本發(fā)明專利技術(shù)屬于離型膜領(lǐng)域，公開了一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，包括以下步驟：(1)取質(zhì)量比為100:4:3:5的ETFE樹脂、交聯(lián)劑、抗氧劑和增韌劑混合均勻加入三層共擠型擠出機(jī)的內(nèi)層，取質(zhì)量比為100:4:3:5的ETFE樹脂、交聯(lián)劑、抗氧劑和粘接劑混合均與加入三層共擠型擠出機(jī)的中層。本發(fā)明專利技術(shù)以ETFE樹脂為主要原料并采用加工方式以多層熔融共擠出、復(fù)合成ETFE離型膜，最大限度地保證了ETFE樹脂膜的綜合性能，具有耐高溫性、耐磨、防靜電等功能，能在250℃條件下進(jìn)行壓合，具有高離型性，相比單一擠出成膜而言，該加工方式避免了由于功能助劑在同一層膜中由于物料性能不同引起ETFE樹脂膜整體性能下降的可能性。整體性能下降的可能性。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法
[0001]本專利技術(shù)涉及離型膜
，具體為一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法。
技術(shù)介紹
[0002]ETFE離型膜也可以叫乙烯一氯四氟乙烯共聚合物，又稱為ETFE離型膜，ETFE剝離膜，ETFE隔離膜，ETFE分離膜，ETFE阻膠膜等，主要用于柔性電路板及大功率LED生產(chǎn)及電子產(chǎn)品，如IC芯片生產(chǎn)中做離型，該薄膜有非常良好的隔離膠水的作用，不與任何膠水發(fā)生粘連；
[0003]但是現(xiàn)有的ETFE離型膜的制備工藝多采用單一擠出成膜的方式制得，這種方式使得功能助劑在同一層膜中，由于物料性能不同而引起ETFE離型膜整體性能下降的可能性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0004](一)解決的技術(shù)問題
[0005]1.要解決的技術(shù)問題
[0006]針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本專利技術(shù)的目的在于提供一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，解決了上述問題。
[0007](二)技術(shù)方案
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案：
[0009]一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，包括以下步驟：
[0010](1)取質(zhì)量比為100:4:3:5的ETFE樹脂、交聯(lián)劑、抗氧劑和增韌劑混合均勻加入三層共擠型擠出機(jī)的內(nèi)層，取質(zhì)量比為100:4:3:5的ETFE樹脂、交聯(lián)劑、抗氧劑和粘接劑混合均與加入三層共擠型擠出機(jī)的中層，取質(zhì)量比為100:4:3:5:2的ETFE樹脂、交聯(lián)劑、抗氧劑、聚乙烯蠟微粒和抗靜電劑加入3層共擠型擠出機(jī)的外層，升溫使物料熔融擠出；
[0011](2)將熔融擠出的物料經(jīng)過機(jī)頭進(jìn)行貼合后，采用三層共擠法通過T型模頭熔融擠出，所述熔融擠出溫度為240-280℃，擠出機(jī)螺桿尺寸為φ＝20-60mm，L/D＝20-50，螺桿轉(zhuǎn)速為20-300rpm；
[0012](3)在經(jīng)由T型模頭擠出之后進(jìn)入冷卻輥筒進(jìn)行冷卻后，得到ETFE離型膜
[0013]優(yōu)選的，步驟(1)所述ETFE樹脂在三層共擠型擠出機(jī)的內(nèi)層、中層和外層的加入量的質(zhì)量比為1:1:1。
[0014]優(yōu)選的，步驟(3)所述冷卻輥筒采用雙層結(jié)構(gòu)的多螺旋進(jìn)水通道，外進(jìn)內(nèi)排
[0015]優(yōu)選的，所述交聯(lián)劑為甲基甲氧基硅氧烷、N-2-(氨乙基)-3氨丙基甲基二甲氧基硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷中的一種。
[0016]優(yōu)選的，所述抗氧劑為抗氧劑1076、抗氧劑CA、抗氧劑DLTP、抗氧劑TNP、抗氧劑TPP中的一種。
[0017]優(yōu)選的，所述增韌劑為端羧基超支化聚酯、熱塑性聚苯醚酮、熱塑性聚醚砜或乙烯－醋酸乙烯共聚物中的一種或一種以上。
[0018]優(yōu)選的，所述抗靜電劑為乙炔炭黑，所述聚乙烯蠟微粒的粒徑為2-4μm。
[0019](三)有益效果
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)提供了一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，具備以下有益效果：
[0021](1)本專利技術(shù)以ETFE樹脂為主要原料并采用加工方式以多層熔融共擠出、復(fù)合成ETFE離型膜，最大限度地保證了ETFE樹脂膜的綜合性能，具有耐高溫性、耐磨、防靜電等功能，能在250℃條件下進(jìn)行壓合，具有高離型性，相比單一擠出成膜而言，該加工方式避免了由于功能助劑在同一層膜中由于物料性能不同引起ETFE樹脂膜整體性能下降的可能性。
[0022](2)本方案的ETFE離型膜，通過交聯(lián)劑使得各原料的交聯(lián)效果好，得到的ETFE離型層厚度小，殘余接著力高，初始離型力平穩(wěn)，膜面公差范圍小，抗氧劑的加入可以防止ETFE樹脂在加工過程中出現(xiàn)熱氧化降解，從而保證ETFE離型膜的成型加工順利進(jìn)行。
[0023](2)本方案的增韌劑的添加可以提高ETFE離型膜的韌性，當(dāng)ETFE離型膜在使用過程中受到外界物體沖擊，能夠吸收一定的能量，乙烯蠟微粒改變了ETFE離型膜的外層組成，提高ETFE離型膜外層的潤滑性能，增加其立體感和光澤度，使得到的ETFE離型膜表現(xiàn)出較輕且穩(wěn)定的離型力，此外，聚乙烯蠟微量具有優(yōu)良的耐磨性能，可以提高ETFE離型膜的抗刮性能。
具體實(shí)施方式
[0024]下面將結(jié)合本專利技術(shù)的實(shí)施例，對本專利技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本專利技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。
[0025]實(shí)施例一：
[0026]一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，包括以下步驟：
[0027](1)取質(zhì)量比為100:4:3:5的ETFE樹脂、交聯(lián)劑、抗氧劑和增韌劑混合均勻加入三層共擠型擠出機(jī)的內(nèi)層，取質(zhì)量比為100:4:3:5的ETFE樹脂、交聯(lián)劑、抗氧劑和粘接劑混合均與加入三層共擠型擠出機(jī)的中層，取質(zhì)量比為100:4:3:5:2的ETFE樹脂、交聯(lián)劑、抗氧劑、聚乙烯蠟微粒和抗靜電劑加入3層共擠型擠出機(jī)的外層，升溫使物料熔融擠出；
[0028](2)將熔融擠出的物料經(jīng)過機(jī)頭進(jìn)行貼合后，采用三層共擠法通過T型模頭熔融擠出，熔融擠出溫度為240-280℃，擠出機(jī)螺桿尺寸為φ＝20-60mm，L/D＝20-50，螺桿轉(zhuǎn)速為20-300rpm；
[0029](3)在經(jīng)由T型模頭擠出之后進(jìn)入冷卻輥筒進(jìn)行冷卻后，得到ETFE離型膜
[0030]進(jìn)一步的，步驟(1)ETFE樹脂在三層共擠型擠出機(jī)的內(nèi)層、中層和外層的加入量的質(zhì)量比為1:1:1。
[0031]進(jìn)一步的，步驟(3)冷卻輥筒采用雙層結(jié)構(gòu)的多螺旋進(jìn)水通道，外進(jìn)內(nèi)排
[0032]進(jìn)一步的，交聯(lián)劑為甲基甲氧基硅氧烷、N-2-(氨乙基)-3氨丙基甲基二甲氧基硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷中的一種，通過交聯(lián)劑使得各原料的交聯(lián)效果好，得到的ETFE離型層厚度小，殘余接著力高，初始離型力平穩(wěn)，膜面公差范圍小。
[0033]進(jìn)一步的，抗氧劑為抗氧劑1076、抗氧劑CA、抗氧劑DLTP、抗氧劑TNP、抗氧劑TPP中
的一種，抗氧劑的加入可以防止ETFE樹脂在加工過程中出現(xiàn)熱氧化降解，從而保證ETFE離型膜的成型加工順利進(jìn)行。
[0034]進(jìn)一步的，增韌劑為端羧基超支化聚酯、熱塑性聚苯醚酮、熱塑性聚醚砜或乙烯－醋酸乙烯共聚物中的一種或一種以上，增韌劑的添加可以提高ETFE離型膜的韌性，當(dāng)ETFE離型膜在使用過程中受到外界物體沖擊，能夠吸收一定的能量。
[0035]進(jìn)一步的，抗靜電劑為乙炔炭黑，聚乙烯蠟微粒的粒徑為2-4μm，聚乙烯蠟微粒改變了ETFE離型膜的外層組成，提高ETFE離型膜外層的潤滑性能，增加其立體感和光澤度，使得到的ETFE離型膜表現(xiàn)出較輕且穩(wěn)定的離型力，此外，聚乙烯蠟微量具有優(yōu)良的耐磨性能，可以提高ETFE離型膜的抗刮性能。
[0036]以上所述，僅為本專利技術(shù)較佳的具體實(shí)施方式；但本專利技術(shù)的保護(hù)范圍并不局限于此。任何熟悉本
的技術(shù)人員在本專利技術(shù)揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：(1)取質(zhì)量比為100:4:3:5的ETFE樹脂、交聯(lián)劑、抗氧劑和增韌劑混合均勻加入三層共擠型擠出機(jī)的內(nèi)層，取質(zhì)量比為100:4:3:5的ETFE樹脂、交聯(lián)劑、抗氧劑和粘接劑混合均與加入三層共擠型擠出機(jī)的中層，取質(zhì)量比為100:4:3:5:2的ETFE樹脂、交聯(lián)劑、抗氧劑、聚乙烯蠟微粒和抗靜電劑加入3層共擠型擠出機(jī)的外層，升溫使物料熔融擠出；(2)將熔融擠出的物料經(jīng)過機(jī)頭進(jìn)行貼合后，采用三層共擠法通過T型模頭熔融擠出，所述熔融擠出溫度為240-280℃，擠出機(jī)螺桿尺寸為φ＝20-60mm，L/D＝20-50，螺桿轉(zhuǎn)速為20-300rpm；(3)在經(jīng)由T型模頭擠出之后進(jìn)入冷卻輥筒進(jìn)行冷卻后，得到ETFE離型膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，其特征在于：步驟(1)所述ETFE樹脂在三層共擠型擠出機(jī)的內(nèi)層、中層和外層的加入量的質(zhì)量...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王翔宇，宋厚春，歐雪光，陳洪，
申請(專利權(quán))人：銀金達(dá)上海新材料有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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