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    半透過型邊緣場開關模式液晶顯示裝置制造方法及圖紙

    技術編號:2709684 閱讀:184 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
    本發明專利技術公開了一種能夠提高品質的半透過型邊緣場開關模式液晶顯示裝置。使分別具有對置電極及狹縫形態的像素電極的下部基板在存在有液晶層的狀態下與上部基板相對配置,在上述上部基板的外側配置上部偏振板,在上述下部基板的外側配置下部偏振板,在上述反射區域的下部基板的內側具有含有機樹脂膜的反射板,在具有上述反射板的下部基板和下部偏振板之間具有下側λ/2板,在具有上述上部基板和上部偏振板之間具有上側λ/2板,對上述像素電極進行構圖,使其在反射區域和透過區域傾斜角、狹縫的寬度以及間隔相互不同,上述反射區域的液晶層的相位滯后值從0轉換到λ/4,上述透過區域液晶層的相位滯后值從0轉換到λ/2。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及半透過型液晶顯示裝置,特別是具有高品質且能夠得到寬視角的半透過型邊緣場開關模式液晶顯示裝置。
    技術介紹
    液晶顯示裝置能夠分類成如下兩類,即,將背光燈用作為光源的透過型液晶顯示裝置和將自然光用作為光源的反射型液晶顯示裝置。透過型液晶顯示裝置雖然由于將背光燈用作為光源而能夠在暗的周邊環境下也顯現明亮的圖像,但由于使用背光燈而具有耗電大的缺點,另一方面,反射型液晶顯示裝置由于不使用背光燈而使用周邊環境的自然光,故耗電小,但具有周邊環境暗時不能使用的缺點。因此,為解決所述透過型及反射型液晶顯示裝置所具有的缺點,提案有半透過型液晶顯示裝置。半透過型液晶顯示裝置根據需要而能夠反射型及透過型兩用,故其耗電相對低,在暗的周邊環境下也能夠使用。另一方面,已提案的現有的半透過型液晶顯示裝置可使用以下方式設計,即,如圖1所示,將透過區域的單元間隙(セルギヤツプ)dt與反射區域的單元間隙dr相同的單一單元間隙結構的方式,和如圖3所示,使用透過區域的單元間隙dt比反射區域的單元間隙dr大兩倍左右的雙單元間隙結構的方式。在圖1及圖3中,附圖標記1表示下部基板、2a表示像素電極、2b表示反射電極、3表示上部基板、4表示公共電極、5表示液晶、6表示有機絕緣膜。在利用圖1所示的單一單元間隙結構適用同一液晶模式來制造半透過型液晶顯示裝置的情況下,反射區域的相位滯后值(Δn·d)成為透過區域相位滯后值的兩倍時,如圖2所示,由于反射模式的V-R曲線與透過模式的V-T曲線不一致,引起灰度等級不一致以及電氣光學特性的降低。由此,最近大多使用將透過區域的單元間隙設計為反射區域的單元間隙的兩倍左右的雙單元間隙結構來制造半透過型液晶顯示裝置。這是由于,利用雙單元間隙結構適用同一液晶模式,制造半透過型液晶顯示裝置的情況,反射區域的單元間隙是透過區域的單元間隙的1/2,但由于光路徑是2倍,故反射區域的相位延遲值具有與透過區域相同的相位滯后值,如圖4所示,能夠容易使V-R曲線與V-T曲線一致,由此,與適用單一單元間隙的情況相比較,能夠有效抑制灰度等級的不一致以及電氣光學特性的降低。但是,這樣,在適用雙單元間隙來制造半透過型液晶顯示裝置的情況,單一單元間隙結構對比透過區域和反射區域之間的單元間隙差產生2倍左右的階梯差時,存在液晶取向工序不均一等制造工序上的困難性,生產性低下,施加電場時與配向層鄰接的液晶不完善,視角狹窄的問題。
    技術實現思路
    因此,本專利技術是為解決現有技術的半透過型液晶顯示裝置存在的上述問題點而提出的,其目的在于提供一種半透過型邊緣場開關模式液晶顯示裝置,能夠改善適用雙單元間隙結構的制造工序上的困難性以及其造成的生產性的降低,并且能夠改善適用單一單元間隙結構時的V-T曲線與V-R曲線的不一致,擴大視角。為實現上述目的,本專利技術的半透過型邊緣場開關模式液晶顯示裝置,具有透過區域和反射區域的單元間隙不同的雙單元間隙結構,其特征在于,分別具有對置電極及狹縫形態的像素電極的下部基板在夾有液晶層的狀態下與上部基板相對配置,在上述上部基板的外側配置上部偏振板,在上述下部基板的外側配置下部偏振板,在上述反射區域的下部基板的內側具有含有機樹脂膜的反射板,在具有上述反射板的下部基板和下部偏振板之間具有下側λ/2板,在上述上部基板和上部偏振板之間具有上側λ/2板,上述像素電極在反射區域和透過區域,傾斜角、狹縫的寬度以及間隔相互不同而進行構圖,上述反射區域的液晶層的相位滯后值從0轉換到λ/4,上述透過區域液晶層的相位滯后值從0轉換到λ/2。上述像素電極的傾斜角在上述反射區域比在上述透過區域大10~40°。上述像素電極的狹縫寬度以及間隔在上述反射區域和上述透過區域相同。上述像素電極的狹縫寬度以及間隔具有在上述反射區域比在上述透過區域小2μm以下。上述上側及下側λ/2板的相位滯后值是250~400nm。上述反射區域的液晶層具有100~200nm的相位滯后值。上述透過區域的液晶層具有250~400nm的相位滯后值。上述下部偏振板及上部偏振板的透過軸一致,上述上側及下側λ/2板的光軸與上部及下部偏振板的透過軸構成15°。上述有機樹脂膜在表面上具有多個壓紋圖案。上述有機樹脂膜具有600~2000nm的厚度。上述壓紋圖案具有3~10μm的直徑以及距上述有機樹脂膜的表面700~800nm的高度,壓紋圖案之間的距離大于或等于2μm,傾斜角為5~15°。在透過區域和反射區域具有相同的單元間隙的單一單元間隙結構的半透過型邊緣差開關模式液晶顯示裝置中,其特征在于,具有對置電極及像素電極的下部基板存在有液晶層的情況下與上部基板相對配置,在上述上部基板的外側配置上部偏振板,在上述下部基板的外側配置下部偏振板,在上述反射區域的下部基板的內側具有反射板,在具有上述反射板的下部基板和液晶層之間具有上側λ/4板,上述像素電極在反射區域和透過區域中,以傾斜角、狹縫的寬度及間隔相互不同而進行構圖,上述反射區域的液晶層的相位滯后值從0轉換到λ/2,上述透過區域液晶層的相位滯后值從0轉換到λ/2。上述像素電極的傾斜角在上述反射區域比在上述透過區域大10~40°。上述像素電極的狹縫寬度以及間隔在上述反射區域和在上述透過區域相同,或具有在上述反射區域比在透過區域小2μm以下。上述上側及下側λ/4板的相位滯后值為100~200nm。上述反射區域及透過區域的液晶層具有250~400nm的相位滯后值。在上述反射區域中,在下部基板和對置電極之間追加具有多個壓紋圖案的有機樹脂膜。上述壓紋圖案具有3~10μm的直徑以及距離上述有機樹脂膜的表面700~800nm的高度,壓紋圖案之間的距離大于或等于2μm。另外,上述壓紋圖案的傾斜為5~15°。上述下部偏振板的透過軸與液晶層的初始摩擦方向一致,上述上部偏振板的透過軸與上述下部偏振板正交,上述下側λ/4板和上側λ/4板的光軸相互正交,上側λ/4板與初始液晶的摩擦軸構成45°。在透過區域和反射區域具有相同的單元間隙的單一單元間隙結構的半透過型邊緣差開關模式液晶顯示裝置中,其特征在于,具有對置電極及像素電極的下部基板在存在有液晶層的狀態下與上部基板相對配置,在上述上部基板的外側配置上部配光板,在上述下部基板的外側配置下部偏振板,在上述反射區域的下部基板的內側具有反射板,在具有上述反射板的下部基板和液晶層之間具有λ/4板,上述像素電極在反射區域和透過區域中,使傾斜角、狹縫寬度以及間隔相互不同而進行構圖,上述λ/4板使反射板的透過區域打開而被進行構圖。如上所述,本專利技術在雙單元間隙結構或單一單元間隙結構的反射區域和透過區域中,通過使作為狹縫形態的像素電極的傾斜角、狹縫的寬度以及間隔相互不同,增加驅動電壓,能夠使反射區域的V-R曲線和透過區域的V-T曲線一致,故能夠提高反射區域和透過區域的電氣光學特性,得到高品質的半透過型液晶顯示裝置。另外,本專利技術由于利用具有寬視角特性的邊緣差開關模式驅動,故能夠實現寬視角的半透過型液晶顯示裝置。附圖說明圖1是表示現有的單一單元間隙半透過型液晶顯示裝置的剖面圖;圖2是用于說明現有的單一單元間隙半透過型液晶顯示裝置的透過模式的V-T曲線和反射模式的V-R曲線的圖表;圖3是表示現有的雙單元間隙半透過型液晶顯示裝置的剖面圖;圖4是用于說明現有本文檔來自技高網
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    【技術保護點】
    一種半透過型邊緣場開關模式液晶顯示裝置,具有透過區域和反射區域的單元間隙不同的雙單元間隙結構,其特征在于,分別具有對置電極及狹縫形態的像素電極的下部基板在夾有液晶層的狀態下與上部基板相對配置,在上述上部基板的外側配置上部偏振板,在上述下部基板的外側配置下部偏振板,在上述反射區域的下部基板的內側具有含有機樹脂膜的反射板,在具有上述反射板的下部基板和下部偏振板之間具有下側λ/2板,在上述上部基板和上部偏振板之間具有上側λ/2板,對上述像素電極進行構圖,使其在反射區域和透過區域,傾斜角、狹縫的寬度以及間隔相互不同,上述反射區域的液晶層的相位滯后值從0轉換到λ/4,上述透過區域液晶層的相位滯后值從0轉換到λ/2。

    【技術特征摘要】
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    【專利技術屬性】
    技術研發人員:鄭然鶴,金香律樸準伯金貴鉉,
    申請(專利權)人:京東方顯示器科技公司,
    類型:發明
    國別省市:KR[韓國]

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