一種激光錯(cuò)誤注入設(shè)備制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)實(shí)施例公開了一種激光錯(cuò)誤注入設(shè)備，用于對(duì)芯片進(jìn)行激光錯(cuò)誤注入，包括：激光源，用于發(fā)射激光；變焦耦合鏡，用于調(diào)節(jié)激光在被測芯片上所形成光斑的尺寸；顯微鏡，其光路被設(shè)置為指向被測芯片，包括光路耦合鏡、聚焦鏡、成像鏡、相機(jī)或目鏡；設(shè)備被配置為：激光源發(fā)射的激光經(jīng)變焦耦合鏡后射入顯微鏡光路，在被測芯片上形成光斑，調(diào)節(jié)變焦耦合鏡，以調(diào)節(jié)激光在被測芯片上所形成光斑的尺寸。通過實(shí)施本實(shí)用新型專利技術(shù)實(shí)施例，可較快的確定被測芯片上適合進(jìn)行激光錯(cuò)誤注入的準(zhǔn)確位置，掃描效率高。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種激光錯(cuò)誤注入設(shè)備
本技術(shù)涉及芯片安全檢測領(lǐng)域，尤其涉及一種激光錯(cuò)誤注入設(shè)備。
技術(shù)介紹
在芯片檢測領(lǐng)域，激光錯(cuò)誤注入設(shè)備是常用設(shè)備。芯片的核心工作物質(zhì)為硅，基本工作原理是通過各種手段控制硅中的載流子濃度。當(dāng)強(qiáng)光照射到硅上時(shí)，會(huì)有光電效應(yīng)產(chǎn)生，改變硅中的載流子濃度。光的本質(zhì)是電磁波，當(dāng)光足夠強(qiáng)時(shí)其電磁場也會(huì)影響硅中的電場，改變電場的效果。因此，用激光在合適的位置、合適的時(shí)間照射芯片，可以改變芯片的輸出結(jié)果，這就是激光錯(cuò)誤注入的基本思路。目前業(yè)內(nèi)常用的激光錯(cuò)誤注入設(shè)備都是固定光路設(shè)計(jì)，激光器輸出的光束經(jīng)整形、聚焦后照射到芯片上，形成極小的光斑，在光斑面積內(nèi)的晶體管會(huì)產(chǎn)生工作錯(cuò)誤。但是很多晶體管的錯(cuò)誤并不會(huì)引起整個(gè)芯片的工作錯(cuò)誤，或著引起的錯(cuò)誤不是我們需要的，這就要求找出需要導(dǎo)致芯片工作出錯(cuò)的晶體管。實(shí)際應(yīng)用中，芯片的版圖信息一般為未知，需要對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行逐點(diǎn)掃描來尋找目標(biāo)晶體管。傳統(tǒng)的激光錯(cuò)誤注入以固定大小的光斑和步長掃描芯片，掃描效率低下。因此，如何節(jié)約掃描時(shí)間，提升掃描效率，是本領(lǐng)域亟待解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)實(shí)施例提供一種激光錯(cuò)誤注入設(shè)備，可提高掃描效率，節(jié)約確定錯(cuò)誤注入精確位置的時(shí)間。本技術(shù)實(shí)施例提供的一種激光錯(cuò)誤注入設(shè)備，用于對(duì)芯片進(jìn)行激光錯(cuò)誤注入，包括：激光源，用于發(fā)射激光；變焦耦合鏡，用于調(diào)節(jié)激光在被測芯片上所形成光斑的尺寸；顯微鏡，其光路被設(shè)置為指向被測芯片，包括光路耦合鏡、聚焦鏡、成像鏡、以及相機(jī)或目鏡；所述設(shè)備被配置為：所述激光源發(fā)射的激光經(jīng)變焦耦合鏡后射入顯微鏡光路，在被測芯片上形成光斑。可選的，所述變焦耦合鏡，包括至少兩個(gè)鏡片，通過調(diào)整所述變焦耦合鏡的不同鏡片的間距來調(diào)節(jié)焦距，從而改變輸出光束發(fā)散角，以改變光斑大小。可選的，設(shè)備還包括調(diào)整機(jī)構(gòu)，用于調(diào)整所述不同鏡片的間距。可選的，所述調(diào)整機(jī)構(gòu)為手動(dòng)調(diào)整機(jī)構(gòu)。可選的，所述調(diào)整機(jī)構(gòu)為電動(dòng)調(diào)整機(jī)構(gòu)。可選的，所述激光源發(fā)射的激光經(jīng)變焦耦合鏡后射入顯微鏡光路，在被測芯片上形成光斑，具體為：激光經(jīng)所述變焦耦合鏡射出，經(jīng)顯微鏡光路中的光路耦合鏡和聚焦鏡后，照射在所述被測芯片上形成光斑。可選的，所述光路耦合鏡包括兩個(gè)90°光路耦合鏡。可選的，設(shè)備還包括樣品固定臺(tái)，用于固定被測芯片。可選的，設(shè)備還包括傳動(dòng)裝置，用于控制光斑在被測芯片上采用不同的步長移動(dòng)。可選的，設(shè)備還包括遮光箱，減震平臺(tái)及中控單元。本技術(shù)實(shí)施例，能夠通過變焦耦合鏡調(diào)節(jié)激光在被測芯片上所形成光斑的尺寸，靈活控制光斑的尺寸，能夠支持先以較大光斑和較大步長掃描被測芯片來尋找被測芯片上適合進(jìn)行激光錯(cuò)誤注入的大致位置作為選定區(qū)域；再以較小光斑和較小步長在選定區(qū)域中移動(dòng)光斑，來確定被測芯片上適合進(jìn)行激光錯(cuò)誤注入的準(zhǔn)確位置。通過本技術(shù)實(shí)施例，能夠節(jié)約掃描時(shí)間，有效提升掃描效率。附圖說明為了更清楚地說明本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本技術(shù)實(shí)施例提供的一種激光錯(cuò)誤注入方法實(shí)施例的流程圖；圖2a為本技術(shù)實(shí)施例中第一光斑移動(dòng)及確認(rèn)選定區(qū)域的示意圖；圖2b為本技術(shù)實(shí)施例中選定區(qū)域和第二光斑的示意圖；圖3a為本技術(shù)實(shí)施例提供的激光錯(cuò)誤注入設(shè)備一實(shí)施例示意圖；圖3b為本技術(shù)實(shí)施例提供的激光錯(cuò)誤注入設(shè)備另一實(shí)施例的示意圖。具體實(shí)施方式為使本技術(shù)實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。在激光錯(cuò)誤注入中，通常為了精確攻擊一般光斑很小，在微米級(jí)。當(dāng)待測芯片比較大的時(shí)候，如果要全掃描就會(huì)非常耗時(shí)。例如芯片為8*8mm大小，光斑直徑10um，為了完整掃描就需要(8000/10)2＝640000個(gè)點(diǎn)，芯片上每個(gè)點(diǎn)需要一定時(shí)長的激光照射來進(jìn)行攻擊，假設(shè)每個(gè)點(diǎn)攻擊時(shí)間為5s，總時(shí)間需要640000*5s＝3200000s＝888.9h＝37天。本技術(shù)實(shí)施例提供一種激光錯(cuò)誤注入設(shè)備，以提升掃描效率。請(qǐng)參照?qǐng)D1，為本技術(shù)實(shí)施例提供的一種激光錯(cuò)誤注入方法的流程圖。描述本方法實(shí)施例前，需要對(duì)應(yīng)用本方法實(shí)施例的激光錯(cuò)誤注入設(shè)備進(jìn)行一些說明。本技術(shù)實(shí)施例中的激光注入設(shè)備設(shè)有變焦耦合鏡，用于調(diào)節(jié)激光在被測芯片上所形成光斑的尺寸；以及，顯微鏡，其光路被設(shè)置為指向被測芯片；激光經(jīng)變焦耦合鏡射入顯微鏡光路，再經(jīng)顯微鏡光路照射到被測芯片上，形成光斑；光斑的形狀可根據(jù)具體需要進(jìn)行整形，可以為圓形，亦可以為矩形或其他任意形狀。需要說明的是，被測芯片并非本技術(shù)實(shí)施例中設(shè)備的一部分，其作用為幫助清晰的描述本技術(shù)設(shè)備實(shí)施例。本方法實(shí)施例包括步驟：S101、將激光經(jīng)所述變焦耦合鏡射入顯微鏡光路，在被測芯片上形成第一光斑；其中，激光經(jīng)激光源發(fā)出，可選方式包括特定的激光發(fā)射器，或用光纖接至耦合鏡上。將激光經(jīng)所述變焦耦合鏡射入顯微鏡光路，具體為：激光經(jīng)所述變焦耦合鏡射出，經(jīng)顯微鏡光路中的光路耦合鏡和聚焦鏡后，照射在所述被測芯片上。S102、以第一步長控制所述第一光斑在所述被測芯片上移動(dòng)；激光錯(cuò)誤注入設(shè)備還包括傳動(dòng)裝置，可用于控制光斑在被測芯片上移動(dòng)，其控制方式可以是手動(dòng)或由程序自動(dòng)控制。S103、檢測所述被測芯片是否出現(xiàn)工作錯(cuò)誤；被測芯片連接有檢測裝置，用于檢測芯片在工作過程中是否出現(xiàn)工作錯(cuò)誤的情況，若出現(xiàn)工作錯(cuò)誤，則說明當(dāng)前第一光斑的位置范圍內(nèi)，存在所述芯片適合進(jìn)行激光錯(cuò)誤注入的位置。在移動(dòng)過程中，若檢測到所述被測芯片出現(xiàn)工作錯(cuò)誤，則執(zhí)行S104；若沒有檢測到所述被測芯片出現(xiàn)工作錯(cuò)誤，則繼續(xù)執(zhí)行S102和S103。S104、停止移動(dòng)所述第一光斑，并將所述第一光斑當(dāng)前在被測芯片上的位置范圍確定為選定區(qū)域；因執(zhí)行S103過程中檢測到所述被測芯片出現(xiàn)工作錯(cuò)誤，則說明當(dāng)前第一光斑的位置范圍內(nèi)，存在所述芯片適合進(jìn)行激光錯(cuò)誤注入的位置，停止第一光斑，將所述第一光斑當(dāng)前在被測芯片上的位置范圍確定為選定區(qū)域，以進(jìn)行更精確的掃描。S105、調(diào)整所述變焦耦合鏡，在所述被測芯片上形成第二光斑；所述第二光斑用于在選定區(qū)域內(nèi)進(jìn)行精確掃描。所述變焦耦合鏡可以為單鏡片的變焦耦合鏡，但在實(shí)踐中，為達(dá)到更好的效果，所述變焦耦合鏡包括至少兩個(gè)鏡片。調(diào)整所述變焦耦合鏡的具體方式為：通過調(diào)整所述變焦耦合鏡的不同鏡片的間距來調(diào)節(jié)焦距，從而改變輸出光束發(fā)散角，以改變光斑大小。可選的，不同鏡本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種激光錯(cuò)誤注入設(shè)備，用于對(duì)芯片進(jìn)行激光錯(cuò)誤注入，其特征在于，包括：/n激光源，用于發(fā)射激光；/n變焦耦合鏡，用于調(diào)節(jié)激光在被測芯片上所形成光斑的尺寸；/n顯微鏡，其光路被設(shè)置為指向被測芯片，包括光路耦合鏡、聚焦鏡、成像鏡、以及相機(jī)或目鏡；/n所述設(shè)備被配置為：所述激光源發(fā)射的激光經(jīng)變焦耦合鏡后射入顯微鏡光路，在被測芯片上形成光斑。/n

【技術(shù)特征摘要】
1.一種激光錯(cuò)誤注入設(shè)備，用于對(duì)芯片進(jìn)行激光錯(cuò)誤注入，其特征在于，包括：
激光源，用于發(fā)射激光；
變焦耦合鏡，用于調(diào)節(jié)激光在被測芯片上所形成光斑的尺寸；
顯微鏡，其光路被設(shè)置為指向被測芯片，包括光路耦合鏡、聚焦鏡、成像鏡、以及相機(jī)或目鏡；
所述設(shè)備被配置為：所述激光源發(fā)射的激光經(jīng)變焦耦合鏡后射入顯微鏡光路，在被測芯片上形成光斑。


2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述變焦耦合鏡，包括至少兩個(gè)鏡片，通過調(diào)整所述變焦耦合鏡的不同鏡片的間距來調(diào)節(jié)焦距，從而改變輸出光束發(fā)散角，以改變光斑大小。


3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，還包括調(diào)整機(jī)構(gòu)，用于調(diào)整所述不同鏡片的間距。


4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于，所述調(diào)整機(jī)構(gòu)為手動(dòng)調(diào)整機(jī)構(gòu)。
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高國棟，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳市紐創(chuàng)信安科技開發(fā)有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44