一種WPCW管結構制造技術

本發明專利技術公開了一種WPCW管結構，包括襯底，所述襯底上設有化合物參雜。本發明專利技術通過襯底結合化合物參雜，結構更加簡單，不僅沒有寄生電容或寄生電阻，而且沒有電遷移效應，實現功耗低，不易受電磁干擾，另外帶寬更高、生產工藝簡單。

【技術實現步驟摘要】
一種WPCW管結構
本專利技術涉及數字IC
，具體來說，涉及一種WPCW管結構。
技術介紹
IC就是半導體元件產品的統稱，IC按功能可分為：數字IC、模擬IC、微波IC及其他IC。數字IC就是傳遞、加工、處理數字信號的IC，是近年來應用最廣、發展最快的IC品種，可分為通用數字IC和專用數字IC。通用IC：是指那些用戶多、使用領域廣泛、標準型的電路，如存儲器(DRAM)、微處理器(MPU)及微控制器(MCU)等，反映了數字IC的現狀和水平。專用IC(ASIC)：是指為特定的用戶、某種專門或特別的用途而設計的電路。目前市場上普遍使用的數字IC單元為MOS管，通過基本單元的組合形成基本電路結構再將基本電路結構組合成擁有目標功能的芯片電路，目前現有的技術存在寄生效應、發熱、電遷移效應、容易受到電磁干擾的問題。針對相關技術中的問題，目前尚未提出有效的解決方案。
技術實現思路
針對相關技術中的問題，本專利技術提出一種WPCW管結構，通過襯底結合化合物參雜，結構更加簡單，不僅沒有寄生電容或寄生電阻，而且沒有電遷移效應，實現功耗低，不易受電磁干擾，另外帶寬更高、生產工藝簡單，以克服現有相關技術所存在的上述技術問題。本專利技術的技術方案是這樣實現的：一種WPCW管結構，包括襯底，所述襯底上設有化合物參雜。進一步的，所述化合物參雜為光致發光參雜或光致變色參雜。進一步的，所述襯底為二氧化硅、半導體或聚合物。本專利技術的有益效果：本專利技術通過襯底結合化合物參雜，結構更加簡單，不僅沒有寄生電容或寄生電阻，而且沒有電遷移效應，實現功耗低，不易受電磁干擾，另外帶寬更高、生產工藝簡單。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是根據本專利技術實施例的一種WPCW管結構的結構示意圖；圖2是根據本專利技術實施例的一種WPCW管結構的連接示意圖；圖3是根據本專利技術實施例的一種WPCW管結構的場景示意圖一；圖4是根據本專利技術實施例的一種WPCW管結構的場景示意圖二；圖5是根據本專利技術實施例的一種WPCW管結構的場景示意圖三；圖6是根據本專利技術實施例的一種WPCW管結構的應用示意圖；圖7是根據本專利技術實施例的一種WPCW管結構的應用平面示意圖；圖8是根據本專利技術實施例的一種WPCW管結構的應用電路示意圖。圖中：1、襯底；2、化合物參雜。具體實施方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。根據本專利技術的實施例，提供了一種WPCW管結構。如圖1-2所示，根據本專利技術實施例的WPCW管結構，包括襯底1，所述襯底1上設有化合物參雜2。借助于上述技術方案，通過襯底1結合化合物參雜2，以光為信號，沒有使用電信號時的寄生效應和電遷移效應，直接產生影響的部件是參有光致變色化合物的基本單元，結構更加簡單，不僅沒有寄生電容或寄生電阻，而且沒有電遷移效應，實現功耗低，不易受電磁干擾，另外帶寬更高、生產工藝簡單。其中，所述化合物參雜2為光致發光參雜或光致變色參雜。其中，所述襯底1為二氧化硅、半導體或聚合物。另外，具體的，如圖3所示，化合物參雜2可為變色化合物參雜；如圖4所示，化合物參雜2可為發光化合物參雜；如圖5所示，化合物參雜2可為混合化合物參雜。另外，通過WPCW(WAVEGUIDEPhotosensitivecompoundWAVEGUIDE)即波導-光敏化合物-波導管結構，通過以二氧化硅、半導體材料或聚合物為襯底，用光致變色化合物以傳統芯片工藝，在芯片上做出類似MOS即金屬-氧化物-半導體場效應管的結構，可以用于組成如與門、或門、非門、編碼器、譯碼器、等數字單元。具體的，如圖6-圖8所示，由基本單元組成的二四譯碼器，通過紫外光和紅色可見光為信號的二四譯碼器。綜上所述，借助于本專利技術的上述技術方案，通過襯底1結合化合物參雜2，以光為信號，沒有使用電信號時的寄生效應和電遷移效應，直接產生影響的部件是參有光致變色化合物的基本單元，結構更加簡單，不僅沒有寄生電容或寄生電阻，而且沒有電遷移效應，實現功耗低，不易受電磁干擾，另外帶寬更高、生產工藝簡單。以上所述僅為本專利技術的較佳實施例而已，并不用以限制本專利技術，凡在本專利技術的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本專利技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種WPCW管結構，其特征在于，包括襯底(1)，所述襯底(1)上設有化合物參雜(2)。/n

【技術特征摘要】
1.一種WPCW管結構，其特征在于，包括襯底(1)，所述襯底(1)上設有化合物參雜(2)。


2.根據權利要求1所述的WPCW管結構，其特征在于，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王亞非，
申請(專利權)人：王亞非，
類型：發明
國別省市：廣東;44