一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法技術

本發明專利技術涉及LED技術領域，具體涉及一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，該方法的工藝流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具體步驟為1）MSA：在GAN上定義出LED芯片圖形大小；2）CBL：沉積一層SiO

【技術實現步驟摘要】
一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法
本專利技術涉及LED
，具體涉及一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法。
技術介紹
目前第三代光源LED以其具體節能環保的優越性已逐步取代傳統光源。LED光源的發光核心在于芯片的制作以及光效的提取。目前業內LED芯片制作主要為正裝結構芯片，即利用一系列透過、反射等原理將外延GAN發出的光最大限度的從芯片正面發出來，減小芯片背面以及側壁等方面對光造成的吸收，從而實現光效最大化。目前芯片中游芯片端未將外延出光效益達到100%，其中一部分被金屬電極遮擋，雖然金屬電極下會有一定厚度的Al層，金屬電極的厚度相對也會遮光。
技術實現思路
針對現有技術的不足，本專利技術提供了一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，通過在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層，增加側向光于金屬電極上的反射，達到亮度最大化效益。為實現以上目的，本專利技術通過以下技術方案予以實現：一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，該方法的工藝流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具體步驟如下：1）MSA：在GAN上定義出LED芯片圖形大小；2）CBL：沉積一層SiO2電流阻擋層；3）TCL：再沉積一層導電層；4）PAD：在鍍上金屬電極用于導電作業；5）NDBR：在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層；6）PSV：最后鍍上一層SiO2，作為芯片保護層。優選地，步驟5）中所述高反射DBR層由SiO2與Ti3O5交替鍍膜而成，且所述高反射DBR層的厚度為3.0-6.0um。優選地，所述高反射DBR層的厚度為3.5um。優選地，所述高反射DBR層中SiO2與Ti3O5的厚度比為1：1。優選地，步驟4）中所述金屬電極選用金電極、銀電極或銅電極中的任意一種。優選地，步驟3）中所述導電層為銦錫氧化物沉積層。有益效果：本專利技術打破常規思路，通過在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層，增加了側向光于金屬電極上的反射，進而實現光效的最大化；且本專利技術的制備工藝簡單，滿足了LED芯片的制作要求，可在實際的工業生產中進行推廣應用。附圖說明圖1為本專利技術技術方案制備的LED芯片的結構示意圖；圖2為現有技術方案制備的LED芯片的結構示意圖；圖3為不同條件下采用本專利技術技術方案與現有技術方案制得的LED芯片的亮度對比圖；圖4為不同條件下采用本專利技術技術方案與現有技術方案制得的LED芯片的電壓對比圖。附圖1與2中標記如下：1、P-PAD，2、PSV，3、TCL，4、CBL，5、P-GAN，6、MQW，7、N-GAN，8、基板，9、壓板，10、DBR，11、高反射DBR層。具體實施方式為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術的實施例，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦＠夹g中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。實施例1：一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于，該方法的工藝流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具體步驟如下：1）MSA：在GAN上定義出LED芯片圖形大小；2）CBL：沉積一層SiO2電流阻擋層；3）TCL：再沉積一層導電層；4）PAD：在鍍上金屬電極用于導電作業；5）NDBR：在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層；6）PSV：最后鍍上一層SiO2，作為芯片保護層。步驟5）中高反射DBR層由SiO2與Ti3O5交替鍍膜而成，且所述高反射DBR層的厚度為3.5um。高反射DBR層中SiO2與Ti3O5的厚度比為1：1。步驟4）中金屬電極選用金電極、銀電極或銅電極中的任意一種。步驟3）中導電層為銦錫氧化物沉積層。實施例2：一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于，該方法的工藝流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具體步驟如下：1）MSA：在GAN上定義出LED芯片圖形大??；2）CBL：沉積一層SiO2電流阻擋層；3）TCL：再沉積一層導電層；4）PAD：在鍍上金屬電極用于導電作業；5）NDBR：在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層；6）PSV：最后鍍上一層SiO2，作為芯片保護層。步驟5）中高反射DBR層由SiO2與Ti3O5交替鍍膜而成，且所述高反射DBR層的厚度為6.0um。高反射DBR層中SiO2與Ti3O5的厚度比為1：1。步驟4）中金屬電極選用金電極、銀電極或銅電極中的任意一種。步驟3）中導電層為銦錫氧化物沉積層。實施例3：一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于，該方法的工藝流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具體步驟如下：1）MSA：在GAN上定義出LED芯片圖形大?。?）CBL：沉積一層SiO2電流阻擋層；3）TCL：再沉積一層導電層；4）PAD：在鍍上金屬電極用于導電作業；5）NDBR：在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層；6）PSV：最后鍍上一層SiO2，作為芯片保護層。步驟5）中高反射DBR層由SiO2與Ti3O5交替鍍膜而成，且所述高反射DBR層的厚度為3.0um。高反射DBR層中SiO2與Ti3O5的厚度比為1：1。步驟4）中金屬電極選用金電極、銀電極或銅電極中的任意一種。步驟3）中導電層為銦錫氧化物沉積層。實施例4：一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于，該方法的工藝流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具體步驟如下：1）MSA：在GAN上定義出LED芯片圖形大?。?）CBL：沉積一層SiO2電流阻擋層；3）TCL：再沉積一層導電層；4）PAD：在鍍上金屬電極用于導電作業；5）NDBR：在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層；6）PSV：最后鍍上一層SiO2，作為芯片保護層。步驟5）中高反射DBR層由SiO2與Ti3O5交替鍍膜而成，且所述高反射DBR層的厚度為5.0um。高反射DBR層中SiO2與Ti3O5的厚度比為1：1。步驟4）中金屬電極選用金電極、銀電極或銅電極中的任意一種。步驟3）中導電層為銦錫氧化物沉積層。性能測試在K070491條件下，使用實施例1中技術方案制得的LED芯片記為K070491_06GV，使用現有技術方案制得的LED芯片記為K070491_08G本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于，該方法的工藝流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具體步驟如下：/n1）MSA：在GAN上定義出LED芯片圖形大??；/n2）CBL：沉積一層SiO

【技術特征摘要】
1.一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于，該方法的工藝流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具體步驟如下：
1）MSA：在GAN上定義出LED芯片圖形大小；
2）CBL：沉積一層SiO2電流阻擋層；
3）TCL：再沉積一層導電層；
4）PAD：在鍍上金屬電極用于導電作業；
5）NDBR：在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層；
6）PSV：最后鍍上一層SiO2，作為芯片保護層。


2.如權利要求1所述的一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于：步驟5）中所述高反射DBR層由SiO2與Ti3O5交替鍍膜而成，且所述高反射DBR層的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王帥，程葉，楊猛，王利明，凌華山，
申請(專利權)人：聚燦光電科技宿遷有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇;32