本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種發(fā)光裝置及一種顯示設(shè)備，其中發(fā)光裝置包括發(fā)光單元，發(fā)光單元包括驅(qū)動晶體管及發(fā)光二極管。驅(qū)動晶體管包括第一端，第二端及柵極端，其中所述第一端接收操作電壓。發(fā)光二極管，耦接于所述第二端，用以接收驅(qū)動電流。其中，所述操作電壓是可變的。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
發(fā)光裝置及顯示設(shè)備
本專利技術(shù)涉及一種發(fā)光裝置及顯示設(shè)備，尤其涉及一種操作電壓可變的發(fā)光裝置及顯示設(shè)備。
技術(shù)介紹
電子產(chǎn)品已成為現(xiàn)代社會不可或缺的必需品。隨著這類電子產(chǎn)品的蓬勃發(fā)展，消費(fèi)者對這些產(chǎn)品的質(zhì)量、功能或價格抱有很高的期望。一些電子產(chǎn)品具有發(fā)光或顯示的功能，但仍有亮度不足或顯示效果不好等問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)實(shí)施例提供一種發(fā)光裝置，包括發(fā)光單元，發(fā)光單元包括驅(qū)動晶體管及發(fā)光二極管。驅(qū)動晶體管包括第一端，第二端及柵極端，其中所述第一端接收操作電壓。發(fā)光二極管，耦接于所述第二端，用以接收驅(qū)動電流。所述操作電壓是可變的。本專利技術(shù)實(shí)施例提供一種顯示設(shè)備，包括發(fā)光裝置及液晶面板。發(fā)光裝置包括發(fā)光單元，發(fā)光單元包括驅(qū)動晶體管及發(fā)光二極管。驅(qū)動晶體管包括第一端，第二端及柵極端，其中所述第一端接收操作電壓。發(fā)光二極管，耦接于所述第二端，用以接收驅(qū)動電流。液晶面板設(shè)置于所述發(fā)光裝置上方。所述操作電壓是可變的。附圖說明圖1是實(shí)施例中，顯示裝置在一般模式的示意圖。圖2是對應(yīng)于圖1的光強(qiáng)度波形圖。圖3是實(shí)施例中，顯示裝置在峰模式的示意圖。圖4是對應(yīng)于圖3的光強(qiáng)度波形圖。圖5是實(shí)施例中，發(fā)光裝置的示意圖。圖6是根據(jù)某一實(shí)施例中圖5的驅(qū)動晶體管的電壓電流圖。圖7是另一實(shí)施例中，發(fā)光裝置的示意圖。圖8是實(shí)施例中，顯示設(shè)備的側(cè)視示意圖。圖9是實(shí)施例的系統(tǒng)的示意圖。附圖標(biāo)記說明：d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7、d8、d9-調(diào)光區(qū)；X-橫軸；Y-縱軸；z2、z5、z8-區(qū)域；wn、w1、w2、w3、wd、wp-光強(qiáng)度波形；x12、x23-交界處；510、710-發(fā)光單元；LD-發(fā)光裝置；Ldata、Ldata2-數(shù)據(jù)線；Sd、Sd2-數(shù)據(jù)信號；511、711-驅(qū)動晶體管；511s-第一端；511d-第二端；511g-第一柵極端；IDS1、IDS2-驅(qū)動電流；512、712-發(fā)光二極管；711s-第三端；711d-第四端；711g-第二柵極端；Vdd、Vdd2-操作電壓；Cst、Cst2-電容；SW、SW2-開關(guān)；V1-第一電壓值；V2-第二電壓值；Vss-參考電壓；LC-液晶平板；800-顯示設(shè)備；VDSz、VDSy、VDSx、VDS_sat-電壓值；611-負(fù)載線；Cn、Cp-曲線；Ip、In-電流值；B1-第一亮度；B2-第二亮度；Rsa-飽和區(qū)；900-系統(tǒng)；910、920-電壓變換器；930-控制器；940-顯示單元。具體實(shí)施方式在此，“約”、“大致”、“實(shí)質(zhì)上”的用語通常表示在一給定值或范圍的20％之內(nèi)，例如10％之內(nèi)、5％之內(nèi)、3％之內(nèi)、2％之內(nèi)、1％之內(nèi)或0.5％之內(nèi)。在此給定的數(shù)量為大約的數(shù)量，亦即在沒有特定說明“約”、“大致”、“實(shí)質(zhì)上”的情況下，仍可隱含“約”、“大致”、“實(shí)質(zhì)上”的含義。圖1是實(shí)施例中，顯示裝置100在一般模式的示意圖。圖2是對應(yīng)于圖1的光強(qiáng)度波形圖。圖3是實(shí)施例中，顯示裝置100在峰模式的示意圖。圖4是對應(yīng)于圖3的光強(qiáng)度波形圖。如圖1及圖3所示，在顯示裝置100上，于橫軸X及縱軸Y形成的坐標(biāo)中，可安排及規(guī)劃調(diào)光區(qū)d1至調(diào)光區(qū)d9。在橫軸X，調(diào)光區(qū)d2、調(diào)光區(qū)d5、調(diào)光區(qū)d8分別對應(yīng)于區(qū)域z2、區(qū)域z5及區(qū)域z8。圖1及圖3的每個調(diào)光區(qū)可對應(yīng)于一個或多個像素。圖2及圖4的橫軸對應(yīng)于圖1的橫軸X，縱軸為光強(qiáng)度。如圖1，當(dāng)調(diào)光區(qū)d1至調(diào)光區(qū)d9都發(fā)光時，可稱為一般模式。一般模式中，調(diào)光區(qū)d2所發(fā)出的光可于區(qū)域z2中對應(yīng)于光強(qiáng)度波形w1，調(diào)光區(qū)d5所發(fā)出的光可于區(qū)域z5中對應(yīng)于光強(qiáng)度波形w2，調(diào)光區(qū)d8所發(fā)出的光可于區(qū)域z8中可對應(yīng)于光強(qiáng)度波形w3。如圖1及圖2，調(diào)光區(qū)d2、調(diào)光區(qū)d5及調(diào)光區(qū)d8沿X軸方向所發(fā)出的光可對應(yīng)于光強(qiáng)度波形wn。光強(qiáng)度波形wn可根據(jù)光強(qiáng)度波形w1、光強(qiáng)度波形w2及光強(qiáng)度波形w3而產(chǎn)生。例如，可將光強(qiáng)度波形w1、光強(qiáng)度波形w2、光強(qiáng)度波形w3加總并考慮光學(xué)機(jī)構(gòu)設(shè)計及光學(xué)部材，而產(chǎn)生光強(qiáng)度波形wn。如圖2，在區(qū)域z2與區(qū)域z5的交界處x12，雖然光強(qiáng)度波形w1及光強(qiáng)度波形w2的光強(qiáng)度相對于最高的光強(qiáng)度分別下降，但光強(qiáng)度波形w1及w2的光強(qiáng)度可加總，因此，光強(qiáng)度波形wn在交界處x12的光強(qiáng)度并未過度衰減。同樣地，在區(qū)域z2與區(qū)域z3的交界處x23，光強(qiáng)度波形wn的光強(qiáng)度并未過度衰減。因此，光強(qiáng)度波形wn在一般模式中，沿著橫軸X的光強(qiáng)度可大致相同。如圖3，當(dāng)調(diào)光區(qū)d5發(fā)光，但與調(diào)光區(qū)d5相鄰的調(diào)光區(qū)d1至調(diào)光區(qū)d4及調(diào)光區(qū)d6至調(diào)光區(qū)d9都不發(fā)光時，可執(zhí)行峰模式。如圖4，在一實(shí)施例中，在峰模式中，調(diào)光區(qū)d2、調(diào)光區(qū)d5、調(diào)光區(qū)d8沿X軸方向的發(fā)光可對應(yīng)于光強(qiáng)度波形wd，光強(qiáng)度波形wd實(shí)質(zhì)上由調(diào)光區(qū)d5的發(fā)光決定。光強(qiáng)度波形wd在區(qū)域z5邊緣會衰減，導(dǎo)致區(qū)域z5越接近邊緣的亮度越弱。在圖3的情況下，可將對應(yīng)于調(diào)光區(qū)d5的驅(qū)動晶體管的操作電壓提高，以加強(qiáng)對應(yīng)于調(diào)光區(qū)d5的發(fā)光二極管的發(fā)光亮度，從而如圖4所示將光強(qiáng)度波形wd拉高而成為光強(qiáng)度波形wp，通過光強(qiáng)度波形wp整體亮度提升以提升調(diào)光區(qū)d5邊緣的亮度。然而，為了執(zhí)行峰模式以提升調(diào)光區(qū)邊緣亮度，會提高調(diào)光區(qū)d5的驅(qū)動晶體管的操作電壓，若驅(qū)動晶體管的操作電壓維持在峰模式的操作電壓，則在一般模式下，耗電也將難以減低，因而產(chǎn)生耗電問題。因此，在一些實(shí)施例中，本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
提供了一種可變的操作電壓以減少耗電問題，但不限于此。圖5是根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，發(fā)光裝置LD的示意圖。發(fā)光裝置LD可設(shè)置于調(diào)光區(qū)d1到調(diào)光區(qū)d9中的至少一調(diào)光區(qū)中，用以發(fā)光。發(fā)光裝置LD可為像素元件，用以顯示。發(fā)光裝置LD也可為背光元件，用以提供背光給液晶面板的像素元件，從而顯示，但本專利技術(shù)不限于此。發(fā)光裝置LD可包括發(fā)光單元510。發(fā)光單元510可包括驅(qū)動晶體管511及發(fā)光二極管512。驅(qū)動晶體管511包括第一端511s，第二端511d及第一柵極端511g，其中第一端511s接收第一操作電壓Vdd。發(fā)光二極管512耦接于第二端511d，用以接收驅(qū)動電流IDS。根據(jù)實(shí)施例，第一操作電壓Vdd是可變的，且驅(qū)動晶體管511可操作在飽和區(qū)，下文將說明。發(fā)光二極管，可例如包含無機(jī)發(fā)光二極管(inorganiclightemittingdiode)、有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，OLED)、次毫米發(fā)光二極管(miniLED)、微發(fā)光二極管(microLED)、量子點(diǎn)(quantumdot，QD)發(fā)光二極管(可例如為QLED或QDLED)、熒光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其它適合的材料或前述的任意排列組合，但不以此為限。如圖5，第一柵極端511g可由數(shù)據(jù)線Ldata接收數(shù)據(jù)信號Sd。可根據(jù)數(shù)據(jù)信號Sd控制驅(qū)動晶體管511的導(dǎo)通程度。在一實(shí)施例中，當(dāng)驅(qū)動晶體管511的導(dǎo)通程度越高，驅(qū)動電流IDS越大，發(fā)光二極管512的發(fā)光強(qiáng)度本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置包括：/n第一發(fā)光單元，包括：/n第一驅(qū)動晶體管，包括第一端、第二端及第一柵極端，其中所述第一端接收第一操作電壓；及/n第一發(fā)光二極管，耦接于所述第二端且接收第一驅(qū)動電流；/n其中所述第一操作電壓是可變的。/n
【技術(shù)特征摘要】
20190508 US 62/844,7521.一種發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置包括：
第一發(fā)光單元，包括：
第一驅(qū)動晶體管，包括第一端、第二端及第一柵極端，其中所述第一端接收第一操作電壓；及
第一發(fā)光二極管，耦接于所述第二端且接收第一驅(qū)動電流；
其中所述第一操作電壓是可變的。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一柵極端從數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)信號。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，當(dāng)所述第一發(fā)光二極管操作在第一亮度，所述第一操作電壓是第一電壓值，當(dāng)所述第一發(fā)光二極管操作在第二亮度，所述第二亮度小于所述第一亮度，所述第一操作電壓是第二電壓值，且所述第二電壓值低于所述第一電壓值。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一驅(qū)動晶體管操作在飽和區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置還包括：
第二發(fā)光單元，包括：
第二驅(qū)動晶體管，包括第三端、第四端及第二柵極端，其中所述第三端接收第二操作電壓；及
第二發(fā)光二極管，耦接于所述第四端；
其中所述第二操作電壓是可變的，且所述第二操作電壓獨(dú)立于所述第一操作電壓...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳良祿，丁景隆，高克毅，毛立維，曾名駿，
申請(專利權(quán))人：群創(chuàng)光電股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：中國臺灣;71
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