一種已輻照激活二次中子源組件的存儲結構制造技術

本實用新型專利技術提供一種已輻照激活二次中子源組件的存儲結構，所述存儲結構包括圓柱形容器、柵格單元、至少一個適配器和多個屏蔽組件，其中設置在圓柱形容器底部的金屬片交叉設置形成柵格單元，至少一個適配器豎直地設置在所述圓柱形容器中心線附近的柵格單元內，多個屏蔽組件圍繞至少一個適配器設置在柵格單元中；適配器包括底座、多個平行支撐面、四根支撐柱以及多根空心存儲管，其中多個平行支撐面水平間隔地設置底座上方，且底座和平行支撐面均為長方形，所述四根支撐柱分別設置在底座和多個平行支撐面四個角上，在最上方的平行支撐面以及底座之間設置多根空心存儲管。通過本實用新型專利技術，解決了現有暫缺乏安全有效的存儲運輸設備問題。

【技術實現步驟摘要】
一種已輻照激活二次中子源組件的存儲結構
本技術涉及核
，尤其涉及一種已輻照激活二次中子源組件的存儲結構。
技術介紹
在核電廠反應堆的裝料和啟動過程中，為了確保臨界安全，整個過程應處于中子探測器的有效監督之下。反應堆初期運行之前或者長期停堆之后，裝料和啟動過程中堆芯內中子很少，堆外探測器可能無法探測到堆芯內的中子注量率水平。為此，堆芯內通常裝有中子源組件，它們所產生的中子經過次臨界增殖后產生足夠多的中子數，使得中子探測器能夠探測到堆內中子水平。核電廠反應堆通常使用兩種類型的中子源，它們是一次中子源(252Cf)和二次中子源(Sb-Be)。一次中子源價格昂貴、半衰期長，通常在反應堆首循環中使用；二次中子源價格便宜、半衰期短，需要提前在反應堆中輻照激活以供后續循環使用。一次中子源供應受限于美國和俄羅斯，核電廠反應堆首循環堆芯一次中子源供應存在較大風險。將已在其它反應堆中輻照激活的二次中子源用于反應堆首循環的裝料和啟動過程，代替反應堆首循環一次中子源，既能為核電廠節約成本又能保障首循環中子源供應。二次中子源組件在已運行反應堆中輻照激活后具有很強的中子和γ放射性。已輻照激活的二次中子源組件從已運行反應堆卸出后，暫缺乏安全有效的存儲運輸設備。
技術實現思路
本技術所要解決的技術問題在于，提供一種已輻照激活二次中子源組件的存儲結構，用于解決現有的缺乏安全有效存儲運輸二次中子源組件設備的問題。本技術提供了一種已輻照激活二次中子源組件的存儲結構，所述已輻照激活二次中子源組件的存儲結構包括圓柱形容器、設置在圓柱形容器底部的柵格單元、至少一個適配器和多個屏蔽組件，其中：設置在圓柱形容器底部的金屬片交叉設置形成柵格單元，所述至少一個適配器豎直地設置在所述圓柱形容器中心線附近的柵格單元內，所述多個屏蔽組件圍繞所述至少一個適配器設置在柵格單元中；所述適配器包括底座、多個平行支撐面、四根支撐柱以及多根空心存儲管，其中所述多個平行支撐面水平間隔地設置在所述底座上方，且所述底座和所述平行支撐面均為長方形，所述四根支撐柱分別設置在所述底座和所述多個平行支撐面四個角上，在所述最上方的平行支撐面以及底座之間設置多根空心存儲管，在所述最上方的平行支撐面圍繞所述多根空心存儲管設置有多個開孔；在所述空心存儲管中設置所述已輻照激活二次中子源組件的中子源棒，在所述多個開孔中設置所述已輻照激活二次中子源組件的阻流塞棒，在所述最上方的平行支撐面上布置二次中子源組件的上部壓緊部件。進一步地，所述柵格單元、底座、平行支撐面為正方形；所述屏蔽組件的橫截面為正方形。進一步地，所述屏蔽組件為長方體，所述屏蔽組件的高度和所述至少一個適配器的高度相等。進一步地，所述屏蔽組件為實心的γ射線屏蔽體。進一步地，所述實心的γ射線屏蔽體組成材質為不銹鋼。進一步地，圍繞所述多個屏蔽組件設置空置柵格單元。實施本技術，具有如下有益效果：通過本技術，在容器中設置柵格單元，在中心柵格單元中設置適配器存儲二次中子源組件，在二次中子源組件四周設置屏蔽組件，解決了現有的暫缺乏安全有效的存儲運輸設備的問題。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本技術實施例提供的已輻照激活二次中子源組件的存儲結構的結構圖。圖2是本技術實施例提供的適配器的結構圖。圖3是本技術實施例提供的已輻照激活二次中子源組件的結構圖。具體實施方式本專利中，在容器中設置柵格單元，中心的柵格單元設置適配器存儲二次中子源組件，在適配器周圍布置屏蔽組件以屏蔽γ射線輻射，以下結合附圖和實施例對該具體實施方式做進一步說明。如圖1所示，本技術實施例提供了已輻照激活二次中子源組件的存儲結構，所述已輻照激活二次中子源組件的存儲結構包括圓柱形容器1、設置在圓柱形容器底部的柵格單元、二個適配器4和多個屏蔽組件3，其中：設置在圓柱形容器1底部的金屬片交叉設置形成柵格單元，所述二個適配器4豎直地設置在所述圓柱形容器1中心線附近的柵格單元內，所述多個屏蔽組件3圍繞所述二個適配器4設置在柵格單元中；需要說明的是，在所述存儲結構中必須存儲至少一個適配器4，才能夠存儲二次中子源組件，適配器4設置在中心線附近是為了使得適配器4盡量位于中間，使得二次中子源組件盡量遠離圓柱形容器1的外部，并方便周圍的屏蔽組件3進行屏蔽輻射，從而有利于降低圓柱形容器1外部的輻射劑量率。參考圖2并結合圖3，所述適配器4包括底座41、多個平行支撐面42、四根支撐柱43以及四根空心存儲管44，其中所述多個平行支撐面42水平間隔地設置在所述底座41上方，且所述底座41和所述平行支撐面42均為長方形，所述四根支撐柱43分別設置在所述底座41和所述多個平行支撐面42四個角上，在所述最上方的平行支撐面42以及底座41之間設置四根空心存儲管44，所述空心存儲管44用于存儲已輻照激活二次中子源組件的中子源棒51；在所述最上方的平行支撐面42上圍繞所述四根空心存儲管44設置有多個開孔，在所述多個開孔中設置所述已輻照激活二次中子源組件的阻流塞棒52，在所述最上方的平行支撐面42上布置所述已輻照激活二次中子源組件的上部壓緊部件53。需要說明的是，本實施例中設置四根空心存儲管44，但是具體設置空心存儲管44的數量與容器大小以及二次中子源組件規格有關系。具體地，所述柵格單元、底座41、平行支撐面42為正方形；所述屏蔽組件3的橫截面為正方形。需要說明的是，正方形為特殊的長方形，所述柵格單元、所述底座41、平行支撐面42以及所述屏蔽組件3的橫截面均為正方形，因為設置正方形最節省面積。具體地，所述屏蔽組件3為長方體，所述屏蔽組件3的高度和所述至少一個適配器4的高度相等；所述屏蔽組件3為實心的γ射線屏蔽體。需要說明的是，屏蔽組件3的高度與適配器4相等，屏蔽輻射效果較好；如果屏蔽組件3高度比適配器4小，則屏蔽輻射效果會差很多。具體地，所述實心的γ射線屏蔽體組成材質為不銹鋼。具體地，圍繞所述多個屏蔽組件3設置空置柵格單元2。需要說明的是，空置柵格單元2用于在放置和取出二次中子源組件周轉時使用。實施本技術，具有如下有益效果：通過本技術，在容器中設置柵格單元，在中心柵格單元中設置適配器存儲二次中子源組件，在二次中子源組件四周設置屏蔽組件，解決了現有的暫缺乏安全有效的存儲運輸設備的問題。以上內容是結合具體的優選實施方式對本技術所作的進一步詳細說明，不能認定本技術的具體實施只局限于這些說明。對于本技術所屬
的普通技術人員來說，在不脫離本技術構思的前提下，還可以做出若干本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種已輻照激活二次中子源組件的存儲結構，其特征在于，所述已輻照激活二次中子源組件的存儲結構包括圓柱形容器(1)、設置在圓柱形容器底部的柵格單元、至少一個適配器(4)和多個屏蔽組件(3)，其中：/n設置在圓柱形容器(1)底部的金屬片交叉設置，所述金屬片交叉設置用于形成的所述柵格單元；/n所述至少一個適配器(4)豎直地設置在所述圓柱形容器(1)中心線附近的柵格單元內，所述多個屏蔽組件(3)圍繞所述至少一個適配器(4)設置在柵格單元中；/n所述適配器(4)包括底座(41)、多個平行支撐面(42)、四根支撐柱(43)以及多根空心存儲管(44)，其中所述多個平行支撐面(42)水平間隔地設置在所述底座(41)上方，且所述底座(41)和所述平行支撐面(42)均為長方形，所述四根支撐柱(43)分別設置在所述底座(41)和所述多個平行支撐面(42)四個角上，在所述最上方的平行支撐面(42)以及底座(41)之間設置多根空心存儲管(44)，在所述最上方的平行支撐面(42)圍繞所述多根空心存儲管(44)設置有多個開孔；/n在所述空心存儲管(44)中設置所述已輻照激活二次中子源組件的中子源棒(51)，在所述多個開孔中設置所述已輻照激活二次中子源組件的阻流塞棒(52)，在所述最上方的平行支撐面(42)上布置所述已輻照激活二次中子源組件的上部壓緊部件(53)。/n...

【技術特征摘要】
1.一種已輻照激活二次中子源組件的存儲結構，其特征在于，所述已輻照激活二次中子源組件的存儲結構包括圓柱形容器(1)、設置在圓柱形容器底部的柵格單元、至少一個適配器(4)和多個屏蔽組件(3)，其中：
設置在圓柱形容器(1)底部的金屬片交叉設置，所述金屬片交叉設置用于形成的所述柵格單元；
所述至少一個適配器(4)豎直地設置在所述圓柱形容器(1)中心線附近的柵格單元內，所述多個屏蔽組件(3)圍繞所述至少一個適配器(4)設置在柵格單元中；
所述適配器(4)包括底座(41)、多個平行支撐面(42)、四根支撐柱(43)以及多根空心存儲管(44)，其中所述多個平行支撐面(42)水平間隔地設置在所述底座(41)上方，且所述底座(41)和所述平行支撐面(42)均為長方形，所述四根支撐柱(43)分別設置在所述底座(41)和所述多個平行支撐面(42)四個角上，在所述最上方的平行支撐面(42)以及底座(41)之間設置多根空心存儲管(44)，在所述最上方的平行支撐面(42)圍繞所述多根空心存儲管(44)設置有多個開孔；
在所述空心存儲管(44)中設置所述已輻照激活二...

【專利技術屬性】
技術研發人員：蘇耿華，包鵬飛，蔡進，代明亮，
申請(專利權)人：中廣核研究院有限公司，中國廣核集團有限公司，中國廣核電力股份有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44