本實用新型專利技術(shù)屬于微流控芯片發(fā)光免疫檢測技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片以及檢測系統(tǒng)。芯片包括頂板和底板，頂板包括加樣部、標(biāo)記配體存儲部和樣本混合區(qū)，樣本混合區(qū)分別與加樣部與標(biāo)記配體存儲部相互連通；底板包括導(dǎo)流區(qū)、磁顆粒包被部、清洗區(qū)、檢測區(qū)和清洗液存儲部，導(dǎo)流區(qū)內(nèi)部設(shè)有高度低于磁顆粒包被部底璧的凹槽以及設(shè)在凹槽上并連接磁顆粒包被部的導(dǎo)流部。樣本從加樣部進(jìn)入，在樣本混合區(qū)與標(biāo)記配體相互混合，再進(jìn)入導(dǎo)流區(qū)的凹槽，需通過毛細(xì)作用才能夠吸走凹槽中的樣本，并且由于截斷槽和阻斷部的作用，樣本只能從導(dǎo)流部進(jìn)入磁顆粒包被部，再與磁顆粒配體混合反應(yīng)，并在清洗區(qū)清洗之后，在檢測區(qū)實現(xiàn)發(fā)光檢測。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片以及檢測系統(tǒng)
本技術(shù)屬于微流控芯片發(fā)光免疫檢測
，尤其涉及一種磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片以及檢測系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
目前，體外診斷(IVD)主要有兩種發(fā)展趨勢：一種是自動化、一體集成化，即利用大型醫(yī)院配套的中心實驗室的全自動化、高靈敏的大型儀器設(shè)備，實現(xiàn)高精度的疾病分析診斷；另一種小型化、床旁化，即通過掌上小型簡易設(shè)備，實現(xiàn)現(xiàn)場快速分析診斷。但是，小型醫(yī)院資金不足、樣本量少，并不適合購買價格昂貴的大型設(shè)備。由此，現(xiàn)階段大多醫(yī)院采用的快速檢測設(shè)備主要是試紙條及其配套設(shè)備，但試紙條只能實現(xiàn)定性或半定量檢測，檢測靈敏度低、特異性差、重復(fù)性差、受干擾明顯。由于中國人口眾多，老齡化加劇，發(fā)病率劇增，單純依靠大型醫(yī)院已不堪重負(fù)。因此研制操作簡便、靈敏度高、重復(fù)性好和定量準(zhǔn)確的快速檢測方法和設(shè)備變得極為迫切。微流控芯片技術(shù)是把生物、化學(xué)、醫(yī)學(xué)分析過程的樣品制備、反應(yīng)、分離、檢測等基本操作單元集成到一塊微米尺度的芯片上，自動完成分析全過程。由于它在生物、化學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的巨大潛力，已經(jīng)發(fā)展成為一個生物、化學(xué)、醫(yī)學(xué)、流體、材料、機(jī)械等多學(xué)科交叉的研究領(lǐng)域，被應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)研究、生化檢測、司法鑒定等領(lǐng)域。但是，現(xiàn)有微流控芯片設(shè)有頂板和底板，當(dāng)樣本從頂板流向底板時，由于底板的溝道是處于同一水平，樣本由于重力作用會自動順著溝道導(dǎo)向往后流動。而在有些檢測項目中，只需在樣本中取少量即可完成檢測分析，若是樣本從頂板流到底板，并直接在底板中流動的話，會大大影響最終的檢測結(jié)果，造成檢測結(jié)果的錯誤。并且，樣本是順著底板的溝道流過，未能對樣本的流經(jīng)路徑做限定，無法保證流向檢測區(qū)的樣本得到完全過濾，進(jìn)一步影響最終的檢測結(jié)果。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)實施例提供一種磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片以及檢測系統(tǒng)，旨在解決現(xiàn)有在微流控芯片中樣本從頂板流向底板之后，直接在底板中流動，并且無法限定樣本的流經(jīng)路徑的問題。本技術(shù)實施例是這樣實現(xiàn)的，提供一種磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片，所述芯片包括：頂板，所述頂板包括加樣部、標(biāo)記配體存儲部以及樣本混合區(qū)，所述標(biāo)記配體存儲部內(nèi)部設(shè)有標(biāo)記配體，所述樣本混合區(qū)分別與所述加樣部與所述標(biāo)記配體存儲部相互連通；設(shè)在所述頂板上的底板，所述底板包括與所述樣本混合區(qū)相互連通的導(dǎo)流區(qū)、與所述導(dǎo)流區(qū)相互連通的磁顆粒包被部、與所述磁顆粒包被部相互連通的清洗區(qū)、與所述清洗區(qū)相互連通的檢測區(qū)、與所述清洗區(qū)相互連通的清洗液存儲部，所述導(dǎo)流區(qū)內(nèi)部設(shè)有高度低于所述磁顆粒包被部底璧的凹槽、設(shè)在所述凹槽上并連接所述磁顆粒包被部的導(dǎo)流部、設(shè)在所述導(dǎo)流部前端下方的截斷槽以及設(shè)在所述導(dǎo)流部上的阻斷部，所述磁顆粒包被部內(nèi)部設(shè)有磁顆粒配體溶液，所述清洗液存儲部內(nèi)部設(shè)有清洗液。更進(jìn)一步地，所述頂板上還包括與所述加樣部相互連通的氣泵。更進(jìn)一步地，所述頂板在所述氣泵和所述樣本混合區(qū)的對應(yīng)位置設(shè)有彈性件。更進(jìn)一步地，所述氣泵的內(nèi)部設(shè)有多孔彈性件。更進(jìn)一步地，所述加樣部包括加樣口以及用于打開或封閉所述加樣口的封蓋，所述加樣部還包括設(shè)在所述加樣口上的橡膠圈。更進(jìn)一步地，所述頂板和所述底板在相互對應(yīng)的位置均設(shè)有限位缺口。更進(jìn)一步地，所述頂板上設(shè)有第一卡扣或第一卡槽，所述底板上設(shè)有第二卡槽或第二卡扣，通過所述第一卡扣與所述第二卡槽的相互配合，或者通過所述第一卡槽與所述第二卡扣的相互配合，以使所述頂板與所述底板相互扣合。更進(jìn)一步地，所述底板的至少一側(cè)的部分或全部區(qū)域設(shè)有單面黏性物質(zhì)。更進(jìn)一步地，所述頂板或所述底板的表面設(shè)有產(chǎn)品標(biāo)簽，所述頂板或所述底板的表面設(shè)有二維碼標(biāo)簽。更進(jìn)一步地，所述頂板在與所述磁顆粒包被部、所述清洗區(qū)和所述檢測區(qū)的對應(yīng)連通軌道上設(shè)有磁吸讓位孔。更進(jìn)一步地，所述底板還包括與清洗區(qū)相互連通的廢液池。更進(jìn)一步地，所述底板還包括與所述檢測區(qū)相互連通的發(fā)光液存儲部，所述發(fā)光液存儲部的內(nèi)部設(shè)有發(fā)光液。更進(jìn)一步地，所述頂板在所述清洗液存儲部和所述發(fā)光液存儲部的對應(yīng)位置設(shè)有清洗液讓位孔和發(fā)光液讓位孔。更進(jìn)一步地，所述標(biāo)記配體存儲部的內(nèi)部設(shè)有熒光液。本技術(shù)還提供一種磁微粒發(fā)光雙層微流控檢測系統(tǒng)，所述檢測系統(tǒng)包括：如上所述的磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片；用于帶動所述磁顆粒配體溶液中的磁顆粒移動的磁鐵單元；用于擠破所述標(biāo)記配體存儲部和所述清洗液存儲部，以使所述標(biāo)記配體和所述清洗液流出的擠壓單元；用于檢測所述檢測區(qū)中的發(fā)光信號的檢測單元。本技術(shù)的有益效果在于，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)通過設(shè)計一種磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片以及檢測系統(tǒng)，樣本從加樣部進(jìn)入，在樣本混合區(qū)與標(biāo)記配體相互混合，再進(jìn)入導(dǎo)流區(qū)的凹槽，由于凹槽低于磁顆粒包被部底壁，需通過毛細(xì)作用才能夠吸走凹槽中的樣本，并且由于截斷槽和阻斷部的作用，樣本只能從導(dǎo)流部進(jìn)入磁顆粒包被部，再與磁顆粒配體充分混合反應(yīng)，并在清洗區(qū)得到清洗液的清洗之后，在檢測區(qū)實現(xiàn)發(fā)光檢測。附圖說明圖1是本技術(shù)實施例提供的磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片的分解示意圖；圖2是圖1的局部放大圖；圖3是本技術(shù)實施例提供的磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片的另一分解示意圖。具體實施方式為了使本技術(shù)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本技術(shù)，并不用于限定本技術(shù)。本技術(shù)通過設(shè)計一種磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片以及檢測系統(tǒng)，樣本從加樣部11進(jìn)入，在樣本混合區(qū)13與標(biāo)記配體相互混合，再進(jìn)入導(dǎo)流區(qū)21的凹槽211，由于凹槽211低于磁顆粒包被部22底壁，需通過毛細(xì)作用才能夠吸走凹槽211中的樣本，樣本從導(dǎo)流部212進(jìn)入磁顆粒包被部22，再與磁顆粒配體充分混合反應(yīng)，并在清洗區(qū)23得到清洗液的清洗之后，在檢測區(qū)24實現(xiàn)發(fā)光檢測。實施例一參考圖1和圖2，本實施例一提供一種磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片，磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片包括頂板1和設(shè)在頂板1上的底板2。頂板1包括加樣部11、標(biāo)記配體存儲部12以及樣本混合區(qū)13，標(biāo)記配體存儲部12內(nèi)部設(shè)有標(biāo)記配體，樣本混合區(qū)13分別與加樣部11與標(biāo)記配體存儲部12相互連通。底板2包括與樣本混合區(qū)13相互連通的導(dǎo)流區(qū)21、與導(dǎo)流區(qū)21相互連通的磁顆粒包被部22、與磁顆粒包被部22相互連通的清洗區(qū)23、與清洗區(qū)23相互連通的檢測區(qū)24、與清洗區(qū)23相互連通的清洗液存儲部25，導(dǎo)流區(qū)21內(nèi)部設(shè)有高度低于磁顆粒包被部22底璧的凹槽211、設(shè)在凹槽211上并連接磁顆粒包被部22的導(dǎo)流部212、設(shè)在所述導(dǎo)流部212前端下方的截斷槽213以及設(shè)在所述導(dǎo)流部212上的阻斷部214，導(dǎo)流部212可選為濾血膜，阻斷部214可選為塑料紙，截斷槽213的底壁同樣設(shè)有濾血膜，截斷槽213的高度低于凹槽211的高度，磁顆粒包被部22內(nèi)部設(shè)有磁顆粒配體溶液，清洗液存儲部25內(nèi)部設(shè)有清洗液。舉樣本為全血樣本為例，可將本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片，其特征在于，所述芯片包括：/n頂板，所述頂板包括加樣部、標(biāo)記配體存儲部以及樣本混合區(qū)，所述標(biāo)記配體存儲部內(nèi)部設(shè)有標(biāo)記配體，所述樣本混合區(qū)分別與所述加樣部與所述標(biāo)記配體存儲部相互連通；/n設(shè)在所述頂板上的底板，所述底板包括與所述樣本混合區(qū)相互連通的導(dǎo)流區(qū)、與所述導(dǎo)流區(qū)相互連通的磁顆粒包被部、與所述磁顆粒包被部相互連通的清洗區(qū)、與所述清洗區(qū)相互連通的檢測區(qū)、與所述清洗區(qū)相互連通的清洗液存儲部，所述導(dǎo)流區(qū)內(nèi)部設(shè)有高度低于所述磁顆粒包被部底璧的凹槽、設(shè)在所述凹槽上并連接所述磁顆粒包被部的導(dǎo)流部、設(shè)在所述導(dǎo)流部前端下方的截斷槽以及設(shè)在所述導(dǎo)流部上的阻斷部，所述磁顆粒包被部內(nèi)部設(shè)有磁顆粒配體溶液，所述清洗液存儲部內(nèi)部設(shè)有清洗液。/n
【技術(shù)特征摘要】
1.一種磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片，其特征在于，所述芯片包括：
頂板，所述頂板包括加樣部、標(biāo)記配體存儲部以及樣本混合區(qū)，所述標(biāo)記配體存儲部內(nèi)部設(shè)有標(biāo)記配體，所述樣本混合區(qū)分別與所述加樣部與所述標(biāo)記配體存儲部相互連通；
設(shè)在所述頂板上的底板，所述底板包括與所述樣本混合區(qū)相互連通的導(dǎo)流區(qū)、與所述導(dǎo)流區(qū)相互連通的磁顆粒包被部、與所述磁顆粒包被部相互連通的清洗區(qū)、與所述清洗區(qū)相互連通的檢測區(qū)、與所述清洗區(qū)相互連通的清洗液存儲部，所述導(dǎo)流區(qū)內(nèi)部設(shè)有高度低于所述磁顆粒包被部底璧的凹槽、設(shè)在所述凹槽上并連接所述磁顆粒包被部的導(dǎo)流部、設(shè)在所述導(dǎo)流部前端下方的截斷槽以及設(shè)在所述導(dǎo)流部上的阻斷部，所述磁顆粒包被部內(nèi)部設(shè)有磁顆粒配體溶液，所述清洗液存儲部內(nèi)部設(shè)有清洗液。
2.如權(quán)利要求1所述的磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片，其特征在于，所述頂板上還包括與所述加樣部相互連通的氣泵。
3.如權(quán)利要求2所述的磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片，其特征在于，所述頂板在所述氣泵和所述樣本混合區(qū)的對應(yīng)位置設(shè)有彈性件。
4.如權(quán)利要求2所述的磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片，其特征在于，所述氣泵的內(nèi)部設(shè)有多孔彈性件。
5.如權(quán)利要求1所述的磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片，其特征在于，所述加樣部包括加樣口以及用于打開或封閉所述加樣口的封蓋，所述加樣部還包括設(shè)在所述加樣口上的橡膠圈。
6.如權(quán)利要求1所述的磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片，其特征在于，所述頂板和所述底板在相互對應(yīng)的位置均設(shè)有限位缺口。
7.如權(quán)利要求1所述的磁微粒發(fā)光雙層微流控芯片，其特征在于，所述頂板上設(shè)有第一卡扣或第一卡槽，所述底板上設(shè)有第二卡槽或第二卡扣，通過所述第一卡扣與所述第二...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王東，范玉霞，李泉，
申請(專利權(quán))人：深圳華邁興微醫(yī)療科技有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44
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