反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術屬于反滲透膜生產裝置領域，具體為反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置，包括傳送機構、用于傳送基膜的烘干機構和用于傳導熱氣的隨動機構，所述傳送機構包括支撐底座、傳送輥支座、電機、傳送輥一、升降支架，所述支撐底座頂部固定連接有所述傳送輥支座，所述傳送輥支座前部設有用于帶動兩個所述傳送輥支座之間設置的所述傳送輥一轉動的所述電機，兩側并列的所述傳送輥支座頂部設有所述升降支架。本發明專利技術采用傳送機構和隨動機構，從而可以調節傳送輥一與傳送輥二之間的距離，進而適應不同厚度的基膜，使用方便，并且采用烘干機構，從而可以將熱氣噴出至基膜的上下兩面，這樣烘干效率高。

【技術實現步驟摘要】
反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置
本專利技術屬于反滲透膜生產裝置領域，具體是涉及反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置。
技術介紹
反滲透膜是一種模擬生物半透膜制成的具有一定特性的人工半透膜，是反滲透技術的核心構件。反滲透技術原理是在高于溶液滲透壓的作用下，依據其他物質不能透過半透膜而將這些物質和水分離開來。反滲透膜的膜孔徑非常小，因此能夠有效地去除水中的溶解鹽類、膠體、微生物、有機物等。系統具有水質好、耗能低、無污染、工藝簡單、操作簡便等優點。現有的反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置不能適應不同厚度的基膜，導致使用不便，并且不能同時對基膜的兩面進行烘干導致烘干效率低。
技術實現思路
為解決現有技術中存在的問題，本專利技術采用傳送機構和隨動機構，從而可以調節傳送輥一與傳送輥二之間的距離，進而適應不同厚度的基膜，使用方便，并且采用烘干機構，從而可以將熱氣噴出至基膜的上下兩面，這樣烘干效率高。為了實現上述目的，本專利技術采用以下技術方案：本專利技術的一種反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置，包括傳送機構、用于傳送基膜的烘干機構和用于傳導熱氣的隨動機構，所述傳送機構包括支撐底座、傳送輥支座、電機、傳送輥一、升降支架，所述支撐底座頂部固定連接有所述傳送輥支座，所述傳送輥支座前部設有用于帶動兩個所述傳送輥支座之間設置的所述傳送輥一轉動的所述電機，兩側并列的所述傳送輥支座頂部設有所述升降支架，所述升降支架頂部貫穿有螺紋連接的螺紋桿，所述螺紋桿頂端固定連接有把手，所述螺紋桿上通過螺紋連接有與所述升降支架滑動連接的滑座，所述滑座上轉動連接有傳送輥二，所述傳送輥一后部設有帶輪，兩個所述帶輪通過傳動帶傳動連接，所述烘干機構包括導氣板、進氣管、管閥、排氣孔，兩個所述傳送輥一之間設有導氣板，所述導氣板前部相連通有所述進氣管，所述進氣管上設有所述管閥，所述進氣管內側相對的兩面開設有所述排氣孔；在所述電機,103的控制端安裝有控制器，所述控制器包括型號為LPC47N252的芯片IC，所述芯片IC的第一引腳連接二極管D2的負極，二極管D2的正極分別連接信號輸入端V1、二極管D1的正極、三極管D9的發射極、電容C1的一端、電阻R1的一端、二極管D3的負極、電阻R3的一端、三極管D11的集電極和二極管D4的負極，所述電阻R1的另一端連接芯片IC的第二引腳，電容C1的另一端連接芯片IC的第三引腳，三極管D9的基極連接芯片IC的第四引腳，三極管D9的集電極分別連接二極管D1的負極、電阻R2的一端、二極管D5的正極、電容C4的一端、三極管D12的集電極、二極管D6的正極、電阻R5的一端、發光二極管D8的正極和信號輸出端V2；所述電阻R2的另一端連接芯片IC的第五引腳，二極管D5的負極分別連接電容C3的一端和三極管D10的基極，電容C3的另一端連接芯片IC的第六引腳，三極管D10的集電極連接芯片IC的第七引腳，三極管D10的發射極分別連接電容C2的一端和三極管D11的基極，電容C2的另一端連接芯片IC的第八引腳，所述電容C4的另一端分別連接電阻R4的一端和三極管D11的發射極，電阻R4的另一端分別連接二極管D3的正極、電阻R3的另一端、二極管D4的正極、二極管D6的負極、三極管D12的發射極和二極管D7的負極，二極管D7的正極連接發光二極管D8的負極，所述電阻R5的另一端連接三極管D12的基極。在上述技術方案的基礎上，所述隨動機構包括隨動滑塊、滑塊升降支架，所述傳送輥二后部轉動連接有與所述隨動滑塊滑動連接的所述滑塊升降支架，兩個所述隨動滑塊與所述傳送輥支座通過螺釘連接，所述滑塊升降支架在所述隨動滑塊上滑動支撐所述傳送輥二升降。在上述技術方案的基礎上，所述隨動機構包括隨動支塊、滑桿，所述傳送輥二后部轉動連接有與所述滑桿滑動連接的所述隨動支塊，所述滑桿垂直固定在所述傳送輥支座頂部，所述隨動支塊滑動升降在所述滑桿上滑動升降支撐所述傳送輥二。在上述技術方案的基礎上，所述螺紋桿垂直于所述傳送輥支座，所述傳送輥支座通過螺紋帶動所述滑座垂直升降。在上述技術方案的基礎上，所述傳送輥一與所述傳送輥二相互平行，所述傳送輥一和所述傳送輥二配合可以傳送基膜。在上述技術方案的基礎上，所述導氣板呈“凵”狀且位于中空，所述導氣板內部可以流通熱氣。在上述技術方案的基礎上，所述排氣孔為兩排并沿所述導氣板的長度方向均勻分布，所述排氣孔噴出熱氣至基膜上。與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：啟動電機帶動傳送輥一轉動進而帶動帶輪轉動，然后通過傳動帶帶動另一個帶輪和傳送輥一轉動，這樣就可以同步轉動傳送基膜，將基膜穿過傳送輥一與傳送輥二之間，利用把手帶動螺紋桿轉動使其通過螺紋帶動滑座在升降支架上升降，進而調節傳送輥二的高度，這樣可以適應不同厚度的基膜并夾持傳送，傳送的過程中熱風從進氣管進入導氣板內，然后從排氣孔排出對基膜的上下兩面同時烘干。本專利技術的附加技術特征及其優點將在下面的描述內容中闡述地更加明顯，或通過本專利技術的具體實踐可以了解到。附圖說明附圖是用來提供對本專利技術的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本專利技術，但并不構成對本專利技術的限制。在附圖中：圖1是本專利技術所述反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置實施例1的第一軸測圖；圖2是本專利技術所述反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置實施例1的第二軸測圖；圖3是本專利技術所述反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置實施例1的烘干機構結構示意圖；圖4是本專利技術所述反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置實施例2的軸測圖；圖5是本專利技術中控制器的電路原理圖。附圖標記說明如下：1、傳送機構；101、支撐底座；102、傳送輥支座；103、電機；104、傳送輥一；105、升降支架；106、螺紋桿；107、把手；108、滑座；109、傳送輥二；110、帶輪；111、傳動帶；2、烘干機構；201、導氣板；202、進氣管；203、管閥；204、排氣孔；3、隨動機構；301、隨動滑塊；302、滑塊升降支架；303、隨動支塊；304、滑桿。具體實施方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。在本專利技術的描述中，需要理解的是，術語“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本專利技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本專利技術的限制。實施例1請參閱圖1-圖3，本專利技術提供一種技術方案：反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置，包括傳送機構1、用于傳送基膜的烘干機構2和用于傳導熱氣的隨動機構3，傳送機構1包括支撐底座101、傳送輥支座102、電機103、傳送輥一104、升降支架105，支撐底座101頂部固定連接有傳送輥支座102，傳送輥支座102前部設有用于帶動兩個傳送輥支座102本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置，其特征在于：包括傳送機構（1）、用于傳送基膜的烘干機構（2）和用于傳導熱氣的隨動機構（3），所述傳送機構（1）包括支撐底座（101）、傳送輥支座（102）、電機（103）、傳送輥一（104）、升降支架（105），所述支撐底座（101）頂部固定連接有所述傳送輥支座（102），所述傳送輥支座（102）前部設有用于帶動兩個所述傳送輥支座（102）之間設置的所述傳送輥一（104）轉動的所述電機（103），兩側并列的所述傳送輥支座（102）頂部設有所述升降支架（105），所述升降支架（105）頂部貫穿有螺紋連接的螺紋桿（106），所述螺紋桿（106）頂端固定連接有把手（107），所述螺紋桿（106）上通過螺紋連接有與所述升降支架（105）滑動連接的滑座（108），所述滑座（108）上轉動連接有傳送輥二（109），所述傳送輥一（104）后部設有帶輪（110），兩個所述帶輪（110）通過傳動帶（111）傳動連接，所述烘干機構（2）包括導氣板（201）、進氣管（202）、管閥（203）、排氣孔（204），兩個所述傳送輥一（104）之間設有導氣板（201），所述導氣板（201）前部相連通有所述進氣管（202），所述進氣管（202）上設有所述管閥（203），所述進氣管（202）內側相對的兩面開設有所述排氣孔（204）；在所述電機（103）的控制端安裝有控制器，所述控制器包括型號為LPC47N252的芯片IC，所述芯片IC的第一引腳連接二極管D2的負極，二極管D2的正極分別連接信號輸入端V1、二極管D1的正極、三極管D9的發射極、電容C1的一端、電阻R1的一端、二極管D3的負極、電阻R3的一端、三極管D11的集電極和二極管D4的負極，所述電阻R1的另一端連接芯片IC的第二引腳，電容C1的另一端連接芯片IC的第三引腳，三極管D9的基極連接芯片IC的第四引腳，三極管D9的集電極分別連接二極管D1的負極、電阻R2的一端、二極管D5的正極、電容C4的一端、三極管D12的集電極、二極管D6的正極、電阻R5的一端、發光二極管D8的正極和信號輸出端V2；所述電阻R2的另一端連接芯片IC的第五引腳，二極管D5的負極分別連接電容C3的一端和三極管D10的基極，電容C3的另一端連接芯片IC的第六引腳，三極管D10的集電極連接芯片IC的第七引腳，三極管D10的發射極分別連接電容C2的一端和三極管D11的基極，電容C2的另一端連接芯片IC的第八引腳，所述電容C4的另一端分別連接電阻R4的一端和三極管D11的發射極，電阻R4的另一端分別連接二極管D3的正極、電阻R3的另一端、二極管D4的正極、二極管D6的負極、三極管D12的發射極和二極管D7的負極，二極管D7的正極連接發光二極管D8的負極，所述電阻R5的另一端連接三極管D12的基極。/n...

【技術特征摘要】
1.反滲透膜生產的基膜懸空烘干裝置，其特征在于：包括傳送機構（1）、用于傳送基膜的烘干機構（2）和用于傳導熱氣的隨動機構（3），所述傳送機構（1）包括支撐底座（101）、傳送輥支座（102）、電機（103）、傳送輥一（104）、升降支架（105），所述支撐底座（101）頂部固定連接有所述傳送輥支座（102），所述傳送輥支座（102）前部設有用于帶動兩個所述傳送輥支座（102）之間設置的所述傳送輥一（104）轉動的所述電機（103），兩側并列的所述傳送輥支座（102）頂部設有所述升降支架（105），所述升降支架（105）頂部貫穿有螺紋連接的螺紋桿（106），所述螺紋桿（106）頂端固定連接有把手（107），所述螺紋桿（106）上通過螺紋連接有與所述升降支架（105）滑動連接的滑座（108），所述滑座（108）上轉動連接有傳送輥二（109），所述傳送輥一（104）后部設有帶輪（110），兩個所述帶輪（110）通過傳動帶（111）傳動連接，所述烘干機構（2）包括導氣板（201）、進氣管（202）、管閥（203）、排氣孔（204），兩個所述傳送輥一（104）之間設有導氣板（201），所述導氣板（201）前部相連通有所述進氣管（202），所述進氣管（202）上設有所述管閥（203），所述進氣管（202）內側相對的兩面開設有所述排氣孔（204）；在所述電機（103）的控制端安裝有控制器，所述控制器包括型號為LPC47N252的芯片IC，所述芯片IC的第一引腳連接二極管D2的負極，二極管D2的正極分別連接信號輸入端V1、二極管D1的正極、三極管D9的發射極、電容C1的一端、電阻R1的一端、二極管D3的負極、電阻R3的一端、三極管D11的集電極和二極管D4的負極，所述電阻R1的另一端連接芯片IC的第二引腳，電容C1的另一端連接芯片IC的第三引腳，三極管D9的基極連接芯片IC的第四引腳，三極管D9的集電極分別連接二極管D1的負極、電阻R2的一端、二極管D5的正極、電容C4的一端、三極管D12的集電極、二極管D6的正極、電阻R5的一端、發光二極管D8的正極和信號輸出端V2；所述電阻R2的另一端連接芯片IC的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：樊凱，
申請(專利權)人：重慶電子工程職業學院，
類型：發明
國別省市：重慶;50