一種軌道探傷儀用探頭，它由接線板、上蓋、保護膜、發射晶片、接收晶片、楔塊組成，０°探頭保護膜與殼體螺釘連接，解決了保護膜脫落，耦合狀態穩定。３０°探頭可消除軌端４０ｍｍ處的固定雜波，對裂紋的檢測率高，靈敏度高，５０°探頭接收鏡片角度增到５３°，對檢測核傷裂紋有利，檢測率高，本實用新型專利技術適用于軌道探傷儀使用。（*該技術在2005年保護過期，可自由使用*）
【技術實現步驟摘要】
本技術屬于軌道探傷儀
，是一種軌道探傷儀用探頭。軌道探傷儀用探頭是探傷儀的主要部件，其作用是發射和接收超聲波，探頭一般有0°探頭、30°探頭、50°探頭，0°探頭的結構通常采用外殼內裝晶座和晶片，吸聲塊，保護膜套在探頭外殼上，使用時，保護膜經常脫落。30°探頭采用接收和發射晶片平等30°擺放，軌孔裂紋一般小于35°，30°探頭的折射角是37°，對檢測軌孔裂紋效果差。平行擺放接收和發射晶片距軌端40mm米位置有固定雜波，增加檢測誤差。50°探頭的接收、發射晶片平行50°擺放，折射角為70°，軌道“核傷”裂紋和水平面的夾角一般在13—17°之間，探測“核傷”裂紋75°折射角的探最好，50°探頭的折射角探測“核傷”裂紋效果差。本技術的目的是提供一種探測準確，靈敏度高的軌道探傷儀用探頭。本技術的目的是這樣實現的， 0°探頭的結構是，探頭體內裝晶片座晶片，吸聲塊，探頭體與保護膜用螺釘連接。30°探頭的結構是，探頭外殼內裝楔塊，楔塊30°坡度上裝發射晶片，楔塊25°坡度上裝接收晶片，晶片上有吸聲塊，殼體上蓋與保護膜用螺釘連接。5O°探頭外殼內裝楔塊，楔塊50°坡度上裝發射晶片，楔塊53°坡度上裝接收晶片50°楔塊和53°楔塊之間有間隔層，上蓋與保護膜螺釘連接。本技術與現有技術相比有如下優點，0°探頭保護膜與殼體螺釘連接，解決了保護膜脫落，耦合狀態穩定，30°探頭可消除軌端40mm處的固定雜波。對裂紋的檢測率高，靈敏度高，50°探頭接收鏡片角度增到53°，對檢測“核傷”裂紋有利，檢測率高。以下結合附圖對本技術的結構作進一步祥述。附圖說明圖1是本技術0°探頭結構示意圖。圖2是本技術30°探頭結構示意圖。圖3是本技術5O°探頭結構示意圖。圖1—圖3的標號說明如下 1、接線板；2、上蓋；3、探頭外過；4、保護膜 5、發射晶片；6、楔塊7、接收晶片；8、吸聲塊；9、發射楔塊；10、接收楔塊；11、晶片；12、晶片座；13、探頭體；14、間隔層。參照圖1，0°探頭的結構是探頭體13內裝晶片座12，晶片11、吸聲塊8，探頭體13與保護膜4用螺釘連接。參照圖2，30°探頭的結構是，探頭外殼3內裝楔塊6，楔塊6的30°坡度位置裝發射晶片5，楔塊6的25°坡度位置裝接收晶片7，共計兩片接收晶片7，兩片發射晶片5，相互對稱。晶片5、7上有吸聲塊8，吸聲塊8上有接線板，殼體上蓋2與保護膜4用螺釘連接。參照圖3，50°探頭的結構是，外殼3內裝楔塊9、10，楔塊10的50°坡度上裝發射晶片5，楔塊9的53°坡度上裝接收晶片7，50°楔塊10和53°楔塊9之間有間隔層14，其上有接線板，上蓋2與保護膜4螺釘連接。使用時，探頭放在軌面上，用水作耦合劑，發射晶片在脈沖電壓的激勵下，向軌道內射出超聲波，超聲波遇到裂紋產生反射，接收晶片收到裂紋返回的聲波進行放大處理，經邏輯電路顯示電路后，聲光報警探測到裂紋的位置，軌道無裂紋時，電子線路不工作。權利要求1.一種軌道探傷儀用探頭，它由接線板，上蓋，保護膜，發射晶片，楔塊組成，其特征是，探頭的結構是，探頭體內裝晶片座、晶片、吸聲塊、探頭體與保護膜用螺釘連接，30°探頭的結構是，探頭外殼內裝楔塊，楔塊30°坡度上裝發射晶片，楔塊25°坡度上裝接收晶片，晶片上有吸聲塊，殼體上蓋與保護膜用螺釘連接，50°探頭外殼內裝楔塊，楔塊50°坡度上裝發射晶片，楔塊53°坡度上裝接收晶片，50°楔塊和53°楔塊之間有間隔層，上蓋與保護膜螺釘連接。專利摘要一種軌道探傷儀用探頭，它由接線板、上蓋、保護膜、發射晶片、接收晶片、楔塊組成，0°探頭保護膜與殼體螺釘連接，解決了保護膜脫落，耦合狀態穩定。30°探頭可消除軌端40mm處的固定雜波，對裂紋的檢測率高，靈敏度高，50°探頭接收鏡片角度增到53°，對檢測核傷裂紋有利，檢測率高，本技術適用于軌道探傷儀使用。文檔編號G01N29/24GK2235120SQ9523029公開日1996年9月11日 申請日期1995年2月21日 優先權日1995年2月21日專利技術者李煥廷 申請人:李煥廷本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種軌道探傷儀用探頭，它由接線板，上蓋，保護膜，發射晶片，楔塊組成，其特征是，探頭的結構是，探頭體內裝晶片座、晶片、吸聲塊、探頭體與保護膜用螺釘連接，３０°探頭的結構是，探頭外殼內裝楔塊，楔塊３０°坡度上裝發射晶片，楔塊２５°坡度上裝接收晶片，晶片上有吸聲塊，殼體上蓋與保護膜用螺釘連接，５０°探頭外殼內裝楔塊，楔塊５０°坡度上裝發射晶片，楔塊５３°坡度上裝接收晶片，５０°楔塊和５３°楔塊之間有間隔層，上蓋與保護膜螺釘連接。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：李煥廷，
申請(專利權)人：李煥廷，
類型：實用新型
國別省市：21[中國|遼寧]
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