UVC LED封裝結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)為一種UVC LED封裝結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)包含設(shè)置于一絕緣凸件下的一絕緣基板，設(shè)置于所述絕緣凸件上方的一UVC LED覆晶芯片，以及封設(shè)于所述UVC LED覆晶芯片上的一石英封裝件，所述絕緣基板及所述石英封裝件間設(shè)有一空間層，且所述絕緣基板與所述石英封裝件的相接處環(huán)設(shè)一凸出部，所述凸出部設(shè)置于所述空間層內(nèi)，透過(guò)所述凸出部的結(jié)構(gòu)，使一黏著層避免長(zhǎng)時(shí)間照射所述UVC LED覆晶芯片的光線而裂化。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
UVCLED封裝結(jié)構(gòu)
本技術(shù)是關(guān)于一種結(jié)構(gòu)，特別是一種UVCLED封裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
近年來(lái)LED技術(shù)持續(xù)發(fā)展，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)不斷加劇，各大廠商開(kāi)始轉(zhuǎn)戰(zhàn)利基市場(chǎng)尋找新藍(lán)海，UVLED作為高毛利的一個(gè)細(xì)分領(lǐng)域發(fā)展迅速。所謂的UV，亦即Ultraviolet，也就是俗稱的紫外線，其中UVLED指的是發(fā)光波長(zhǎng)400nm以下的LED，根據(jù)發(fā)光波長(zhǎng)的不同，UV可進(jìn)一步分為UVA(320-400nm)、UVB(280-320nm)以及UVC(200-280nm)三種，詳細(xì)分類(lèi)如下：UVA：波長(zhǎng)較長(zhǎng)，波長(zhǎng)介于320-400nm，可穿透云層、玻璃進(jìn)入室內(nèi)及車(chē)內(nèi)，UVA可穿透至皮膚真皮層，會(huì)使人被曬黑，其中，UVA可再被細(xì)分為UVA-2(320-340nm)與UVA-1(340-400nm)。UVB：波長(zhǎng)居中，波長(zhǎng)介于280-320nm，會(huì)被臭氧層所吸收，會(huì)引起曬傷及皮膚紅、腫、熱及痛，嚴(yán)重者還會(huì)起水泡或脫皮。UVC：波長(zhǎng)介于100-280nm，但由于在200nm以下的波長(zhǎng)為真空紫外線波長(zhǎng)，故可被空氣吸收，因此，UVC可穿越大氣層的波長(zhǎng)介于200-280nm，UVC波長(zhǎng)越短、越危險(xiǎn)，但又由于可被臭氧層所阻隔，只有少量會(huì)到達(dá)地球表面。傳統(tǒng)習(xí)知最適合殺菌的UVCLED波長(zhǎng)為254nm，傳統(tǒng)一般使用來(lái)殺菌的燈源多為低壓汞燈的峰值波長(zhǎng)(僅由燈的物理學(xué)決定)為253.7nm。然而在實(shí)際的使用上，位于一定范圍的UV波長(zhǎng)的都具有殺菌作用，但是大多數(shù)的使用者認(rèn)為265nm的波長(zhǎng)是最佳的，因?yàn)榇瞬ㄩL(zhǎng)為DNA吸收曲線的峰值。所以，UVC是最適合用來(lái)殺菌的波段。從歷史上看，低壓汞燈曾是UV殺菌的唯一選擇。但是，《關(guān)于汞的水俁公約》自2017年8月16日起已對(duì)我國(guó)正式生效，公約要求，自2021年1月1日起，禁止生產(chǎn)和進(jìn)出口所規(guī)定的含汞產(chǎn)品，而汞燈也在此列，因此，UVCLED就即為汞燈淘汰使用的替代物品。然而，UVCLED在封裝時(shí)會(huì)面臨一個(gè)問(wèn)題，因?yàn)閁VCLED多使用基板與石英玻璃進(jìn)行封裝，但上述兩者在結(jié)合的過(guò)程多數(shù)使用接著劑，而市售的接著劑無(wú)法接受UVCLED的照射，因?yàn)榻又鴦╅L(zhǎng)時(shí)間處于UVCLED的照射下，會(huì)發(fā)生脆化碎裂的反應(yīng)效果。故，由上述可知，雖然UVCLED體積小且可以用于殺菌消毒的作用，但是仍然具有一定的缺點(diǎn)，且就UVCLED來(lái)說(shuō)，封裝困難且價(jià)格高昂，同時(shí)UVCLED在使用壽命上，會(huì)受到容易封裝使用的材料被UVCLED照射后產(chǎn)生脆化的影響。為此，如何預(yù)防UVCLED上基板與石英玻璃之間的接著劑受到長(zhǎng)時(shí)間的UVCLED光照射，并提升UVCLED的使用壽命，為本領(lǐng)域技術(shù)人員所欲解決的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的一目的，在于提供一種UVCLED封裝結(jié)構(gòu)，透過(guò)結(jié)構(gòu)保護(hù)絕緣基板與石英封裝件間的接著劑，使接著劑減少被UVC照射的時(shí)間，避免接著劑受到長(zhǎng)時(shí)間的照射發(fā)生質(zhì)變裂化，增加UVCLED的使用年限。針對(duì)上述的目的，本技術(shù)提供一種UVCLED封裝結(jié)構(gòu)，其包含一絕緣基板，其設(shè)置于一絕緣凸件的下方，其中，所述絕緣凸件包含一第一表面，所述絕緣基板包含一第二表面，所述第一表面與所述第二表面間具有一高度，所述第二表面環(huán)設(shè)所述第一表面，一UVCLED覆晶芯片，其發(fā)出波長(zhǎng)200-280nm，其設(shè)置于所述絕緣凸件的上方，及一石英封裝件，其封設(shè)于所述UVCLED覆晶芯片之上，并以一黏著層設(shè)置于所述絕緣基板與所述石英封裝件之間，并于兩者之間設(shè)置一空間層，所述絕緣基板與所述石英封裝件的一相接處環(huán)設(shè)一凸出部，所述凸出部設(shè)置于所述空間層內(nèi)，所述石英封裝件的一內(nèi)側(cè)設(shè)置多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)及多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)圍設(shè)所述多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)，每一所述多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)的相距為0.5-1mm，每一所述多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)的相距為1.5-2mm，其中，二導(dǎo)電件穿設(shè)所述絕緣凸件與所述絕緣基板，并分別電性連接所述UVCLED覆晶芯片與二電極，所述二電極分別設(shè)置于所述絕緣基板的一底部的二側(cè)。本技術(shù)提供一實(shí)施例，其中所述UVCLED覆晶芯片其包含一藍(lán)寶石基板，一第一半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述藍(lán)寶石基板下，所述第一半導(dǎo)體層下設(shè)置一N電極，一發(fā)光層，其設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層下，所述發(fā)光層選擇于氮化鋁鎵、氮化鎵或上述的組合的其中之一，及一第二半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述發(fā)光層下，所述第二半導(dǎo)體層下設(shè)置一P電極。本技術(shù)提供一實(shí)施例，其中所述凸出部設(shè)置一斜部，所述斜部朝向所述UVCLED覆晶芯片。針對(duì)上述的目的，本技術(shù)提供一種UVCLED封裝結(jié)構(gòu)，其包含一絕緣基板，其設(shè)置于一絕緣凸件的下方，所述絕緣基板設(shè)有一絕緣外層，所述絕緣外層圍設(shè)所述絕緣凸件形成一溝槽，其中，所述絕緣凸件包含一第一表面，所述溝槽包含一第二表面，所述第一表面與所述第二表面間具有一高度，所述第二表面環(huán)設(shè)所述第一表面，一UVCLED覆晶芯片，其發(fā)出波長(zhǎng)200-280nm，其設(shè)置于所述絕緣凸件的上方，及一石英封裝件，其封設(shè)于所述UVCLED覆晶芯片之上，并以一黏著層設(shè)置于所述絕緣基板與所述石英封裝件之間，并于兩者之間設(shè)置一空間層，所述絕緣基板與所述石英封裝件的一相接處環(huán)設(shè)一凸出部，所述凸出部設(shè)置于所述空間層內(nèi)，所述石英封裝件的一內(nèi)側(cè)設(shè)置多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)及多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)圍設(shè)所述多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)，每一所述多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)的相距為0.5-1mm，每一所述多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)的相距為1.5-2mm，其中，二導(dǎo)電件穿設(shè)所述絕緣凸件與所述絕緣基板，并分別電性連接所述UVCLED覆晶芯片與二電極，所述二電極分別設(shè)置于所述絕緣基板的一底部的二側(cè)。本技術(shù)提供一實(shí)施例，其中所述絕緣基板與所述石英封裝件的一相接處環(huán)設(shè)一凸出部，所述凸出部設(shè)置于所述空間層內(nèi)。本技術(shù)提供一實(shí)施例，其中所述UVCLED覆晶芯片其包含一藍(lán)寶石基板，一第一半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述藍(lán)寶石基板下，所述第一半導(dǎo)體層下設(shè)置一N電極，一發(fā)光層，其設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層下，所述發(fā)光層選擇于氮化鋁鎵、氮化鎵或上述的組合的其中之一，及一第二半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述發(fā)光層下，所述第二半導(dǎo)體層下設(shè)置一P電極。本技術(shù)提供一實(shí)施例，其中所述凸出部設(shè)置一斜部，所述斜部朝向所述UVCLED覆晶芯片。針對(duì)上述的目的，本技術(shù)提供一種UVCLED封裝結(jié)構(gòu)一絕緣基板，其具有一凹部，一空間層設(shè)于所述凹部，一絕緣凸件設(shè)置于所述空間層內(nèi)，其中，所述絕緣凸件包含一第一表面，所述絕緣基板包含一第二表面，所述第一表面與所述第二表面間具有一高度，所述第二表面環(huán)設(shè)所述第一表面，一UVCLED覆晶芯片，其發(fā)出波長(zhǎng)200-280nm，其設(shè)置于所述絕緣凸件的上方，及一石英封裝件，其封設(shè)于所述UVCLED覆晶芯片之上，并以一黏著層設(shè)置于所述絕緣基板與所述石英封裝件之間，并于兩者之間設(shè)置一空間層，所述石英封裝件的一內(nèi)側(cè)設(shè)置多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)及所多第二微結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)圍設(shè)所述多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)，每一所述多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)的相距為0.5-1mm，每一所述多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)的相距為1.5-2mm，其中，二導(dǎo)電件穿設(shè)所述絕緣本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種UVC LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包含：/n一絕緣基板，其設(shè)置于一絕緣凸件的下方，其中，所述絕緣凸件包含一第一表面，所述絕緣基板包含一第二表面，所述第一表面與所述第二表面間具有一高度，所述第二表面環(huán)設(shè)所述第一表面；/n一UVC LED覆晶芯片，其發(fā)出波長(zhǎng)200-280nm，其設(shè)置于所述絕緣凸件的上方；及/n一石英封裝件，其封設(shè)于所述UVC LED覆晶芯片之上，并以一黏著層設(shè)置于所述絕緣基板與所述石英封裝件之間，并于兩者之間設(shè)置一空間層，所述絕緣基板與所述石英封裝件的一相接處環(huán)設(shè)一凸出部，所述凸出部設(shè)置于所述空間層內(nèi)，所述石英封裝件的一內(nèi)側(cè)設(shè)置多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)及多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)圍設(shè)所述多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)，每一所述多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)的相距為0.5-1mm，每一所述多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)的相距為1.5-2mm；/n其中，二導(dǎo)電件穿設(shè)所述絕緣凸件與所述絕緣基板，并分別電性連接所述UVC LED覆晶芯片與二電極，所述二電極分別設(shè)置于所述絕緣基板的一底部的二側(cè)。/n

【技術(shù)特征摘要】
1.一種UVCLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包含：
一絕緣基板，其設(shè)置于一絕緣凸件的下方，其中，所述絕緣凸件包含一第一表面，所述絕緣基板包含一第二表面，所述第一表面與所述第二表面間具有一高度，所述第二表面環(huán)設(shè)所述第一表面；
一UVCLED覆晶芯片，其發(fā)出波長(zhǎng)200-280nm，其設(shè)置于所述絕緣凸件的上方；及
一石英封裝件，其封設(shè)于所述UVCLED覆晶芯片之上，并以一黏著層設(shè)置于所述絕緣基板與所述石英封裝件之間，并于兩者之間設(shè)置一空間層，所述絕緣基板與所述石英封裝件的一相接處環(huán)設(shè)一凸出部，所述凸出部設(shè)置于所述空間層內(nèi)，所述石英封裝件的一內(nèi)側(cè)設(shè)置多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)及多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)圍設(shè)所述多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)，每一所述多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)的相距為0.5-1mm，每一所述多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)的相距為1.5-2mm；
其中，二導(dǎo)電件穿設(shè)所述絕緣凸件與所述絕緣基板，并分別電性連接所述UVCLED覆晶芯片與二電極，所述二電極分別設(shè)置于所述絕緣基板的一底部的二側(cè)。


2.如權(quán)利要求1所述的UVCLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述絕緣基板上設(shè)有一絕緣外層，所述絕緣外層圍設(shè)所述絕緣凸件形成一溝槽，所述石英封裝件插設(shè)所述溝槽，且所述石英封裝件與所述溝槽夾設(shè)所述黏著層。


3.如權(quán)利要求1所述的UVCLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述UVCLED覆晶芯片其包含：
一藍(lán)寶石基板；
一第一半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述藍(lán)寶石基板下，所述第一半導(dǎo)體層下設(shè)置一N電極；
一發(fā)光層，其設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層之下，所述發(fā)光層選擇于氮化鋁鎵、氮化鎵或上述的組合的其中之一；及
一第二半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述發(fā)光層下，所述第二半導(dǎo)體層下設(shè)置一P電極。


4.如權(quán)利要求1所述的UVCLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述凸出部設(shè)置一斜部，所述斜部朝向所述UVCLED覆晶芯片。


5.一種UVCLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包含：
一絕緣基板，其設(shè)置于一絕緣凸件的下方，所述絕緣基板設(shè)有一絕緣外層，所述絕緣外層圍設(shè)所述絕緣凸件形成一溝槽，其中，所述絕緣凸件包含一第一表面，所述溝槽包含一第二表面，所述第一表面與所述第二表面間具有一高度，所述第二表面環(huán)設(shè)所述第一表面；
一UVCLED覆晶芯片，其發(fā)出波長(zhǎng)200-280nm，其設(shè)置于所述絕緣凸件的上方；及
一石英封裝件，其封設(shè)于所述UVCLED覆晶芯片之上，所述石英封裝件插設(shè)所述溝槽，并以一黏著層設(shè)置于所述絕緣基板與所述石英封裝件之間，并于兩者之間設(shè)置一空間層，所述石英封裝件的一內(nèi)側(cè)設(shè)置多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)及多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)第二微結(jié)構(gòu)圍設(shè)所述多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)，每一所述多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)的相距為0.5-1m...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：葉志庭，藍(lán)友成，潘錫明，莊峰輝，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：宏齊科技股份有限公司，
類(lèi)型：新型
國(guó)別省市：中國(guó)臺(tái)灣;71