本申請涉及具有防滲基座及嵌入構(gòu)件的線路板及其半導(dǎo)體組體。線路板包括有與一防滲基座結(jié)合的一多層樹脂構(gòu)件或一散熱構(gòu)件以及一金屬封層，該金屬封層覆蓋多層樹脂構(gòu)件與防滲基座之間或散熱構(gòu)件與防滲基座之間的接合層。多層樹脂構(gòu)件可在防滲基座內(nèi)建立多層繞線能力，而散熱構(gòu)件則在防滲基座內(nèi)提供局部高導(dǎo)熱通道。金屬封層可防止水分通過接合層，以保護(hù)安設(shè)于防滲基座或散熱構(gòu)件頂側(cè)上的半導(dǎo)體裝置免受濕氣損害。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
具有防滲基座及嵌入構(gòu)件的線路板及其半導(dǎo)體組體
本專利技術(shù)是關(guān)于一種線路板，尤指一種將嵌入構(gòu)件與防滲基座結(jié)合的線路板及其半導(dǎo)體組體。
技術(shù)介紹
高效能微處理器及ASIC需要用于信號(hào)互連的高效能線路板。然而，現(xiàn)有樹脂層壓基板有吸收水分的傾向，因而降低組體的可靠度。在某些應(yīng)用中，例如氧化鋁或氮化鋁的陶瓷材料因其理想的電絕緣性、高機(jī)械強(qiáng)度、低CTE(熱膨脹系數(shù))及良好導(dǎo)熱性而成為密封封裝的熱門材料選擇。因此，已基于此類應(yīng)用而開發(fā)多層陶瓷基板，包括HTCC(高溫共燒陶瓷)或LTCC(低溫共燒陶瓷)。然而，制造多層電路陶瓷板非常昂貴，且難以進(jìn)行細(xì)線布線。有鑒于最近基板的各種發(fā)展階段及限制，目前亟需改善基板的電性、熱性及機(jī)械效能。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是提供一種具有一異質(zhì)構(gòu)件合并于內(nèi)的線路板。該線路板具有如下特征:一多層樹脂構(gòu)件或一散熱構(gòu)件設(shè)置于一防滲基座內(nèi)，以于防滲基座內(nèi)建立多層繞線能力或局部高導(dǎo)熱途徑。本專利技術(shù)的另一目的是提供一種具有金屬封層的線路板，該金屬封層覆蓋兩異質(zhì)材料間的接合層，以防止?jié)駳馔ㄟ^該接合層，因而改善半導(dǎo)體組體的可靠度。依據(jù)上述及其他目的，本專利技術(shù)提供一種線路板，其包括：一防滲基座，其具有一頂部電路于其頂側(cè)、一底部電路于其底側(cè)、以及一開口，其中該防滲基座的吸水率為1％以下，且該開口的內(nèi)側(cè)壁于該頂側(cè)與該底側(cè)之間延伸穿過該防滲基座；一嵌入構(gòu)件，其設(shè)置于該防滲基座的該開口中；一接合層，其填入該嵌入構(gòu)件的外圍側(cè)壁與該開口的該內(nèi)側(cè)壁之間的間隙，其中該接合層的彈性模數(shù)低于該防滲基座的彈性模數(shù)；以及一金屬封層，其完全覆蓋該接合層的底表面。本專利技術(shù)亦提供一種半導(dǎo)體組體，其包括:上述線路板；一半導(dǎo)體裝置，其電性連接至該線路板；以及一防滲蓋，其附接于該防滲基座的該頂側(cè)上，以將該半導(dǎo)體裝置密封于內(nèi)。本專利技術(shù)的上述及其他特征與優(yōu)點(diǎn)可藉由下述優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)敘述更加清楚明了。附圖說明參考隨附圖式，本專利技術(shù)可藉由下述優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)敘述更加清楚明了，其中：圖1及2分別為本專利技術(shù)第一實(shí)施例中，防滲基座的剖視圖及頂部示意圖；圖3及4分別為本專利技術(shù)第一實(shí)施例中，圖1及2結(jié)構(gòu)上形成一開口的剖視圖及頂部示意圖；圖5及6分別為本專利技術(shù)第一實(shí)施例中，圖3及4結(jié)構(gòu)上提供嵌入構(gòu)件的剖視圖及頂部示意圖；圖7及8分別為本專利技術(shù)第一實(shí)施例中，圖5及6結(jié)構(gòu)上形成修飾接合基質(zhì)的剖視圖及頂部示意圖；圖9及10分別為本專利技術(shù)第一實(shí)施例中，圖7及8結(jié)構(gòu)上形成一外布線層、頂部與底部電路、一導(dǎo)電層及一金屬封層以完成線路板制作的剖視圖及頂部示意圖；圖11為本專利技術(shù)第一實(shí)施例中，一半導(dǎo)體裝置安設(shè)于圖9線路板上的半導(dǎo)體組體剖視圖；圖12為本專利技術(shù)第一實(shí)施例中，圖11半導(dǎo)體組體上提供一防滲蓋的剖視圖；圖13為本專利技術(shù)第二實(shí)施例中，另一線路板的剖視圖；圖14為本專利技術(shù)第二實(shí)施例中，一半導(dǎo)體裝置及一防滲蓋安設(shè)于圖13線路板上的半導(dǎo)體組體剖視圖；圖15為本專利技術(shù)第三實(shí)施例中，又一線路板的剖視圖；以及圖16為本專利技術(shù)第三實(shí)施例中，一半導(dǎo)體裝置及一防滲蓋安設(shè)于圖15線路板上的半導(dǎo)體組體剖視圖。附圖標(biāo)記說明：；100:線路板；20:防滲基座；21:防滲絕緣層；22:頂部電路；23:頂部金屬層；24:底部電路；25:底部金屬層；27:金屬化通孔；200:線路板；205:開口；206:間隙；30:嵌入構(gòu)件；31:樹脂層；32:電隔離件；33:布線層；34:頂部布線層；35:頂部金屬膜；36:底部布線層；37:底部金屬膜；38:金屬化貫通孔；39:金屬化貫孔；300:線路板；50:修飾接合基質(zhì)；53:接合層；55:應(yīng)力調(diào)節(jié)件；62:導(dǎo)電層；63:頂部被覆層；64:金屬封層；65:底部被覆層；66:金屬封層；71:半導(dǎo)體裝置；81:接合線；83:焊料凸塊；91:防滲蓋。具體實(shí)施方式在下文中，將提供一實(shí)施例以詳細(xì)說明本專利技術(shù)的實(shí)施方案。本專利技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)以及功效將藉由本專利技術(shù)所揭露的內(nèi)容而更為顯著。在此說明所附的圖式是簡化過且做為例示用。圖式中所示的元件數(shù)量、形狀及尺寸可依據(jù)實(shí)際情況而進(jìn)行修改，且元件的配置可能更為復(fù)雜。本專利技術(shù)中也可進(jìn)行其他方面的實(shí)踐或應(yīng)用，且不偏離本專利技術(shù)所定義的精神及范疇的條件下，可進(jìn)行各種變化以及調(diào)整。[實(shí)施例1]圖1-10為本專利技術(shù)第一實(shí)施例中，一種線路板的制作方法圖，該線路板包括一防滲基座、一嵌入構(gòu)件、一接合層、應(yīng)力調(diào)節(jié)件、一導(dǎo)電層及一金屬封層。圖1及2分別為本專利技術(shù)第一實(shí)施例中防滲基座20的剖視圖及頂部示意圖。于本實(shí)施例中，該防滲基座20包括一防滲絕緣層21、一頂部金屬層23、一底部金屬層25及金屬化通孔27。防滲絕緣層21可由無機(jī)材料制成，且其吸水率優(yōu)選為1％以下，以達(dá)防潮要求。頂部金屬層23及底部金屬層25通常為未圖案化的銅層，其分別位于防滲絕緣層21的頂側(cè)及底側(cè)上。金屬化通孔27延伸穿過防滲絕緣層21，以提供頂部金屬層23與底部金屬層25之間的電性連接。圖3及4分別為防滲基座20中形成開口205的剖視圖及頂部示意圖。開口205具有從防滲基座20的頂側(cè)延伸至底側(cè)的內(nèi)側(cè)壁。防滲基座20的開口205可通過多種技術(shù)形成，例如沖壓、鉆孔或激光切割。圖5及6分別為嵌入構(gòu)件30插入防滲基座20開口205中的剖視圖及頂部示意圖。該嵌入構(gòu)件30的厚度實(shí)質(zhì)上等于防滲基座20的厚度。防滲基座20開口205的內(nèi)側(cè)壁側(cè)向環(huán)繞嵌入構(gòu)件30的外圍側(cè)壁，并與嵌入構(gòu)件30的外圍側(cè)壁間隔開。因此，間隙206位于防滲基座20內(nèi)側(cè)壁與嵌入構(gòu)件30外圍側(cè)壁之間的開口205中。該間隙206側(cè)向環(huán)繞嵌入構(gòu)件30，并被防滲基座20側(cè)向環(huán)繞。于本實(shí)施例中，該嵌入構(gòu)件30為多層樹脂構(gòu)件，其通常具有高于防滲基座20的熱膨脹系數(shù)及低于防滲基座20的彈性模數(shù)，并且包括多個(gè)樹脂層31、多個(gè)內(nèi)布線層33、一頂部金屬膜35及一底部金屬膜37。樹脂層31與內(nèi)布線層33是以交替方式輪流形成，而頂部金屬膜35及底部金屬膜37分別從上方及下方完全覆蓋最頂部的樹脂層31及最底部的樹脂層31。內(nèi)布線層33通常為圖案化的銅層，且通過樹脂層31中的金屬化貫孔39相互電性連接并與頂部金屬膜35電性連接。頂部及底部金屬膜35、37通常為未圖案化的銅層，其平坦外表面與防滲基座20的頂部及底部金屬層23、25的平坦外表面呈實(shí)質(zhì)上共平面。圖7及8分別為接合層53分配于該間隙206中的剖視圖及頂部示意圖。該接合層53(通常由樹脂制成)填入該間隙206中，并側(cè)向覆蓋、環(huán)繞且同形被覆該防滲基座20的內(nèi)側(cè)壁及該嵌入構(gòu)件30的外圍側(cè)壁。接合層53于防滲基座20與嵌入構(gòu)件30之間提供牢固的機(jī)械性接合，并且具有與防滲基底20的頂部與底部金屬層23、25外表面及嵌入構(gòu)件30的頂部與底部金屬膜35、37外表面呈實(shí)質(zhì)上共平面的頂表面及底表面。優(yōu)選為，接合層53的彈性模數(shù)低于防滲基底20的彈性模數(shù)，以吸收防滲基底20與嵌入構(gòu)件30間任何熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配所引起的應(yīng)力。例如，接合層53的彈性模數(shù)可小于1本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種線路板，其特征在于，包括：/n一防滲基座，其具有一頂部電路于其頂側(cè)、一底部電路于其底側(cè)、以及一開口，其中該防滲基座的吸水率為1％以下，且該開口的內(nèi)側(cè)壁于該頂側(cè)與該底側(cè)之間延伸穿過該防滲基座；/n一嵌入構(gòu)件，其設(shè)置于該防滲基座的該開口中；/n一接合層，其填入該嵌入構(gòu)件的外圍側(cè)壁與該開口的該內(nèi)側(cè)壁之間的間隙，其中該接合層的彈性模數(shù)低于該防滲基座的彈性模數(shù)；以及/n一金屬封層，其完全覆蓋該接合層的底表面。/n
【技術(shù)特征摘要】
20190612 US 16/438,8241.一種線路板，其特征在于，包括：
一防滲基座，其具有一頂部電路于其頂側(cè)、一底部電路于其底側(cè)、以及一開口，其中該防滲基座的吸水率為1％以下，且該開口的內(nèi)側(cè)壁于該頂側(cè)與該底側(cè)之間延伸穿過該防滲基座；
一嵌入構(gòu)件，其設(shè)置于該防滲基座的該開口中；
一接合層，其填入該嵌入構(gòu)件的外圍側(cè)壁與該開口的該內(nèi)側(cè)壁之間的間隙，其中該接合層的彈性模數(shù)低于該防滲基座的彈性模數(shù)；以及
一金屬封層，其完全覆蓋該接合層的底表面。
2.如權(quán)利要求1所述的線路板，其特征在于，該接合層的該彈性模數(shù)低于10Gpa。
3.如權(quán)利要求1所述的線路板，其特征在于，更包括多個(gè)應(yīng)力調(diào)節(jié)件，其分配于該接合層中，且其熱膨脹系數(shù)低于該接合層的熱膨脹系數(shù)。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的線路板，其中，該嵌入構(gòu)件為一多...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：林文強(qiáng)，王家忠，
申請(專利權(quán))人：鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：中國臺(tái)灣;71
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。