【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】防偽印刷介質及其制造方法
本專利技術涉及適于在制造諸如鈔票、身份文件、護照、證書之類的防偽文件時使用的防偽印刷介質、用于制造這種防偽印刷介質的方法、以及由防偽印刷介質制成的防偽文件。
技術介紹
防偽印刷介質是可以被印刷以及以其他方式被處理成防偽文件的文件基體。傳統的防偽印刷介質包括基于紙張的基體,該基體可以包括一體的安全特征,該一體的安全特征例如為在造紙期間引至基體的安全線以及例如為水印。近來,基于聚合物的防偽文件基體很受歡迎。聚合物文件基體通常包括透明或半透明的聚合物基體,聚合物基體在每個側部上涂覆有至少一個不透明層以接受印刷,與常規的紙質文件基體相比,聚合物基體具有許多優點:包括由于聚合物基體更堅固的性質和耐污染性而具有延長的壽命。聚合物文件基體還很適合于更難以結合到基于紙張的文件中的某些類型的安全特征、比如透明窗口。然而,聚合物文件基體確實遇到的一個問題是由于芯材料的固有的絕緣特性而在處理期間在基體上積聚靜電荷。這在基體(和/或由此形成的防偽文件)的制造期間以及在隨后的對完成的防偽文件進行處理期間都可能導致問題。例如,靜電荷趨于使基體的片材粘附在一起,這可能導致片材的雙重進給并最終導致文件處理機例如ATM機卡頓。為減少靜電荷的影響,此類聚合物文件基體可以設置有一個或更多個抗靜電層,每個抗靜電層在不透明層上方或下方涂覆聚合物基體以及提供電傳導或至少消散路徑,積聚在基體上的靜電可以通過該消散路徑放電。在US-B-6,495,231和WO-A-2014/000020中公開了具有這種抗靜電層的防偽印刷介質的示例 ...
【技術保護點】
1.一種用于形成防偽文件的防偽印刷介質,所述防偽印刷介質包括:/n透明或半透明的聚合物基體,所述聚合物基體具有相反的第一表面和第二表面;/n一個或更多個不透明層,所述不透明層設置在所述聚合物基體的所述第一表面和/或所述第二表面上,所述不透明層或每個不透明層布置在所述聚合物基體的大致整個區域上,可選地所述不透明層或每個不透明層布置在所述聚合物基體的除所述聚合物基體的任何窗口區之外的大致整個區域上,以及所述不透明層或每個不透明層包括半透光材料;和/n第一抗靜電層,所述第一抗靜電層設置在所述聚合物基體的所述第一表面或第二表面上并且布置在所述聚合物基體的大致整個區域上,可選地,所述第一抗靜電層布置在所述聚合物基體的除所述聚合物基體的任何窗口區之外的大致整個區域上,以與所述一個或更多個不透明層交疊,所述第一抗靜電層包括抗靜電材料;/n其中,在所述聚合物基體的區域的至少第一部分上,所述第一抗靜電層是根據第一圖案部布置的,所述第一圖案部限定了下述間隙的二維陣列:在所述間隙中不具有所述第一抗靜電層的抗靜電材料、所述間隙由設置有所述第一抗靜電層的抗靜電材料的部分間隔開,所述部分中的至少一些部分連接至彼此 ...
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】20180410 GB 1805901.41.一種用于形成防偽文件的防偽印刷介質,所述防偽印刷介質包括:
透明或半透明的聚合物基體,所述聚合物基體具有相反的第一表面和第二表面;
一個或更多個不透明層,所述不透明層設置在所述聚合物基體的所述第一表面和/或所述第二表面上,所述不透明層或每個不透明層布置在所述聚合物基體的大致整個區域上,可選地所述不透明層或每個不透明層布置在所述聚合物基體的除所述聚合物基體的任何窗口區之外的大致整個區域上,以及所述不透明層或每個不透明層包括半透光材料;和
第一抗靜電層,所述第一抗靜電層設置在所述聚合物基體的所述第一表面或第二表面上并且布置在所述聚合物基體的大致整個區域上,可選地,所述第一抗靜電層布置在所述聚合物基體的除所述聚合物基體的任何窗口區之外的大致整個區域上,以與所述一個或更多個不透明層交疊,所述第一抗靜電層包括抗靜電材料;
其中,在所述聚合物基體的區域的至少第一部分上,所述第一抗靜電層是根據第一圖案部布置的,所述第一圖案部限定了下述間隙的二維陣列:在所述間隙中不具有所述第一抗靜電層的抗靜電材料、所述間隙由設置有所述第一抗靜電層的抗靜電材料的部分間隔開,所述部分中的至少一些部分連接至彼此以在所述聚合物基體上形成傳導網絡。
2.根據權利要求1所述的防偽印刷介質,其中,在所述聚合物基體的所述區域的所述至少第一部分中,所述防偽印刷介質對于裸眼而言看起來是大致均勻且未被圖案化的。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的防偽印刷介質,其中,所述第一抗靜電層的抗靜電材料是大致透明且無色的,并且優選地,所述第一抗靜電層還在任何窗口區的全部或部分上延伸。
4.根據權利要求1或權利要求2所述的防偽印刷介質,其中,所述第一抗靜電層的抗靜電材料是半透光的。
5.根據前述權利要求中的任一項所述的防偽印刷介質,其中,所述第一抗靜電層設置在所述聚合物基體的所述第一表面上,并且所述防偽印刷介質還包括第二抗靜電層,所述第二抗靜電層設置在所述聚合物基體的所述第二表面上,所述第二抗靜電層包括抗靜電材料,優選地,該抗靜電材料為半透光的抗靜電材料。
6.根據權利要求5所述的防偽印刷介質,其中,在所述聚合物基體的所述區域的至少第二部分上,所述第二抗靜電層是根據第二圖案部布置的,所述第二圖案部限定了下述間隙的二維陣列:在所述間隙中不具有所述第二抗靜電層的抗靜電材料、所述間隙由設置有所述第二抗靜電層的抗靜電材料的部分間隔開。
7.根據權利要求6所述的防偽印刷介質,其中,所述聚合物基體的所述區域的所述第二部分與所述第一部分至少部分地交疊,并且優選地,所述聚合物基體的所述區域的所述第二部分與所述第一部分完全交疊。
8.根據權利要求6或7所述的防偽印刷介質,其中,所述第二圖案部與所述第一圖案部相同。
9.根據權利要求6至8中的任一項所述的防偽印刷介質,其中,所述第一圖案部和所述第二圖案部在所述防偽印刷介質的平面中具有相對于彼此的非零角度偏置,優選地,所述第一圖案部和所述第二圖案部構造成在所述第一圖案部與所述第二圖案部之間不引起莫爾干涉效應,更優選地,所述非零角偏置在約20度至約35度的范圍內。
10.根據前述權利要求中的任一項所述的防偽印刷介質,其中,至少在所述聚合物基體的所述區域的所述第一部分中,所述一個或更多個不透明層中的所有不透明層以未被圖案化的方式均勻地布置在所述第一部分上。
11.根據權利要求6和權利要求10所述的防偽印刷介質,其中,還在所述聚合物基體的所述區域的所述第二部分中,所述一個或更多個不透明層中的所有不透明層以未被圖案化的方式均勻地布置在所述第二部分上。
12.根據前述權利要求中的任一項所述的防偽印刷介質,其中,通常而言,在所述第一部分和/或所述第二部分上,材料的由所述第一圖案部和/或所述第二圖案部限定的部分覆蓋不大于75%的表面區域,并且優選地,材料的由所述第一圖案部和/或所述第二圖案部限定的部分覆蓋不小于25%的表面區域。
13.根據前述權利要求中的任一項所述的防偽印刷介質,其中,所述第一圖案部中的間隙的寬和/或所述第二圖案部中的間隙的寬為至少50微米,優選地,所述第一圖案部中的間隙的寬和/或所述第二圖案部中的間隙的寬為至少100微米,更優選地,所述第一圖案部中的間隙的寬和/或所述第二圖案部中的間隙的寬為至少200微米。
14.根據前述權利要求中的任一項所述的防偽印刷介質,其中,所述第一圖案部中的間隙的寬和/或所述第二圖案部中的間隙的寬不大于1000微米,優選地,所述第一圖案部中的間隙的寬和/或所述第二圖案部中的間隙的寬不大于500微米,更優選地,所述第一圖案部中的間隙的寬和/或所述第二圖案部中的間隙的寬不大于300微米。
15.根據前述權利要求中的任一項所述的防偽印刷介質,其中,所述第一圖案部中的部分的寬和/或所述第二圖案部中的部分的寬為至少50微米,優選地,所述第一圖案部中的部分的寬和/或所述第二圖案部中的部分的寬為至少100微米,更優選地,所述第一圖案部中的部分的寬和/或所述第二圖案部中的部分的寬為至少200微米。
16.根據前述權利要求中的任一項所述的防偽印刷介質,其中,所述第一圖案部中的部分的寬和/或所述第二圖案部中的部分的寬不大于1000微米,優選地,所述第一圖案部中的部分的寬和/或所述第二圖案部...
【專利技術屬性】
技術研發人員:艾倫·??烁5?/a>,本·德雷克,林賽·斯利普,肖恩·麥克萊恩,
申請(專利權)人:德拉魯國際有限公司,
類型:發明
國別省市:英國;GB
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