界面關系數據庫構建方法及裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種界面關系數據庫構建方法及裝置，該方法包括：獲取兩相晶體結構模型；根據兩相晶體結構模型確定兩相晶面庫；依據兩相晶面庫選取兩相晶面；根據兩相晶面計算界面錯配度；依據錯配度判斷界面關系；根據界面關系構建界面關系數據庫。本發明專利技術通過建立兩相晶面庫，計算兩相晶面對應界面錯配度，判斷對應界面關系，從而構建界面關系數據庫。

【技術實現步驟摘要】
界面關系數據庫構建方法及裝置
本專利技術涉及數據庫
，尤其涉及一種界面關系數據庫構建方法及裝置。
技術介紹
在材料的開發、生產、流通和應用過程中涉及到物和信息的大量流動，作為信息流通的載體和重要環節，數據庫技術在現代材料生產、科研流通和應用中正獲得越來越廣泛的應用。在材料科學計算領域中，界面的問題是材料的核心問題，對任何含有界面的材料包括金屬合金、復合材料、膜材料等，界面關系都對其性能有著重要影響，可以通過調控界面結構獲取性能優異的材料。界面錯配度作為最基礎的界面結構參數，通過選擇先進的計算方法，實現對于特定界面晶體結構，其錯配度值的唯一性。進而，將數據庫技術與材料科學相結合，建設以界面錯配度為基準系統性全面的界面關系數據庫，必然能夠為科研院校、企業等機構的材料研發提供數據檢索參考，成為目前需要解決的技術問題。
技術實現思路
本專利技術提供一種以界面錯配度為基準的界面關系數據庫構建方法及裝置，對于特定界面晶體結構，其界面錯配度值具有唯一性，并且該數據庫包含所有相關的共格，半共格以及非共格界面關系。第一方面，本專利技術提供一種界面關系數據庫構建方法，包括：獲取兩相晶體結構模型；根據兩相晶體結構模型確定兩相晶面庫；依據兩相晶面庫選取兩相晶面；根據兩相晶面計算界面錯配度；依據錯配度判斷界面關系；根據界面關系構建界面關系數據庫。可選地，根據兩相晶體結構模型選取兩相晶面；將兩相晶面排列組合確定兩相晶面庫。可選地，根據界面錯配度和預設閾值，判斷界面關系。可選地，根據兩相晶面確定兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角；根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，計算界面錯配度。可選地，兩相對應晶向原子夾角為銳角。可選地，根據兩相對應晶向原子間距，計算對角邊晶向錯配度；根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，計算兩邊晶向錯配度；根據對角邊晶向錯配度和兩邊晶向錯配度，計算界面錯配度。可選地，根據兩相對應晶向原子間距，計算兩相對角邊晶向原子間距；根據兩相對角邊晶向原子間距，計算對角邊晶向錯配度。可選地，根據兩相對應晶向原子間距，計算兩相兩邊晶向原子間距；根據兩相對應晶向原子夾角，計算兩相兩邊晶向原子夾角；根據兩相兩邊晶向原子間距和兩相兩邊晶向原子夾角，計算兩邊晶向錯配度。另一方面，本專利技術提供一種界面關系數據庫構建裝置，包括：獲取模塊，用于獲取兩相晶體結構模型；確定模塊，用于根據兩相晶體結構模型確定兩相晶面庫；選取模塊，用于依據兩相晶面庫選取兩相晶面；計算模塊，用于根據兩相晶面計算界面錯配度；判斷模塊，用于依據錯配度判斷界面關系；構建模塊，用于根據界面關系構建界面關系數據庫。由上述技術方案可知，本專利技術通過獲取兩相晶體結構模型；根據兩相晶體結構模型確定兩相晶面庫；依據兩相晶面庫選取兩相晶面；根據兩相晶面計算界面錯配度；依據錯配度判斷界面關系；根據界面關系構建界面關系數據庫。本專利技術根據兩相晶面計算錯配度，構建界面關系數據庫，從而能夠準確判斷材料的界面關系，改善材料性能。附圖說明圖1為本專利技術一實施例提供的一種界面關系數據庫構建方法的流程示意圖；圖2為本專利技術一實施例提供的一種兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角示意圖；圖3為本專利技術一實施例提供的一種界面關系數據庫構建裝置的結構示意圖；圖4為本專利技術一實施例提供的銅與γ-鐵界面關系數據庫構建方法的流程示意圖；圖5為本專利技術一實施例提供的銅與鎢界面關系數據庫構建方法的流程示意圖。具體實施方式為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他的實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。圖1示出了本專利技術一實施例提供的界面關系數據庫構建方法的流程示意圖，如圖1所示，本實施例的界面錯配度計算方法如下所述。101、獲取兩相晶體結構模型；102、根據兩相晶體結構模型確定兩相晶面庫；103、依據兩相晶面庫選取兩相晶面；104、根據兩相晶面計算界面錯配度；105、依據錯配度判斷界面關系；106、根據界面關系構建界面關系數據庫。在具體實施例中，步驟101可包括：根據兩相晶體類型獲取兩相晶體結構模型。在具體實施例中，兩相可包括基底相和形核相，基底相可包括α相，形核相可包括β相。在具體實施例中，步驟102可包括：根據兩相晶體結構模型可選取任意兩相晶面，將兩相晶面以排列組合的方式確定兩相晶面數據庫，例如，根據銅與γ-鐵晶體結構模型可以任意組選取銅典型晶面(100)、(110)、(111)、(102)與γ-鐵典型晶面(100)、(110)、(111)、(102)，將銅與γ-鐵兩相晶面排列組合，共包括16種排列組合方式，構成銅與γ-鐵兩相晶面庫。在具體實施例中，步驟103可包括：在兩相晶面數據庫任意選取兩相晶面，例如，可在銅與γ-鐵兩相晶面數據庫中選取銅(100)晶面和γ-鐵(100)晶面。在具體實施例中，步驟104可包括：根據兩相晶面確定兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角；根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，計算界面錯配度。圖2示出了本專利技術一實施例提供的兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角示意圖，如圖2所示，本實施例的對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角如下所述。在具體實施例中，步驟“根據兩相晶面確定兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角”可包括：如圖2所示，D1和d1為兩相對角邊晶向原子間距，θ1為兩相對角邊晶向原子夾角，D2和d2，D3和d3為兩相兩邊晶向原子間距，θ2和θ3為兩相兩邊晶向原子夾角。在具體實施例中，兩相對應晶向原子夾角為銳角。在具體實施例中，步驟“根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，計算界面錯配度”可包括：根據兩相對應晶向原子間距，計算對角邊晶向錯配度；根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，計算兩邊晶向錯配度；根據對角邊晶向錯配度和兩邊晶向錯配度，計算界面錯配度。在具體實施例中，步驟“根據兩相對應晶向原子間距，計算對角邊晶向錯配度”可包括：根據兩相對應晶向原子間距，計算兩相對角邊晶向原子間距；根據兩相對角邊晶向原子間距，計算對角邊晶向錯配度。在具體實施例中，對角邊晶向錯配度計算公式如下所示：其中，dα1為α相對角邊晶向原子間距，dβ1為β相對角邊晶向原子間距。在具體實施例中，步驟“根據兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角，計算兩邊晶向錯配度”可包括：根據兩相對應晶向原子間距，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種界面關系數據庫構建方法，其特征在于，包括：/n獲取兩相晶體結構模型；/n根據所述兩相晶體結構模型確定兩相晶面庫；/n依據所述兩相晶面庫選取兩相晶面；/n根據所述兩相晶面計算界面錯配度；/n依據所述錯配度判斷界面關系；/n根據所述界面關系構建界面關系數據庫。/n

【技術特征摘要】
1.一種界面關系數據庫構建方法，其特征在于，包括：
獲取兩相晶體結構模型；
根據所述兩相晶體結構模型確定兩相晶面庫；
依據所述兩相晶面庫選取兩相晶面；
根據所述兩相晶面計算界面錯配度；
依據所述錯配度判斷界面關系；
根據所述界面關系構建界面關系數據庫。


2.根據權利要求1所述的構建方法，其特征在于，所述根據所述兩相晶體結構模型確定兩相晶面庫，包括：
根據所述兩相晶體結構模型選取兩相晶面；
將所述兩相晶面排列組合確定所述兩相晶面庫。


3.根據權利要求1或2任一所述的構建方法，其特征在于，所述依據所述錯配度判斷界面關系，包括：
根據所述界面錯配度和預設閾值，判斷界面關系。


4.根據權利要求1或2任一所述的構建方法，其特征在于，所述根據所述兩相晶面計算界面錯配度，包括：
根據所述兩相晶面確定兩相對應晶向原子間距和兩相對應晶向原子夾角；
根據所述兩相對應晶向原子間距和所述兩相對應晶向原子夾角，計算界面錯配度。


5.根據權利要求4所述的構建方法，其特征在于，所述兩相對應晶向原子夾角為銳角。


6.根據權利要求4所述的構建方法，其特征在于，所述根據所述兩相對應晶向原子間距和所述兩相對應晶向原子夾角，計算界面錯配度，包括：
根據所述兩相對應晶向原子間距，計算對角邊晶向錯配度；
根據所述兩相對應晶向原子間距和所述兩相對應晶向原子夾角，計算兩邊晶向錯配度；
根據所述對角邊晶向錯配度和所述兩...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張志波，溫麗濤，
申請(專利權)人：廣東省材料與加工研究所，
類型：發明
國別省市：廣東;44