【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
基于氣液控制的多波段兼容型智能光學(xué)偽裝材料
本專利技術(shù)涉及一種基于氣液控制的多波段兼容型智能光學(xué)偽裝材料,涉及多波段兼容隱身
技術(shù)介紹
現(xiàn)代戰(zhàn)場上的精確制導(dǎo)和偵察技術(shù)已經(jīng)日益多樣化,現(xiàn)代化戰(zhàn)爭已不能否認(rèn)“目標(biāo)被發(fā)現(xiàn)即意味著會摧毀”的事實。隱身技術(shù)是躲避摧毀與達成突襲的重要手段,可以分為雷達隱身、紅外隱身、激光隱身、可見光隱身等形式。現(xiàn)有隱身技術(shù)大都存在功能單一、頻段兼容不夠?qū)挕討B(tài)可調(diào)可控性差等局限性,無法同時應(yīng)對多種手段的聯(lián)合探測,也無法適應(yīng)跨時空的背景變化。目前,歐美國家逐步已在一定程度上實現(xiàn)雷達、紅外以及可見光的多頻譜兼容隱身,但智能偽裝的工程化應(yīng)用卻未見報道。中國研究起步較晚,多頻譜兼容隱身技術(shù)也還沒有得到很好的實裝應(yīng)用。當(dāng)前靜態(tài)偽裝技術(shù)在特定的戰(zhàn)場背景環(huán)境下能起到較好的隱藏偽裝效果,卻無法在裝備機動過程中適應(yīng)差異的多域復(fù)雜背景變化。因此傳統(tǒng)隱身技術(shù)已逐漸不能滿足未來戰(zhàn)場動態(tài)偽裝需求,智能偽裝技術(shù)與多頻譜兼容偽裝技術(shù)都迫切的亟待協(xié)同發(fā)展。當(dāng)前智能變色偽裝技術(shù)的基礎(chǔ)性關(guān)鍵研究主要集中于電致變色、光致變色、熱致變色等功能材料領(lǐng)域,但還存在與其他隱身波段兼容性差、變色功能單一等困境。現(xiàn)在多頻譜兼容隱身技術(shù)研究范疇的難點之一就是無法解決紅外隱身與激光隱身的兼容性。被動式紅外探測器的工作波段利用短波1~2.5μm、中波3~5μm和長波8~14μm三個紅外大氣窗口波段,通常期望對熱紅外光波具備高反射率,減小紅外熱吸收,實現(xiàn)紅外低發(fā)射率而達到較好紅外隱身效果。然而,激光探測器是一種主動有源式探測,工作波段 ...
【技術(shù)保護點】
1.一種基于氣液控制的多波段兼容型智能光學(xué)偽裝材料,其特征在于:其異質(zhì)膜系結(jié)構(gòu)為:由①變色膜層結(jié)構(gòu)B[AB]
【技術(shù)特征摘要】 【專利技術(shù)屬性】
1.一種基于氣液控制的多波段兼容型智能光學(xué)偽裝材料,其特征在于:其異質(zhì)膜系結(jié)構(gòu)為:由①變色膜層結(jié)構(gòu)B[AB]n,與②紅外與激光兼容偽裝的調(diào)控膜層結(jié)構(gòu)[CD]mD[CD]m或/和③紅外偽裝調(diào)控膜層結(jié)構(gòu)[EF]i組合構(gòu)成;其中,B、C、D、F為固態(tài)材料層,固態(tài)材料選自ZnS、ZnSe、GaAs、PbTe、Al2O3、SiO2、TiO2、Si、Si3N4、MgF2、PbF2;A、E為空氣層;膜層排列系數(shù)n、m、i代表周期性交替排列的次數(shù),n、i取值2~6的整數(shù),m取值2;
所述變色膜層結(jié)構(gòu)B[AB]n為空氣層A與固態(tài)材料層B交替構(gòu)成的層狀柵格結(jié)構(gòu);空氣層A的厚度dA為80~180nm,固態(tài)材料層B的厚度dB為50~120nm;固態(tài)材料B的折射率為nB,單周期AB兩膜層的厚度關(guān)系存在200nm≤dA+nBdB≤300nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氣液控制的多波段兼容型智能光學(xué)偽裝材料,其特征在于:所述異質(zhì)膜系結(jié)構(gòu)為:B[AB]n[CD]mD[CD]m,若C、D兩膜層介質(zhì)的折射率分別為nC、nD,C、D兩膜層厚度分別為dC、dD,則存在以下關(guān)系:
①nCdC≈nDdD≈2650nm,且nCdC+nDdD=5300nm;
或:②nCdC≈nDdD≈265nm,且nCdC+nDdD=530nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于氣液控制的多波段兼容型智能光學(xué)偽裝材料,其特征在于:所述A為空氣層,折射率nA為1;B、D介質(zhì)膜層材料為氧化硅,折射率nB、nD為1.46;C介質(zhì)膜層材料為碲化鉛,折射率nC為5.6;n=6,m=2;
變色膜層結(jié)構(gòu)B[AB]n,單周期AB的兩膜層厚度分別為dA、dB,A空氣層厚度dA為100nm,B介質(zhì)膜層厚度dB為100nm;
8~14μm遠紅外與10.6μm激光兼容偽裝的調(diào)控膜層結(jié)構(gòu)[CD]mD[CD]m,CD兩介質(zhì)膜層厚度分別為dC、dD,C介質(zhì)膜層厚度dC為473nm,D介質(zhì)膜層厚度dD為1815nm;
或:所述A為空氣層,折射率nA為1;B、C介質(zhì)膜層材料為氧化鈦,折射率nB、nC為2.6;D介質(zhì)膜層材料為氧化硅,折射率nD為1.46;n=6,m=2;
變色膜層結(jié)構(gòu)B[AB]n,單周期AB的兩膜層厚度分別為dA、dB,A空氣層厚度dA為140nm,B介質(zhì)膜層厚度dB為60nm;
1~2.5μm近紅外與1.06μm激光兼容偽裝的調(diào)控膜層結(jié)構(gòu)[CD]mD[CD]m,CD兩介質(zhì)膜層厚度分別為dC、dD,C介質(zhì)膜層厚度dC為102nm,D介質(zhì)膜層厚度dD為181nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氣液控制的多波段兼容型智能光學(xué)偽裝材料,其特征在于:所述異質(zhì)膜系結(jié)構(gòu)為:B[AB]n[EF]i,若E、F兩膜層介質(zhì)的折射率分別為nE、nF,EF兩膜層厚度分別為dE、dF,則存在關(guān)系:nEdE+nFdF=λ/2,λ在3~5μm、10~12μm范圍內(nèi)取值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于氣液控制的多波段兼容型智能光學(xué)偽裝材料,其特征在于:所述A、E為空氣層,折射率nA、nE為1;B介質(zhì)膜層材料為硫化鋅,折射率nB為2.2;F介質(zhì)膜層材料為氧化硅,折射率nF為1.46;n=4,i=4;
變色膜層結(jié)構(gòu)B[AB]n,單周期AB的兩膜層厚度分別為dA、dB,A空氣層厚度dA為100nm,B介質(zhì)膜層厚度dB為80nm;
紅外偽裝調(diào)控膜層[EF]i,EF兩介質(zhì)膜層厚度分別為dE、dF,E介質(zhì)膜層厚度dE為2375nm,F(xiàn)介質(zhì)膜層厚度dF為1800nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氣液控制的多波段兼容型智能光學(xué)偽裝材料,其特征在于:所述異質(zhì)膜系結(jié)構(gòu)為:B[AB]n[CD]mD[CD]m[EF]i或B[AB]n[EF]i[CD]mD[CD]m;
若C、D兩膜層介質(zhì)的折射率分別為nC、nD,CD兩膜層厚度分別為dC、dD,則存在以下關(guān)系:
①nCdC=nDdD≈2650nm,且nCdC+nDdD=5300nm;
或:②nCdC=nDdD≈265nm,且nCdC+nDdD=530nm;
若E、F兩膜層介質(zhì)的折射率分別為nE、nF,EF兩膜層厚度分別為dE、dF,則存在關(guān)系:nEdE+nFdF=λ/2,λ在3~5μm、10~12μm范圍內(nèi)取值。
技術(shù)研發(fā)人員:王龍,汪劉應(yīng),唐修檢,劉顧,陽能軍,田欣利,趙文博,
申請(專利權(quán))人:中國人民解放軍火箭軍工程大學(xué),
類型:發(fā)明
國別省市:陜西;61
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