【技術實現步驟摘要】
基于電容電流紋波的DAB控制方法、裝置、設備和存儲介質
本申請涉及直流變換器控制
，尤其涉及基于電容電流紋波的DAB控制方法、裝置、設備和存儲介質。
技術介紹
直流變換器有多種拓撲結構，其中H橋型雙有源全橋直流變換器(以下簡稱為：DAB)由于其電氣隔離、雙向能量傳輸以及ZVS的實現在電力電子領域中受到了廣泛關注。傳統的DAB調制策略為單移相(single-phase-shift，SPS)控制，原副邊電壓的移相占空比都等于1，通過調節兩側H橋輸出交流方波之間的移相角來控制功率的傳輸，有導通損耗增加、電流應力大、無功環流增加等問題，進而導致變換器的效率降低。在此基礎上，三重移相(TriplePhaseshift,TPS)控制應運而生。TPS控制在原副邊的兩側全橋外移相的基礎上引入原副邊的全橋內移相，比SPS控制多了兩個自由度，通過優化三個移相比取的取值，能夠拓寬軟開關范圍，減小電流應力、無功環流或者變換器的總的損耗。上述的TPS控制雖然能夠拓寬范圍和減小損耗，但是沒有基于原邊電容電流紋波進行分析。因為當原邊電容電流紋波增大時，由于電容內部的等效串連電阻發熱，進一步影響到電容器的使用壽命，使得現有的TPS控制方法并不能取得較好的控制效果。因此，提供一種基于電容電流紋波的DAB控制方法是本領域技術人員亟待解決的問題。
技術實現思路
本申請提供了一種基于電容電流紋波的DAB控制方法、裝置、設備和存儲介質，解決了現有的DAB調制策略沒有基于原邊電容電流紋波進行分析，使得現有的TP...
【技術保護點】
1.一種基于電容電流紋波的DAB控制方法，其特征在于，包括：/n獲取待分析DAB電路的電路結構和電路參數，其中，所述電路參數包括：電壓、負載和開關參數；/n基于所述待分析DAB電路中各開關管開通時刻的電流計算公式，根據所述電路結構和所述電路參數，計算各所述開關管的移相占空比取值范圍；/n根據遺傳算法，以所述移相占空比取值范圍為約束條件，通過電容電流紋波計算公式，計算最小電容電流紋波時各所述開關管的目標移相占空比取值；/n以各所述目標移相占空比取值控制對應的所述開關管，以實現所述待分析DAB電路的控制。/n
【技術特征摘要】
1.一種基于電容電流紋波的DAB控制方法，其特征在于，包括：
獲取待分析DAB電路的電路結構和電路參數，其中，所述電路參數包括：電壓、負載和開關參數；
基于所述待分析DAB電路中各開關管開通時刻的電流計算公式，根據所述電路結構和所述電路參數，計算各所述開關管的移相占空比取值范圍；
根據遺傳算法，以所述移相占空比取值范圍為約束條件，通過電容電流紋波計算公式，計算最小電容電流紋波時各所述開關管的目標移相占空比取值；
以各所述目標移相占空比取值控制對應的所述開關管，以實現所述待分析DAB電路的控制。
2.根據權利要求1所述的基于電容電流紋波的DAB控制方法，其特征在于，根據遺傳算法，以所述移相占空比取值范圍為約束條件，通過電容電流紋波計算公式，計算最小電容電流紋波時各所述開關管的目標移相占空比取值，具體包括步驟：
S1、以N個個體構建所述遺傳算法的初始種群，其中一個個體為：所有所述開關管的一組移相占空比取值；
S2、設置所述初始種群的適應度函數和預置迭代次數，其中，所述適應度函數為電容電流紋波計算公式，所述適應度函數的適應度值為最小電容電流紋波；
S3、基于遺傳算法、預置迭代次數和預置適應度閾值，對所述初始種群進行迭代后，得到最小電容電流紋波小于預置適應度閾值時，各所述開關管的目標移相占空比取值。
3.根據權利要求2所述的基于電容電流紋波的DAB控制方法，其特征在于，步驟S3具體包括：
S31、計算所述初始種群中每一個體的適應度值；
S32、當判斷到所述適應度值小于預置適應度閾值時，將該適應度值對應個體中的移相占空比取值作為目標移相占空比取值；
S33、當判斷到所有所述適應度值均大于所述預置適應度閾值時，對所述初始種群依次進行復制、交叉和變異操作后，得到新種群；
S34、將所述新種群作為所述初始種群后，返回步驟S31進行下一次迭代，直至所述適應度值小于預置適應度閾值時，將該適應度值對應個體中的移相占空比取值作為目標移相占空比取值；
S35、當所述預置迭代次數的迭代結束后，在所有的所述適應度值中將最小適應度值對應個體中的移相占空比取值作為目標移相占空比取值。
4.根據權利要求3所述的基于電容電流紋波的DAB控制方法，其特征在于，步驟S33中的對所述初始種群依次進行復制、交叉和變異操作后，得到新種群具體包括：
S331、對所述初始種群中的各個體均進行復制后，得到對應的復制個體；
...
【專利技術屬性】
技術研發人員：馬明，王玲，雷二濤，徐柏榆，杜婉琳，
申請(專利權)人：廣東電網有限責任公司電力科學研究院，
類型：發明
國別省市：廣東;44
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