自獨立地包括：氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅或鋁摻雜的氧化鋅材料。根據本專利技術一優選實施例，所述溝道的長度小于2微米。根據本專利技術的上述目的，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括所述陣列基板。本專利技術的有益效果為：本專利技術通過濕法刻蝕以及光阻的灰化和剝離技術的結合，并使用電極層作為刻蝕的掩膜，從而制得了具有超短溝道的TFT器件，增大了開態電流和充電率，且電極層均采用透明電極材料，提高了開口率，本專利技術僅需四道光罩工藝，無需新增光罩數量，節省了工藝制程和制作成本。附圖說明為了更清楚地說明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本專利技術實施例提供的陣列基板結構示意圖。圖2為本專利技術實施例提供的陣列基板制作方法流程圖。圖3為本專利技術實施例提供的陣列基板制作流程結構示意圖。圖4為本專利技術實施例提供的陣列基板制作流程結構示意圖。圖5為本專利技術實施例提供的陣列基板制作流程結構示意圖。圖6為本專利技術實施例提供的陣列基板制作流程結構示意圖。圖7為本專利技術實施例提供的陣列基板制作流程結構示意圖。圖8為本專利技術實施例提供的陣列基板制作流程結構示意圖。圖9為本專利技術實施例提供的陣列基板制作流程結構示意圖。圖10為本專利技術實施例提供的陣列基板制作流程結構示意圖。具體實施方式以下各實施例的說明是參考附加的圖示，用以例示本專利技術可用以實施的特定實施例。本專利技術所提到的方向用語，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[內]、[外]、[側面]等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本專利技術，而非用以限制本專利技術。在圖中，結構相似的單元是用以相同標號表示。本專利技術針對現有的陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，由于曝光精度以及其他因素的影響，導致TFT器件的溝道長度無法進步一地減小，無法得到較大的開態電流和充電率，進而影響顯示的技術問題，本實施例能夠解決該缺陷。為解決上述技術問題，本專利技術實施例提供一種陣列基板的制作方法，如圖2所示，所述方法包括以下步驟：S10、提供基板，依次制備第一金屬層、絕緣層、半導體層、導通層、以及第二金屬本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：/nS 10、提供基板，依次制備第一金屬層、絕緣層、半導體層、導通層、以及第二金屬層于所述基板上；/nS20、形成光阻層于所述第二金屬層上，并且覆蓋部分所述第二金屬層，其中，所述光阻層具有凸起部對應所述第一金屬層；/nS30、依次去除未被所述光阻層覆蓋的所述第二金屬層、所述導通層、所述半導體層與所述絕緣層，以及去除所述凸起部以外的所述光阻層以暴露出部分所述第二金屬層的上表面；/nS40、去除未被所述凸起部覆蓋的部分所述第二金屬層以及對應的所述導通層，且剩余的所述第二金屬層形成漏極；/nS50、去除部分未被所述凸起部覆蓋的所述半導體層，以暴露部分所述絕緣層，且剩余的所述半導體層形成有源層；/nS60、去除部分所述凸起部，且所述有源層對所述基板的投影范圍大于并完全涵蓋剩余所述凸起部對所述基板的投影范圍；/nS70、制備電極層于剩余的所述凸起部、所述有源層的側壁和部分上表面、以及所述絕緣層上；/nS80、去除所述凸起部，并對所述有源層進行圖案化，以形成溝道；以及/nS90、對所述電極層進行圖案化，以形成源極和像素電極，并制備鈍化層覆蓋所述有源層、所述源極、所述漏極以及所述像素電極，以形成所述陣列基板。/n...

【技術特征摘要】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
S10、提供基板，依次制備第一金屬層、絕緣層、半導體層、導通層、以及第二金屬層于所述基板上；
S20、形成光阻層于所述第二金屬層上，并且覆蓋部分所述第二金屬層，其中，所述光阻層具有凸起部對應所述第一金屬層；
S30、依次去除未被所述光阻層覆蓋的所述第二金屬層、所述導通層、所述半導體層與所述絕緣層，以及去除所述凸起部以外的所述光阻層以暴露出部分所述第二金屬層的上表面；
S40、去除未被所述凸起部覆蓋的部分所述第二金屬層以及對應的所述導通層，且剩余的所述第二金屬層形成漏極；
S50、去除部分未被所述凸起部覆蓋的所述半導體層，以暴露部分所述絕緣層，且剩余的所述半導體層形成有源層；
S60、去除部分所述凸起部，且所述有源層對所述基板的投影范圍大于并完全涵蓋剩余所述凸起部對所述基板的投影范圍；
S70、制備電極層于剩余的所述凸起部、所述有源層的側壁和部分上表面、以及所述絕緣層上；
S80、去除所述凸起部，并對所述有源層進行圖案化，以形成溝道；以及
S90、對所述電極層進行圖案化，以形成源極和像素電極，并制備鈍化層覆蓋所述有源層、所述源極、所述漏極以及所述像素電極，以形成所述陣列基板。


2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述步驟S10中，所述第一金屬層具有圖案，且所述絕緣層、所述半導體層、所述導通層、以及所述第二金屬層依次保形地形成于所述基板上。


3.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S40還包括去除所述凸起部下方的部分所述第二金屬層以及對應的所述導通層。


4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述步驟S60中，所述有源層對所述基板的投影范圍大于并完全涵蓋所述漏極或剩余的所述導通層對所述基板的投影范圍。


5.根...

【專利技術屬性】
技術研發人員：朱茂霞，徐洪遠，
申請(專利權)人：深圳市華星光電技術有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44