【技術實現步驟摘要】
一種改進晶片邊緣形貌設計的晶片基板
本技術涉及到基于半導體工藝的石英晶體諧振器晶片設計加工
，具體涉及一種改進晶片邊緣形貌設計的晶片基板。
技術介紹
石英晶體頻控器件作為通訊領域的核心電子元件，特別是高基頻、小尺寸石英晶體。諧振器更是現在5G通訊產品所需的重要基礎性電子元器件。半導體工藝具有微納米級加工能力，大大提升石英晶片制造精度、一致性、穩定性，產品物理和電子性能優越，滿足通訊市場、物聯網、智能家電等領域的飛速發展需要。隨著終端電子設備越來越小型化，必然要求各種元器件也必須小型化，要制造微小型化石英晶體諧振器，必須要有微小型石英晶片，隨著傳統石英晶片加工工藝的局限，目前已經達到了傳統加工工藝的極限，已經無法加工更小尺寸的石英晶片了，所以出現了一種新的加工工藝技術，這種工藝是基于半導體工藝通過化學腐蝕方法進行石英晶片加工，由于石英晶體腐蝕的各向異性特征，所以在外形腐蝕過程中容易出現不規則現象，導致最終成品參數不理想。本專利技術就是為了解決此問題而做的一項設計改進。
技術實現思路
本技術的目的在于解決石英晶體腐蝕的各向異性特征而導致的石英晶片外形的不規則的問題，提供一種結構簡單、能達到石英晶片外形規則、成品參數一致性更好、可靠性更高的改進晶片邊緣形貌設計的晶片基板。為實現以上目的，本技術的技術解決方案是：一種改進晶片邊緣形貌設計的晶片基板，包括晶片基板和折取部位，所述折取部位位于晶片基板底部，所述晶片放置于晶片基板上，其特征在于：所述晶片基板的左側邊向下延伸至折取部位左側下邊緣處，晶...
【技術保護點】
1.一種改進晶片邊緣形貌設計的晶片基板（1），包括晶片基板（1）和折取部位（2），所述折取部位（2）位于晶片基板（1）底部，所述晶片（3）放置于晶片基板（1）上，其特征在于：所述晶片基板（1）的左側邊（4）向下延伸至折取部位（2）左側下邊緣處，晶片基板（1）的右側邊（5）向下延伸至折取部位（2）右側下邊緣處。/n
【技術特征摘要】
1.一種改進晶片邊緣形貌設計的晶片基板（1），包括晶片基板（1）和折取部位（2），所述折取部位（2）位于晶片基板（1）底部，所述晶片（3）放置于晶片基板（1）上，其特征在于：所述晶片基板（1）的左側邊（4）向下延伸至折取部位（2）左側下邊緣處，晶片基板（1）的右側邊（5）向下延伸至折取部位（2）右側下邊緣處。
2.根據權利要求1所述的一種改進晶片...
【專利技術屬性】
技術研發人員：喻信東，黃祥秒，張小偉，王斌，陳磊，
申請(專利權)人：湖北泰晶電子科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：湖北;42
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