像素結構、其制作方法及多域垂直配向型液晶顯示裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術關于一種像素結構，包含：一下基板，其具有一晶體管區及一像素區；一第一圖案化導電層，包含一數據導線以及設置于晶體管區內的一柵極；一圖案化絕緣層，覆蓋第一圖案化導電層；一主動層，設置于柵極上方的圖案化絕緣層上；一第二圖案化導電層，包括一柵極導線以及設置于主動層上的一源極與一漏極；一像素電極，設置于圖案化絕緣層上且與漏極電性連接；一圖案化保護層，覆蓋于圖案化絕緣層、第二圖案化導電層與像素電極的上；以及一第三圖案化導電層，包括一數據導線連接電極、一柵極導線連接電極、至少一配向電極與一共通電極，其中，數據導線與源極通過數據導線連接電極呈電性連接，柵極導線與柵極系通過柵極導線連接電極呈電性連接。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術是關于一種像素結構及應用該像素結構的一種多域垂直配向型液晶顯示裝置(multi?domain?vertical?alignment?LCD)，本專利技術還關于所述的像素結構的制作方法。
技術介紹
傳統液晶顯示裝置(例如TN型的液晶顯示裝置)于不同視角觀察時，會發現不同的相位差值，從而感受到不同的亮度。更甚者，可發現灰階反轉(grayscale?inversion)的現象。前述問題，使得傳統的液晶顯示裝置的視角受限，此在近年來液晶顯示裝置朝大尺寸面版及多人使用的目標發展的情形下，更使得傳統液晶顯示裝置的適用性受到質疑。為解決上述問題，業界業已發展出多種增加視角的技術。其中之一稱為多域垂直配向(multi?domain?vertical?alignment，MVA)技術。MVA技術主要于顯示裝置中分隔多個配向區域，借此使液晶材料之間呈現一互相補償的排列方式，以于不同視角觀察到相同的相位差值，從而擴大視角范圍并避免灰階反轉現象。于此，常用的MVA技術是于液晶顯示裝置中的適當處(例如彩色濾光片上)設置凸塊(protrusions)，以便分隔多個配向區域。簡言之，前述技術通過凸塊使液晶材料產生傾角，以便于施加電壓至液晶材料時，讓不同配向區域中的液晶材料朝不同方向傾斜，借此改善視角范圍。此一方式雖可以解決前述視角狹隘的問題，卻?？砂l現因凸塊所引起的漏光現象，此一漏光現象則影響液晶顯示裝置的顯示效果。由上述說明可知，先前技術為擴大視角而于液晶顯示裝置的面版中設置凸塊，但卻導致漏光現象。有鑒于此，提供一不需設置凸塊但具有大視角的-->液晶顯示裝置，為業界所殷切期盼。
技術實現思路
本專利技術的一目的在于提供一種像素結構，其包含：一下基板，其具有一晶體管區及一像素區；一第一圖案化導電層，設置于該下基板上，該第一圖案化導電層包含一數據導線以及設置于該晶體管區內的一柵極；一圖案化絕緣層，覆蓋該第一圖案化導電層；一主動層，設置于該柵極上方的該圖案化絕緣層上；一第二圖案化導電層，設置于該圖案化絕緣層以及該主動層上，該第二圖案化導電層包括一柵極導線以及設置于該主動層上的一源極與一漏極；一像素電極，設置于該圖案化絕緣層上且與該漏極電性連接；一圖案化保護層，覆蓋于該圖案化絕緣層、該第二圖案化導電層與該像素電極之上；以及一第三圖案化導電層，設置于該圖案化保護層上，該第三圖案化導電層包括一數據導線連接電極、一柵極導線連接電極、至少一配向電極與一共通電極，其中，該數據導線與該源極通過該數據導線連接電極呈電性連接，該柵極導線與該柵極通過該柵極導線連接電極呈電性連接，該配向電極與該像素電極呈電性連接，而部分該共通電極位于該數據導線上方。本專利技術的另一目的在于提供一種多域垂直配向型液晶顯示裝置，其包含一上基板、一定義有一晶體管區及一像素區的下基板、以及一設置于該上基板及下基板間的液晶材料，該像素區內定義有復數配向區域，該裝置另于該上基板與該下基板之間包含：一像素電極，設置于該像素區內；以及至少一配向電極，設置于該像素電極上，且與該像素電極電性連接。本專利技術的再一目的在于提供一種像素結構的制造方法，用于多域垂直配向型液晶顯示裝置，包含：提供一定義有一晶體管區及一像素區的下基板；于該下基板上形成一第一圖案化導電層，其包含一數據導線以及設置于該晶體管區內的一柵極；于該第一圖案化導電層上覆蓋一絕緣層；于部分該柵極上方的該絕緣層上形成一主動層；形成一第二圖案化導電層，其包含一柵極-->導線以及設置于該晶體管區內的一源極與一漏極；于該像素區內形成一像素電極，與該漏極電性連接；形成一保護層于該絕緣層、該第二圖案化導電層與該像素電極之上；施行一蝕刻制造工藝，以于該保護層與該絕緣層形成復數接觸窗，分別暴露部分該源極、部分該數據導線、部分該像素電極、部分該柵極及部分該柵極導線；以及形成一第三圖案化導電層于該保護層上以及該復數接觸窗之中。在本專利技術的像素結構的制造方法中，形成該第三圖案化導電層的步驟包含：形成一數據導線連接電極于該經暴露的部分該數據導線上及該經暴露的部分該源極上，以電性連接該數據導線與該源極；形成一柵極導線連接電極于該經暴露的部分該柵極導線上以及經暴露的部分該柵極上，以電性連接該柵極導線與該柵極；以及形成至少一配向電極于該經暴露的部分該像素電極上，該至少一配向電極與該像素電極電性連接。附圖說明圖1A為本專利技術像素結構的俯視示意圖；圖1B則為圖1A中剖面線AA’、BB’及CC’處的剖面示意圖；圖2A及圖2B為數據導線上方的部份共通電極于該數據導線的橫切方向上存在不連續部份的示意圖；以及圖3至圖8為制造本專利技術像素結構流程的示意圖。附圖標號101????????上基板??????????103????下基板1031???????晶體管區????????1033???像素區105????????液晶材料層??????11?????第一圖案化導電層111、111a??數據導線????????113????柵極12?????????圖案化絕緣層????12’???絕緣層-->13?????主動層??????????????131????????半導體通道層133????歐姆接觸層??????????14?????????第二圖案化導電層141????源極????????????????143????????漏極145????柵極導線????????????15?????????像素電極16?????圖案化保護層????????17?????????配向區域18?????第三圖案化導電層????181、181a??配向電極183????共通電極????????????185????????數據導線連接電極187????柵極導線連接電極????191????????第一接觸窗193????第二接觸窗??????????195????????第三接觸窗195????第四接觸窗??????????199????????第五接觸窗具體實施方式為讓本專利技術的上述目的、技術特征、和優點能更明顯易懂，下文將以較佳實施例配合附圖以對本專利技術進行詳細說明。為有效解決前述視角狹隘及漏光現象的問題，本專利技術提出一種像素結構，尤其是應用該像素結構的一種多域垂直配向型液晶顯示裝置。一并參考圖1A及圖1B，其為具有本專利技術像素結構的多域垂直配向型液晶顯示裝置的示意圖，其中圖1A為位于下基板上的本專利技術像素結構的俯視圖；圖1B則為圖1A中剖面線AA’、BB’及CC’處的剖面圖。多域垂直配向型液晶顯示裝置包含一上基板101、一定義有一晶體管區1031與一像素區1033的下基板103以及一設置于上基板101及下基板103間的液晶材料層105。像素區1033內則定義有復數個配向區域17。于多域垂直配向型液晶顯示裝置的上基板101與下基板103間，即下基板103面向上基板101的側面上，設置有一第一圖案化導電層11，其包含一數據導線111以及一設置于晶體管區1031內的柵極113。一圖案化絕緣層12，覆蓋該第一圖案化導電層11。于柵極113上方的圖案化絕緣層12上則設有一-->主動層13。主動層13包含一半導體通道層131以及一位于半導體通道層131上的歐姆接觸層133。一第二圖案化導電層14，設置于圖案化絕本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種像素結構，包含：一下基板，其具有一晶體管區及一像素區；一第一圖案化導電層，設置于所述的下基板上，所述的第一圖案化導電層包含一數據導線以及設置于所述的晶體管區內的一柵極；一圖案化絕緣層，覆蓋所述的第一圖案化導電層； 一主動層，設置于所述的柵極上方的所述的圖案化絕緣層上；一第二圖案化導電層，設置于所述的圖案化絕緣層以及所述的主動層上，所述的第二圖案化導電層包括一柵極導線以及設置于所述的主動層上的一源極與一漏極；一像素電極，設置于所 述的圖案化絕緣層上且與所述的漏極電性連接；一圖案化保護層，覆蓋于所述的圖案化絕緣層、所述的第二圖案化導電層與所述的像素電極之上；以及一第三圖案化導電層，設置于所述的圖案化保護層上，所述的第三圖案化導電層包括一數據導線連接電極 、一柵極導線連接電極、至少一配向電極與一共通電極，其中，所述的數據導線與所述的源極通過所述的數據導線連接電極呈電性連接，所述的柵極導線與所述的柵極通過所述的柵極導線連接電極呈電性連接，所述的至少一配向電極與所述的像素電極呈電性連接，而部分所述的共通電極位于所述的數據導線上方。...

【技術特征摘要】
1.一種像素結構，包含：一下基板，其具有一晶體管區及一像素區；一第一圖案化導電層，設置于所述的下基板上，所述的第一圖案化導電層包含一數據導線以及設置于所述的晶體管區內的一柵極；一圖案化絕緣層，覆蓋所述的第一圖案化導電層；一主動層，設置于所述的柵極上方的所述的圖案化絕緣層上；一第二圖案化導電層，設置于所述的圖案化絕緣層以及所述的主動層上，所述的第二圖案化導電層包括一柵極導線以及設置于所述的主動層上的一源極與一漏極；一像素電極，設置于所述的圖案化絕緣層上且與所述的漏極電性連接；一圖案化保護層，覆蓋于所述的圖案化絕緣層、所述的第二圖案化導電層與所述的像素電極之上；以及一第三圖案化導電層，設置于所述的圖案化保護層上，所述的第三圖案化導電層包括一數據導線連接電極、一柵極導線連接電極、至少一配向電極與一共通電極，其中，所述的數據導線與所述的源極通過所述的數據導線連接電極呈電性連接，所述的柵極導線與所述的柵極通過所述的柵極導線連接電極呈電性連接，所述的至少一配向電極與所述的像素電極呈電性連接，而部分所述的共通電極位于所述的數據導線上方。2.如權利要求1所述的像素結構，其中所述的共通電極還與所述的像素電極部分重迭，以構成一儲存電容。3.如權利要求1所述的像素結構，其中所述的主動層包括一半導體通道層以及位于所述的半導體通道層上的一歐姆接觸層。4.如權利要求1所述的像素結構，其中所述的數據導線上方的所述的圖案化絕緣層與所述的圖案化保護層具有一第一接觸窗，所述的源極上方的所述的圖案化保護層具有一第二接觸窗，而所述的數據導線連接電極設置于所述的第一接觸窗與第二接觸窗內，并使所述的數據導線與所述的源極呈電性連接。5.如權利要求1所述的像素結構，其中所述的柵極導線上方的所述的圖案化保護層具有一第三接觸窗，所述的柵極上方的所述的圖案化絕緣層與所述的圖案化保護層具有一第四接觸窗，而所述的柵極導線連接電極設置于所述的第三接觸窗與第四接觸窗內，并使所述的柵極導線與所述的柵極呈電性連接。6.如權利要求1所述的像素結構，其中所述的像素電極上方的所述的圖案化保護層中具有至少一第五接觸窗，而所述的至少一配向電極設置于所述的至少一第五接觸窗內，并與所述的像素電極呈電性連接。7.一種多域垂直配向型液晶顯示裝置，其包含一上基板、一定義有一晶體管區及一像素區的下基板、以及一設置于所述的上基板及下基板間的液晶材料，所述的像素區內定義有復數配向區域，所述的裝置另于所述的上基板與所述的下基板之間包含：一像素電極，設置于所述的像素區內；以及至少一配向電極，設置于所述的像素電極上，且與所述的像素電極電性連接。8.如權利要求7所述的液晶顯示裝置，還包含：一第一圖案化導電層，設置于所述的下基板上且包含一數據導線以及設置于所述的晶體管區內的一柵極；一圖案化絕緣層位于所述的第一圖案化導電層上；一主動層，設置于所述的柵極上方的所述的圖案化絕緣層上；一源極及一漏極，其相對于主動層而實質上設置于所述的主動層兩側，其中所述的像素電極設置于所述的圖案化絕緣層上且與所述的漏極電性連接；一柵極導線，設置于所述的圖案化絕緣層上且與所述的柵極電性連接；一圖案化保護層，設置于所述的漏極、所述的源極、所述的柵極導線及所述的像素電極上；以及一共通電極，設置于所述的圖案化保護層上，其中部份所述的共通電極位于所述的數據導線上方。9.如權利要求8所述的液晶顯示裝...

【專利技術屬性】
技術研發人員：林祥麟，李錫烈，楊敦鈞，
申請(專利權)人：友達光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：71[中國|臺灣]