【技術實現步驟摘要】
真空蒸饃設備
本專利技術涉及OLED元件鍍膜
，特別涉及真空蒸饃設備。
技術介紹
現代技術中，在真空蒸鍍機等鍍膜裝置機，為了測量在基片上成膜的膜的厚度和成膜速度而使用稱為石英晶體微天平(QCM:QuartzCrystalMicrobalance)方法的技術。該方法是利用了配置在腔室內的石英晶體諧振器(quartz—crystal:石英晶體諧振器／又稱石英晶體／俗稱晶振）的諧振頻率的如下特性：蒸鍍過程中隨著材料的蒸發，石英芯片質量增加，從而改變石英芯片的固有振蕩周期，即該諧振頻率由于蒸鍍物的沉積帶來的質量增加而減少。因此，將石英振蕩器組裝到振蕩回路中使薄膜質量的變化作為頻率的變化讀出，可通過測量石英晶體諧振器的諧振頻率的變化來測量膜厚和成膜速度。近年來，在OLED元件的制造領域，廣泛使用真空蒸鍍法進行有機層的成膜。但是現有技術中，晶振均為靠近蒸發源的監測裝置，石英晶體諧振器所測得的數據實際僅能夠代表蒸發源中材料的蒸發速率，并不能精確的表示沉積到目標基片上的薄膜厚度。如圖1所示，蒸發源中材料蒸發速率的流量分布成余弦cosine分布，材料在氣相中沒有碰撞呈直線在蒸發源和基片間運動（直線沉積）。來自點蒸發源的材料沉積在基片上的距離和方向也成cosine余弦分布。蒸發源到基片的距離越遠，石英晶體諧振器所測得的數據與基片上實際沉積的膜厚之間的差距就會越大。然而，在OLED顯示器中，由于像素間的有機層膜厚的偏差會對圖像質量產生較大影響，因此，需要進行高精度的膜厚控制。
技術實現思路
本專利...
【技術保護點】
1.一種真空蒸饃設備，其特征在于，包括：/n真空室，其包括提供真空環境的空腔；/n蒸發源，其設置于空腔內；/n第一晶振座，其設置于空腔內，其朝向蒸發源；/n第一晶振，其安裝于第一晶振座；/n第一傳感器，其安裝于第一晶振座，其用于測量第一晶振的頻率變化量并將所測量的第一晶振的頻率變化量轉換成第一電信號；/n前反饋控制模塊，其用于獲取第一電信號并對材料沉積在第一晶振上的時間進行計時得到沉積時間t，其用于基于所獲取的第一電信號得到第一晶振的頻率變化量，其用于基于第一晶振的頻率變化量計算得到沉積在第一晶振上的材料的質量變化量，再基于沉積在第一晶振上的材料的質量變化量和沉積時間計算得到蒸發源中材料的蒸發速率V；/n基片，其設置于空腔內；/n基片擋板，其設置于空腔內，其能從基片與蒸發源之間位置之外的位置移動到基片與蒸發源之間位置或從基片與蒸發源之間位置移動到基片與蒸發源之間位置之外的位置；/n第一驅動裝置，其用于驅動基片擋板從基片與蒸發源之間位置之外的位置移動到基片與蒸發源之間位置或從基片與蒸發源之間位置移動到基片與蒸發源之間位置之外的位置；/n第二晶振座，其設置于基片擋板；/n第二晶振，其安裝于...
【技術特征摘要】
1.一種真空蒸饃設備，其特征在于，包括：
真空室，其包括提供真空環境的空腔；
蒸發源，其設置于空腔內；
第一晶振座，其設置于空腔內，其朝向蒸發源；
第一晶振，其安裝于第一晶振座；
第一傳感器，其安裝于第一晶振座，其用于測量第一晶振的頻率變化量并將所測量的第一晶振的頻率變化量轉換成第一電信號；
前反饋控制模塊，其用于獲取第一電信號并對材料沉積在第一晶振上的時間進行計時得到沉積時間t，其用于基于所獲取的第一電信號得到第一晶振的頻率變化量，其用于基于第一晶振的頻率變化量計算得到沉積在第一晶振上的材料的質量變化量，再基于沉積在第一晶振上的材料的質量變化量和沉積時間計算得到蒸發源中材料的蒸發速率V；
基片，其設置于空腔內；
基片擋板，其設置于空腔內，其能從基片與蒸發源之間位置之外的位置移動到基片與蒸發源之間位置或從基片與蒸發源之間位置移動到基片與蒸發源之間位置之外的位置；
第一驅動裝置，其用于驅動基片擋板從基片與蒸發源之間位置之外的位置移動到基片與蒸發源之間位置或從基片與蒸發源之間位置移動到基片與蒸發源之間位置之外的位置；
第二晶振座，其設置于基片擋板；
第二晶振，其安裝于第二晶振座；
第二傳感器，其安裝于第二晶振座，其用于測量第二晶振的頻率變化量并將所測量的第二晶振的頻率變化量轉換成第二電信號；
后反饋控制模塊，其用于獲取第二信號，其用于基于所獲取的第二電信號得到第二晶振的頻率變化量，其用于基于第二晶振的頻率變化量換算得到蒸發成氣態的材料沉積在基片上膜層厚度的實際測量值；
蒸發源擋板，其設置于空腔內位于蒸發源與基片擋板、第一晶振之間的位置并能沿與蒸發源中的材料在氣相時向第一晶振、基片流動的路徑相交的軌跡往復移動使擋住蒸發源中的材料在氣相時向第一晶振、基片流動的路徑的面積增大、減小或保持不變；
第二驅動裝置，其用于驅動蒸發源擋板沿與蒸發源中的材料在氣相時向第一晶振座、基片流動的路徑相交的軌跡往復移動；
總控制模塊，其用于將蒸發速率與預定蒸發速率比較得到第一比較結果并基于第一比較結果向前反饋控制模塊發出控制第二驅動裝置驅動蒸發源擋板沿與蒸發源中的材料在氣相時向第一晶振、基片流動的路徑相交的軌跡往復移動使擋住蒸發源中的材料在氣相時向第一晶振、基片流動的路徑的面積增大、減小或保持不變的第一控制信號和將該實際測量值與預定厚度值比較得到第二比較結果并基于第二比較結果向后反饋控制模塊發出控制第一驅動裝置驅動基片擋板從基片與蒸發源之間位置之外的位置移動到基片與蒸發源之間位置或從基片與蒸發源之間位置移動到基片與蒸發源之間位置之外的位置的第二控制信號。
2.根據權利要求1所述真空蒸饃設備，其特征在于，所述前反饋控制模塊基于第一晶振的頻率變化量通過公式（1）計算得到沉積在第一晶振上的材料的質量變化量；
————（1）
公式（1）中，ΔFS1表示第一晶振的頻率變化量，Δm1表示沉積在第一晶振上的材料的質量變化量，f01表示第一晶振的基本頻率，ρQ1表示第一晶振的密度，μQ1表示第一晶振的剪應力，A1表示第一晶振的電極面積，N表示常數。
3.根據權利要求2所述真空蒸饃設備，其特征在于，所述前反饋控制模塊基于沉積在第一晶振上的材料的質量變化量和沉積時間通過公式（3）計算得到蒸發源中材料的蒸發速率V，
V=Δm1/t————（3）。
4.根據權利要求1所述真空蒸饃設備，其特征在于，所述后...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳珉，黎守新，
申請(專利權)人：成都晶砂科技有限公司，
類型：發明
國別省市：四川;51
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