一種多重電源保護及重啟電路制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)公開了一種多重電源保護及重啟電路，MOS管的源極構(gòu)成電路的輸入端，MOS管的漏極構(gòu)成電路的輸出端，在MOS管的源極和柵極之間連接二極管D5，二極管D5的正極依次連接電阻R55、二極管D6的負極后接地，二極管D5和電阻R55的連接點連接電阻R46和電阻R49的一端、并聯(lián)連接的兩個電容的一端，電阻R46的另一端構(gòu)成電路的輸入端，電阻R49的另一端接地，兩個并聯(lián)連接的電容的另一端連接電阻R45的一端，電阻R45的另一端構(gòu)成電路的輸入端，MOS管的柵極和三極管、電阻組合連接；本實用新型專利技術(shù)的方案實現(xiàn)了電路的過壓保護，實現(xiàn)電路軟啟動、過壓保護、有效的斷電復(fù)位功能，以及低壓保護，實現(xiàn)了低成本，小型化，可靠的電源保護及控制，提高了電子設(shè)備運行的可靠性。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種多重電源保護及重啟電路
本技術(shù)屬于電子電路
，具體涉及一種多重電源保護及重啟電路。
技術(shù)介紹
隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的興起和電子設(shè)備的普及，尤其在一些工業(yè)領(lǐng)域，電子設(shè)備供電的安全性對設(shè)備的可靠性，使用壽命都有著及其重要的影響。為了增強設(shè)備的可靠性，在主控芯片內(nèi)一般會加上看門狗機制，在一定程度上預(yù)防了程序上的出錯和死機。但主控芯片的看門狗復(fù)位也只能對主控芯片本身起到軟復(fù)位重啟的過程，在很多實用場景發(fā)現(xiàn)，當電子設(shè)備在運行異常出現(xiàn)時，僅僅復(fù)位主控芯片并不能回復(fù)設(shè)備的正常工作，往往需要電子設(shè)備的斷電重啟，在單電源供電的場景，電子設(shè)備往往無法自身做到有效的，足夠長時間的斷電，重新上電重啟的過程。在一些供電環(huán)境比較惡劣的場景中，電子設(shè)備為了保證電源的穩(wěn)定，往往在電路中加上一些比較大的電容來抑制電源的瞬間波動，或者電子設(shè)備本身呈感性負載，在上電和斷電的瞬間容易產(chǎn)生高出電源本身電壓數(shù)倍的浪涌電壓，這個瞬間的沖擊高壓往往超出后面用電設(shè)備所能承受電壓的上限，導(dǎo)致設(shè)備損壞。一般的做法是添加TVS，或者壓敏電阻，這樣能在一定程度上抑制特別高壓的瞬間沖擊，無法徹底解決超額定電壓沖擊的問題，影響了電子設(shè)備的壽命和可靠性。在供電方式非封閉的電子設(shè)備內(nèi)，設(shè)備的供電取決于外部電源，如果誤接外部超出使用范圍的電源，容易損壞電子設(shè)備，在這樣的工作方式中，需要考慮電子設(shè)備的過壓保護。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的：在于提供一種具備電路低壓保護、過壓保護、軟啟動，以及有效的斷電復(fù)位功能的多重電源保護及重啟電路。技術(shù)方案：本技術(shù)提供的電路包括電阻R45、電阻R46、電阻R44、電阻R49、電阻R55、電阻R68、電阻R52、電阻R50、電阻R48、電阻R51、MOS管、二極管D5、二極管D6、二極管D1、三極管Q4、三極管Q5、電容C54、電容C60；電阻R45的一端、電阻R46的一端、二極管D5的負極、MOS管Q3的源極、電阻R44的一端共五端相連，且連接點構(gòu)成電路的輸入端；MOS管Q3的漏極構(gòu)成電路的輸出端；電阻R45的另一端與并聯(lián)連接的電容C54和電容C60的一端相連；電容C54和電容C60并聯(lián)的另一端分別與電阻R46的另一端、電阻R49的一端、二極管D5的正極、電阻R55的一端、MOS管Q3的柵極、三極管Q4的集電極相連；電阻R49的另一端接地；電阻R55的另一端和二極管D6的負極相連，二極管D6的正極接地；電阻R44的另一端和電阻R50的一端、三極管Q4的發(fā)射極相連，三極管Q4的基極和電阻R68的一端相連；電阻R68的另一端和電阻R50的另一端、二極管D1的負極、電阻R52的一端相連；二極管D1的正極接地；電阻R52的另一端和三極管Q5的集電極相連，三極管Q5的發(fā)射極接地，三極管Q5的基極和電阻R48的一端、電阻R51的一端相連；電阻R48的另一端和和電源中控制電路開關(guān)的主控芯片相連；電阻R51的另一端接地。進一步的，MOS管Q3的柵極和三極管Q4的集電極之間連有電阻R47。電路還包括電阻R42；電阻R42的一端和所述MOS管Q3的漏極相連，電阻R42的另一端和發(fā)光二極管DS3的正極相連，發(fā)光二極管DS3的負極接地。電路還包括電容C62、電容C69；電容C62的一端和MOS管Q3的漏極相連，電容C62的另一端接地；電容C69的一端和MOS管Q3的漏極相連，電容C69的另一端接地。電路還包括電容C72，電容C72的一端與三極管Q5的基極相連，電容C72的另一端接地。進一步的，MOS管的源極和漏極之間連接有電阻R43。優(yōu)選的，MOS管Q3為PMOS管。進一步的，二極管D5、二極管D6、二極管D1為穩(wěn)壓二極管。進一步的，三極管Q4為PNP型三極管；三極管Q5為NPN型三極管有益效果：相對于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)提供的多重電源保護及重啟電路具備電路低壓保護、過壓保護、軟啟動，以及有效的斷電復(fù)位功能，實現(xiàn)了電源的多重保護，且電路的可靠性高，成本低，尺寸小，實現(xiàn)了低成本、小型化、可靠的電源保護及控制，提高了電子設(shè)備運行的可靠性。附圖說明圖1是本技術(shù)實施例提供的多重電源保護及重啟電路示意圖；圖2是本技術(shù)實施例提供的MOS管Q3的源極和漏極間阻值RDS與MOS管Q3的源極和柵極間電壓VGS的關(guān)系圖；圖3是本技術(shù)實施例提供的未使用軟啟動電路的情況下，電源輸出電壓的幅值隨時間變化的關(guān)系圖；圖4是本技術(shù)實施例提供的使用軟啟動電路的情況下，電源輸出電壓的幅值隨時間變化的關(guān)系圖；圖5是本技術(shù)實施例提供的使用多重電源保護及重啟電路的情況下，電源輸出電壓隨輸入電壓變化的關(guān)系圖；圖6是本技術(shù)實施例提供的使用多重電源保護及重啟電路的情況下，收到關(guān)機重啟信號后，輸出電壓隨著時間的變化關(guān)系圖。具體實施方式下面結(jié)合附圖對本技術(shù)作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本技術(shù)的技術(shù)方案，而不能以此來限制本技術(shù)的保護范圍。本技術(shù)提供的多重電源保護及重啟電路，包括電阻R45、電阻R46、電阻R44、電阻R49、電阻R55、電阻R68、電阻R52、電阻R50、電阻R48、電阻R51、MOS管、二極管D5、二極管D6、二極管D1、三極管Q4、三極管Q5、電容C54、電容C60；電阻R45的一端、電阻R46的一端、二極管D5的負極、MOS管Q3的源極、電阻R44的一端共五端相連，且連接點構(gòu)成電路的輸入端；MOS管Q3的漏極構(gòu)成電路的輸出端；電阻R45的另一端與并聯(lián)連接的電容C54和電容C60的一端相連；電容C54和電容C60并聯(lián)的另一端分別與電阻R46的另一端、電阻R49的一端、二極管D5的正極、電阻R55的一端、MOS管Q3的柵極、三極管Q4的集電極相連；電阻R49的另一端接地；電阻R55的另一端和二極管D6的負極相連，二極管D6的正極接地；電阻R44的另一端和電阻R50的一端、三極管Q4的發(fā)射極相連，三極管Q4的基極和電阻R68的一端相連；電阻R68的另一端和電阻R50的另一端、二極管D1的負極、電阻R52的一端相連；二極管D1的正極接地；電阻R52的另一端和三極管Q5的集電極相連，三極管Q5的發(fā)射極接地，三極管Q5的基極和電阻R48的一端、電阻R51的一端相連；電阻R48的另一端和電源中控制電路開關(guān)的主控芯片相連；電阻R51的另一端接地；在本實施例中，控制電路開關(guān)的主控芯片為MCU。參照圖1，在MOS管Q3的柵極和三極管Q4的集電極之間連有電阻R47；電路還包括發(fā)光二極管DS3，發(fā)光二極管DS3的負極接地，發(fā)光二極管DS3的正極和電阻R42的一端連接，電阻R42的另一端和MOS管的漏極連接。MOS管Q3的漏極分別和電容C62、電容C69的一端相連，電容C62和電容C69的另一端接地。三極管Q5的基極和電容C72的一端連接，電容C72的另一端接地。MOS管的源極和漏極之間連接有電阻R43本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
1.一種多重電源保護及重啟電路，其特征在于，包括電阻R45、電阻R46、電阻R44、電阻R49、電阻R55、電阻R68、電阻R52、電阻R50、電阻R48、電阻R51、MOS管、二極管D5、二極管D6、二極管D1、三極管Q4、三極管Q5、電容C54、電容C60；/n電阻R45的一端、電阻R46的一端、二極管D5的負極、MOS管Q3的源極、電阻R44的一端共五端相連，且連接點構(gòu)成電路的輸入端；MOS管Q3的漏極構(gòu)成電路的輸出端；/n電阻R45的另一端與并聯(lián)連接的電容C54和電容C60的一端相連；電容C54和電容C60并聯(lián)的另一端分別與電阻R46的另一端、電阻R49的一端、二極管D5的正極、電阻R55的一端、MOS管Q3的柵極、三極管Q4的集電極相連；/n電阻R49的另一端接地；電阻R55的另一端和二極管D6的負極相連，二極管D6的正極接地；/n電阻R44的另一端和電阻R50的一端、三極管Q4的發(fā)射極相連，三極管Q4的基極和電阻R68的一端相連；電阻R68的另一端和電阻R50的另一端、二極管D1的負極、電阻R52的一端相連；二極管D1的正極接地；/n電阻R52的另一端和三極管Q5的集電極相連，三極管Q5的發(fā)射極接地，三極管Q5的基極和電阻R48的一端、電阻R51的一端相連；電阻R48的另一端和電源中控制電路開關(guān)的主控芯片相連；電阻R51的另一端接地。/n...

【技術(shù)特征摘要】
1.一種多重電源保護及重啟電路，其特征在于，包括電阻R45、電阻R46、電阻R44、電阻R49、電阻R55、電阻R68、電阻R52、電阻R50、電阻R48、電阻R51、MOS管、二極管D5、二極管D6、二極管D1、三極管Q4、三極管Q5、電容C54、電容C60；
電阻R45的一端、電阻R46的一端、二極管D5的負極、MOS管Q3的源極、電阻R44的一端共五端相連，且連接點構(gòu)成電路的輸入端；MOS管Q3的漏極構(gòu)成電路的輸出端；
電阻R45的另一端與并聯(lián)連接的電容C54和電容C60的一端相連；電容C54和電容C60并聯(lián)的另一端分別與電阻R46的另一端、電阻R49的一端、二極管D5的正極、電阻R55的一端、MOS管Q3的柵極、三極管Q4的集電極相連；
電阻R49的另一端接地；電阻R55的另一端和二極管D6的負極相連，二極管D6的正極接地；
電阻R44的另一端和電阻R50的一端、三極管Q4的發(fā)射極相連，三極管Q4的基極和電阻R68的一端相連；電阻R68的另一端和電阻R50的另一端、二極管D1的負極、電阻R52的一端相連；二極管D1的正極接地；
電阻R52的另一端和三極管Q5的集電極相連，三極管Q5的發(fā)射極接地，三極管Q5的基極和電阻R48的一端、電阻R51的一端相連；電阻R48的另一端和電源中控制電路開關(guān)的主控芯片相連；電阻R51的另一端接地。


2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多重電源保護及重啟電路，其特征在于，MOS管Q3的柵極和三極管Q4的集電極之...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：朱俊，
申請(專利權(quán))人：無錫士康通訊技術(shù)有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32