一種基于MT613X芯片的磁致復(fù)位電路制造技術(shù)

提供一種基于MT613X芯片的磁致復(fù)位電路，屬于復(fù)位電路技術(shù)領(lǐng)域，包括MT613X芯片，所述MT613X芯片的水平面方向設(shè)有磁鐵，所述MT613X芯片的OUT引腳與外接單元的RESET引腳連接或外接單元7的I/O口連接，電源VCC與所述MT613X芯片的VCC引腳電連接且為其供電，所述MT613X芯片的GND引腳與地線GND連接。本復(fù)位電路經(jīng)過(guò)MT613X芯片的處理，使其OUT引腳產(chǎn)生低電平，OUT引腳的低電平拉低外接單元的RESET引腳，從而實(shí)現(xiàn)外部電路復(fù)位，實(shí)現(xiàn)設(shè)備在操作受限，按鍵不允許的情況下，通過(guò)不需要物理接觸的方式達(dá)到設(shè)備重啟的目的，操作簡(jiǎn)單，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能夠使設(shè)備很快實(shí)現(xiàn)復(fù)位，復(fù)位過(guò)程中無(wú)電流及電壓沖擊，從而保證電子設(shè)備的使用壽命。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種基于MT613X芯片的磁致復(fù)位電路
本技術(shù)屬于復(fù)位電路
，具體涉及一種基于MT613X芯片的磁致復(fù)位電路。
技術(shù)介紹
電子設(shè)備在使用過(guò)程中，外界環(huán)境的干擾或設(shè)備內(nèi)部的程序錯(cuò)誤等因素，都可能會(huì)導(dǎo)致電子設(shè)備無(wú)法正常工作，此時(shí)，設(shè)備操作受限，各種按鍵不起作用，這時(shí)就需要對(duì)電子設(shè)備進(jìn)行復(fù)位，即讓電子設(shè)備恢復(fù)到起始狀態(tài)。目前，在電子設(shè)備工作異常時(shí)，多是直接切斷設(shè)備的電源，再使設(shè)備重新通電，以此來(lái)將電子設(shè)備恢復(fù)到起始狀態(tài)。然而，這種接觸式的復(fù)位方式操作繁瑣，很可能導(dǎo)致設(shè)備重啟的時(shí)間延長(zhǎng)，長(zhǎng)期下來(lái)，也可能因電流及電壓的沖擊導(dǎo)致電子設(shè)備的使用壽命縮短。因此有必要提出改進(jìn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)解決的技術(shù)問(wèn)題：提供一種基于MT613X芯片的磁致復(fù)位電路，本技術(shù)經(jīng)過(guò)MT613X芯片的處理，使其OUT引腳產(chǎn)生低電平，OUT引腳的低電平拉低外接單元的RESET引腳，從而實(shí)現(xiàn)外部電路復(fù)位，實(shí)現(xiàn)設(shè)備在不需要物理接觸的方式達(dá)到設(shè)備重啟的目的，操作簡(jiǎn)單，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能夠使設(shè)備很快實(shí)現(xiàn)復(fù)位，復(fù)位過(guò)程中無(wú)電流及電壓沖擊，從而保證電子設(shè)備的使用壽命。本技術(shù)采用的技術(shù)方案：一種基于MT613X芯片的磁致復(fù)位電路，包括MT613X芯片，所述MT613X芯片的水平面方向設(shè)有磁鐵，所述MT613X芯片的OUT引腳與外接單元的RESET引腳或外接單元的I/O口連接，電源VCC與所述MT613X芯片的VCC引腳電連接且為其供電，所述MT613X芯片的GND引腳與地線GND連接。對(duì)上述技術(shù)方案的進(jìn)一步限定，所述MT613X芯片的VCC引腳和GND引腳之間連接有具有電源濾波作用的電容C1。對(duì)上述技術(shù)方案的進(jìn)一步限定，所述MT613X芯片的OUT引腳和GND引腳之間連接有具有輸出濾波作用的電容C2。對(duì)上述技術(shù)方案的進(jìn)一步限定，所述MT613X芯片是一種檢測(cè)與IC封裝平行的磁場(chǎng)的磁阻開(kāi)關(guān)傳感器IC，所述MT613X芯片在一顆芯片上集成AMR傳感器和ASIC芯片，所述MT613X芯片內(nèi)部包括帶磁膜的惠斯通電橋、一個(gè)用于在1.65V至5.0V電源電壓下工作的電流調(diào)節(jié)器、一個(gè)用于低功耗要求的睡眠/喚醒邏輯、小信號(hào)放大器、帶動(dòng)態(tài)偏移消除的施密特觸發(fā)比較器、以及具有推挽輸出和開(kāi)漏輸出兩種不同選項(xiàng)的輸出驅(qū)動(dòng)器。對(duì)上述技術(shù)方案的進(jìn)一步限定，所述外接單元為具有復(fù)位功能的任意電路，包含電路的復(fù)位或者任意一個(gè)可以作為輸入的IO引腳，由外接單元內(nèi)部程序判斷是否復(fù)位或者開(kāi)關(guān)作用。本技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)：本方案以MT613X芯片為主要復(fù)位元器件，將磁鐵置于MT613X芯片水平面方向，MT613X芯片對(duì)磁場(chǎng)的感應(yīng)，使其OUT引腳產(chǎn)生低電平，OUT引腳的低電平拉低外接單元的RESET引腳，從而實(shí)現(xiàn)外部電路復(fù)位，實(shí)現(xiàn)設(shè)備在操作受限，按鍵不允許的情況下，通過(guò)這種不需要物理接觸的方式達(dá)到設(shè)備重啟的目的，這種磁致復(fù)位方式操作簡(jiǎn)單，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能夠使設(shè)備很快實(shí)現(xiàn)復(fù)位，復(fù)位過(guò)程中無(wú)電流及電壓沖擊，從而保證電子設(shè)備的使用壽命；另外，MT613X芯片的OUT引腳與外接單元的I/O口連接時(shí)，能夠起到開(kāi)關(guān)的作用。附圖說(shuō)明圖1為本技術(shù)的復(fù)位電路的電路圖；圖2為本技術(shù)中的MT613X芯片的電路圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。在本技術(shù)中，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下。由語(yǔ)句“包括一個(gè)......限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。請(qǐng)參閱圖1-2，詳述本技術(shù)的實(shí)施例。一種基于MT613X芯片的磁致復(fù)位電路，如圖1所示，包括MT613X芯片1，所述MT613X芯片1的水平面方向設(shè)有磁鐵，所述MT613X芯片1的OUT引腳3與外接單元7的RESET引腳8或外接單元7的I/O口連接，其中，MT613X芯片1的OUT引腳3與外接單元7的RESET引腳8連接，能夠起到復(fù)位作用；MT613X芯片1的OUT引腳3與外接單元7的I/O口連接，能夠起到開(kāi)關(guān)作用，增加了本電路的功能。電源VCC5與所述MT613X芯片1的VCC引腳2電連接且為其供電，所述MT613X芯片1的GND引腳4與地線GND6連接。所述MT613X芯片1的VCC引腳2和GND引腳4之間連接電容C19，電容C19具有電源濾波的作用。所述MT613X芯片1的OUT引腳3和GND引腳4之間連接電容C210，電容C210具有輸出濾波的作用。所述外接單元7為具有復(fù)位功能的任意電路，包含電路的復(fù)位或者任意一個(gè)可以作為輸入的IO引腳，由外接單元7內(nèi)部程序判斷是否復(fù)位或者開(kāi)關(guān)作用。其中，所述MT613X芯片1是一種可以檢測(cè)與IC封裝平行的磁場(chǎng)的磁阻開(kāi)關(guān)傳感器IC，所述MT613X芯片1是在一顆芯片上集成AMR傳感器和ASIC芯片，如圖2所示，所述MT613X芯片1內(nèi)部包括帶磁膜的惠斯通電橋11、一個(gè)用于在1.65V至5.0V電源電壓下工作的電流調(diào)節(jié)器12、一個(gè)用于低功耗要求的睡眠/喚醒邏輯13、小信號(hào)放大器14、帶動(dòng)態(tài)偏移消除的施密特觸發(fā)比較器15、以及具有推挽輸出和開(kāi)漏輸出兩種不同選項(xiàng)的輸出驅(qū)動(dòng)器16。本技術(shù)主要以MT613X芯片1為主要復(fù)位元器件，將磁鐵置于MT613X芯片1附近，經(jīng)過(guò)MT613X芯片1的處理，使其OUT引腳3產(chǎn)生低電平，OUT引腳3的低電平拉低外接單元7的RESET引腳8，從而實(shí)現(xiàn)外部電路的復(fù)位，實(shí)現(xiàn)設(shè)備在操作受限，按鍵不允許的情況下，通過(guò)不需要物理接觸的方式達(dá)到設(shè)備重啟的目的，這種磁致復(fù)位方式操作簡(jiǎn)單，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能夠使設(shè)備很快實(shí)現(xiàn)復(fù)位，復(fù)位過(guò)程中無(wú)電流及電壓沖擊，從而保證電子設(shè)備的使用壽命。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本技術(shù)不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本技術(shù)的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本技術(shù)。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技術(shù)的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本技術(shù)內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見(jiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種基于MT613X芯片的磁致復(fù)位電路，其特征在于：包括MT613X芯片(1)，所述MT613X芯片(1)的水平面方向設(shè)有磁鐵，所述MT613X芯片(1)的OUT引腳(3)與外接單元(7)的RESET引腳(8)或外接單元(7)的I/O口連接，電源VCC(5)與所述MT613X芯片(1)的VCC引腳(2)電連接且為其供電，所述MT613X芯片(1)的GND引腳(4)與地線GND(6)連接。/n

【技術(shù)特征摘要】
1.一種基于MT613X芯片的磁致復(fù)位電路，其特征在于：包括MT613X芯片(1)，所述MT613X芯片(1)的水平面方向設(shè)有磁鐵，所述MT613X芯片(1)的OUT引腳(3)與外接單元(7)的RESET引腳(8)或外接單元(7)的I/O口連接，電源VCC(5)與所述MT613X芯片(1)的VCC引腳(2)電連接且為其供電，所述MT613X芯片(1)的GND引腳(4)與地線GND(6)連接。


2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于MT613X芯片的磁致復(fù)位電路，其特征在于：所述MT613X芯片(1)的VCC引腳(2)和GND引腳(4)之間連接有具有電源濾波作用的電容C1(9)。


3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于MT613X芯片的磁致復(fù)位電路，其特征在于：所述MT613X芯片(1)的OUT引腳(3)和GND引腳(4)之間連接有具有輸出濾波作用的電容C2(10)。...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張建輝，翟小衛(wèi)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：寶雞市興宇騰測(cè)控設(shè)備有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：陜西;61