半電波暗室及其地板結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

一種半電波暗室的地板結(jié)構(gòu)，包括一反射板以及一接地架構(gòu)，該反射板具有一第一金屬層、一第二金屬層及一絕緣層，該絕緣層具有一通孔使在該絕緣層上下二側(cè)的第一金屬層及第二金屬層能電性連接，該接地架構(gòu)連接該第二金屬層，以使第一金屬層及第二金屬層上的電流能流向地面。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
半電波暗室及其地板結(jié)構(gòu)
本專利技術(shù)有關(guān)一種半電波暗室，特別是關(guān)于一種半電波暗室的地板結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
電子裝置可能受到周遭的電磁波干擾而無(wú)法正常正作，為解決電磁干擾問(wèn)題，通常在產(chǎn)品上市前都會(huì)進(jìn)行電磁兼容性(ElectroMagneticCompatibility；EMC)測(cè)試，此測(cè)試通常要于符合要求的實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行，例如半電波暗室。圖1顯示傳統(tǒng)半電波暗室100的上視圖，其為由墻面102、天花板(圖中未示)及地板所形成的六面體空間，其中墻面102及天花板上有吸收電磁波的材料以避免電磁波被墻面102或天花板反射而影響測(cè)試結(jié)果，地板是由多個(gè)反射板104拼接而成，用以模擬無(wú)限大的金屬接地面，半電波暗室100會(huì)有一電磁波發(fā)射區(qū)106供設(shè)置電磁波發(fā)射裝置以及一電磁波接收區(qū)108供設(shè)置電磁波接收裝置，當(dāng)電磁波發(fā)射區(qū)106中的電磁波發(fā)射裝置(圖中未示)發(fā)出的電磁波發(fā)射到反射板104時(shí)，會(huì)被反射板104反射，同時(shí)反射板104上會(huì)產(chǎn)生電流I1，電流I1會(huì)流向墻面102，再經(jīng)由墻面102流向地面GND。圖2顯示圖1的半電波暗室100的局部剖面圖，每一個(gè)反射板104包括一絕緣層1044及二金屬層1042及1046分別在絕緣層1044的二側(cè)，反射板104之間是利用一上板110、一下板112及一螺絲114形成的接合結(jié)構(gòu)來(lái)連接，墻面102上有一L型支撐架116用以支撐相鄰的反射板104，鄰接墻面102的反射板104可利用一金屬線118將金屬層1042連接至墻面102，支撐架116及金屬線118皆可使反射板104上的電流流向墻面102。如圖2所示，當(dāng)圖1中的其中一個(gè)反射板104上產(chǎn)生電流I1時(shí)，電流I1將透過(guò)反射板104之間的接合結(jié)構(gòu)流向鄰近的反射板104，最后流向墻面102，再經(jīng)由墻面102流向地面GND。然而，傳統(tǒng)半電波暗室100讓電流I1流向四周墻面102，再透過(guò)墻面102流向地面GND的方式，造成較差的接地效果，進(jìn)而影響了低頻(例如30MHz～300MHz)特性的測(cè)試。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的之一，在于提出一種半電波暗室的地板結(jié)構(gòu)。本專利技術(shù)的目的之一，在于提出一種改善接地效果的半電波暗室。根據(jù)本專利技術(shù)，一種半電波暗室的地板結(jié)構(gòu)包括一反射板具有一第一金屬層、一第二金屬層及一絕緣層。該絕緣層在該第一金屬層及該第二金屬層之間，且該絕緣層具有一通孔，該第一金屬層上的電流可經(jīng)由該通孔流向該第二金屬層。該地板結(jié)構(gòu)更包括一接地架構(gòu)連接該第二金屬層，以使該第二金屬層上的電流流向地面。根據(jù)本專利技術(shù)，一種半電波暗室包括多個(gè)反射板及多個(gè)接地架構(gòu)，該多個(gè)接地架構(gòu)分別連接該多個(gè)反射板，以使該多個(gè)反射板上的電流流向地面。由于每一個(gè)反射板可經(jīng)由與其連接的接地架構(gòu)連接至地面，故該半電板暗室具有較佳的接地效果，可改善低頻特性的測(cè)試。附圖說(shuō)明圖1顯示傳統(tǒng)半電波暗室的上視圖。圖2顯示傳統(tǒng)半電波暗室的局部剖面圖。圖3顯示本專利技術(shù)的地板結(jié)構(gòu)。圖4顯示圖3中AA’方向的剖面圖。圖5顯示本專利技術(shù)半電波暗室的第一實(shí)施例。圖6顯示圖5中部分區(qū)域的剖面圖。圖7顯示本專利技術(shù)半電波暗室的第二實(shí)施例。圖8顯示本專利技術(shù)半電波暗室的第三實(shí)施例。附圖標(biāo)記列表：100-半電波暗室；102-墻面；104-反射板；1042-金屬層；1044-絕緣層；1046-金屬層；106-電磁波發(fā)射區(qū)；108-電磁波接收區(qū)；110-上板；112-下板；114-螺絲；116-支撐架；118-金屬線；200-地板結(jié)構(gòu)；202-反射板；2022-金屬層；2024-絕緣層；2026-金屬層；204-通孔；206-接地架構(gòu)；300-半電波暗室；302-墻面；304-電磁波發(fā)射區(qū)；306-電磁波接收區(qū)；308-主要反射區(qū)；310-主要反射區(qū)；312-主要反射區(qū)；314-主要反射區(qū)。具體實(shí)施方式圖3顯示本專利技術(shù)的半電波暗室的地板結(jié)構(gòu)200，圖4顯示圖3中AA’方向的剖面圖。參照?qǐng)D3及圖4，地板結(jié)構(gòu)200包括反射板202及接地架構(gòu)206，反射板202具有二金屬層2022及2026及一絕緣層2024，絕緣層2024是在二金屬層2022及2026之間，絕緣層2024具有通孔204，金屬層2022及2026透過(guò)通孔204連接以使金屬層2022上的電流I1能流向金屬層2026，金屬層2022及2026可以是但不限于鍍鋅鋼板，絕緣層2024可以是但不限于木板。接地架構(gòu)206連接反射板202，用以使反射板202上的電流I1流向地面GND，在此實(shí)施例中，接地架構(gòu)206是以一支撐架實(shí)現(xiàn)，該支撐架設(shè)置在地面GND上且用以支撐反射板202，支撐架連接反射板202的金屬層2026。當(dāng)電磁波發(fā)射到反射板202時(shí)，反射板202的金屬層2022上會(huì)產(chǎn)生電流I1，電流I1經(jīng)由通孔204流向金屬層2026后，再通過(guò)支撐架(接地架構(gòu)206)流向地面GND。在一實(shí)施例中，通孔204中可填入導(dǎo)電材料，以使金屬層2022電性連接金屬層2026。在一實(shí)施例中，可利用一螺絲經(jīng)通孔204將反射板202固定在支撐架上，而金屬層2022可透過(guò)該螺絲電性連接金屬層2026。在圖4的實(shí)施例中，反射板202為三層結(jié)構(gòu)，但本專利技術(shù)并不限于此，例如可在金屬層2022及2026之間加入更多的絕緣層，或者將反射板202修改為單層的金屬板。此外，圖3及圖4中通孔204及接地架構(gòu)206的數(shù)量及位置也可以依需求改變。圖5顯示本專利技術(shù)半電波暗室300的第一實(shí)施例，其包括多個(gè)反射板202拼接成半電波暗室300的地板，半電波暗室300有一電磁波發(fā)射區(qū)304供設(shè)置電磁波發(fā)射裝置以及一電磁波接收區(qū)306供設(shè)置電磁波接收裝置，當(dāng)有電磁波發(fā)射到反射板202時(shí)，反射板202會(huì)反射電磁波，同時(shí)反射板202上會(huì)產(chǎn)生電流I1。每一個(gè)反射板202各自連接一接地架構(gòu)206(如圖4所示)，使得每一個(gè)反射板202上的電流I1能透過(guò)與其連接的接地架構(gòu)206流向地面GND，電流I1不用先流向墻面302后，再流向地面GND，故本專利技術(shù)的半電波暗室300具有較好的接地效果，可改善低頻特性的測(cè)試。在圖5的半電波暗室300中，反射板202可以如圖4所示為一多層結(jié)構(gòu)，也可以是單層的金屬板。圖6顯示圖5中部分區(qū)域的剖面圖，如圖6所示，本專利技術(shù)反射板202上的電流I1除了可以透過(guò)通孔204及接地架構(gòu)206流向地面GND之外，也可以透過(guò)與反射板202鄰接的墻面302流向地面GND，相較于習(xí)知技術(shù)，本專利技術(shù)能提供更多的電流路徑讓反射板202上的電流I1流向地面GND，具有較佳的接地效果。如圖5所示，每一個(gè)反射板202可透過(guò)與其連接的接地架構(gòu)206讓電流I1流向地面，因此本專利技術(shù)的半電波暗室300不用像傳統(tǒng)半電波暗室100一樣，地板必需完全由反射板104拼接而成，以使電流I1可以流向墻面102，進(jìn)而流向地面。圖7顯示本專利技術(shù)半電波暗室300的第二實(shí)施例，在此實(shí)施例中，半電波暗室300的地板并非全由反射板202構(gòu)成，反射板202僅設(shè)置在電磁波發(fā)射區(qū)304及電磁波接收區(qū)306之間本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種半電波暗室的地板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：/n一反射板，包含：/n一第一金屬層；/n一第二金屬層；以及/n一絕緣層，在該第一金屬層及該第二金屬層之間，具有一通孔；/n其中，該第一金屬層上的電流經(jīng)由該通孔流向該第二金屬層。/n

【技術(shù)特征摘要】
1.一種半電波暗室的地板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
一反射板，包含：
一第一金屬層；
一第二金屬層；以及
一絕緣層，在該第一金屬層及該第二金屬層之間，具有一通孔；
其中，該第一金屬層上的電流經(jīng)由該通孔流向該第二金屬層。


2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的地板結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一接地架構(gòu)連接該第二金屬層，用以使該第二金屬層上的電流流向地面。


3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的地板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該接地架構(gòu)包括一支撐架設(shè)置在該地面上且連接該第二金屬層以支撐該反射板，其中該第二金屬層上的電流經(jīng)該支撐架流向該地面。


4.一種半電波暗室的地板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
一通孔；以及
一接地架構(gòu)，電性連接該通孔及一地面；
其中，該地板結(jié)構(gòu)上的電流經(jīng)該通孔及該接地架構(gòu)流向該地面。


5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的地板結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一反射板用以反射電磁波，該反射板具有該通孔并連接該接地架構(gòu)。


6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的地板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射板為一單層金屬板。


7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的地板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該接地架構(gòu)包括一支撐架設(shè)置在該地面上且用以支撐該反射板，其中該地板結(jié)構(gòu)上的電流經(jīng)該通孔及該支撐架流向該地面。

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李志宏，白景元，林丁丙，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：李志宏，白景元，林丁丙，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：中國(guó)臺(tái)灣;71