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    雙面芯片制造技術

    技術編號:27335845 閱讀:47 留言:0更新日期:2021-02-10 12:35
    本實用新型專利技術提供一種雙面芯片,其包括平行設置的第一層及第二層,所述第一層的上表面設置有輸入/輸出端口,所述第二層的下表面設置有輸入/輸出端口,所述第一層的下表面與所述第二層的上表面貼合;所述第一層內設置有第一功能電路,所述第二層內設置有第二功能電路;至少一導通孔的兩端分別連接第一功能電路與第二功能電路,所述導通孔內填充導電材料,以實現第一功能電路與第二功能電路的電連接。本實用新型專利技術將第一功能電路與第二功能電路上下平行設置,并通過導通孔電連接,且芯片兩面均具有輸入/輸出端口,與現有技術中兩種電路在水平面上平行設置相比,本實用新型專利技術雙面芯片大大減小了芯片面積和封裝后的模塊面積,實現小型化目的。型化目的。型化目的。

    【技術實現步驟摘要】
    雙面芯片


    [0001]本技術涉及半導體封裝領域,尤其涉及一種雙面芯片。

    技術介紹

    [0002]隨著電子器件集成化程度不斷加深,且電子產品趨于小型化發展,這也就意味著,一定的封裝空間內要容納更多的元器件。這不僅對電子器件的封裝技術提出了更高的要求,也要求單個芯片小型化。
    [0003]為了減小封裝面積,目前的通用做法是將功率電路與控制電路集成在一個芯片中。圖1A是一種芯片結構的側視圖,圖1B是圖1A所示結構的俯視圖,圖1C是另一種芯片結構的側視圖,圖1D是圖1C所示結構的俯視圖。請參見圖1A及圖1B,功率電路10及控制電路11集成在一個芯片12中,其中,所述控制電路11的區域圍繞所述功率電路10的區域設置,且兩者設置在同一水平面上;請參見圖1C及圖1D,功率電路10及控制電路11集成在一個芯片12中,其中,所述控制電路11的區域與所述功率電路10的區域并行設置,且兩者設置在同一水平面上。上述兩種結構,雖然將功率電路10及控制電路11集成在一個芯片12中,在一定程度上減小了封裝內部芯片的數量,減小了封裝體積,但是由于功率電路10與控制電路11設置在同一水平面上,增大了單顆芯片的面積,封裝面積減少不多。
    [0004]因此,亟需一種新的封裝結構克服現有技術的缺陷,進一步減小封裝面積,實現小型化的目的。

    技術實現思路

    [0005]本技術所要解決的技術問題是,提供一種雙面芯片,其能夠大大減小芯片面積和封裝后的模塊面積,實現小型化目的。
    [0006]為了解決上述問題,本技術提供了一種雙面芯片,包括平行設置的第一層及第二層,所述第一層的上表面設置有輸入/輸出端口,所述第二層的下表面設置有輸入/輸出端口,所述第一層的下表面與所述第二層的上表面貼合,所述第一層內設置有第一功能電路,所述第二層內設置有第二功能電路,至少一導通孔的兩端分別連接所述第一功能電路與所述第二功能電路,所述導通孔內填充導電材料,以實現所述第一功能電路與所述第二功能電路的電連接。
    [0007]進一步,所述第一功能電路為控制電路,所述第二功能電路為功率電路。
    [0008]進一步,所述第一功能電路為功率電路,所述第二功能電路為控制電路。
    [0009]進一步,所述第一層的下表面與所述第二層的上表面通過粘結材料粘貼。
    [0010]進一步,所述第一層與所述第二層為一體結構。
    [0011]進一步,所述導通孔穿過所述第一層及所述第二層連通所述第一功能電路與所述第二功能電路。
    [0012]進一步,一封裝體塑封所述雙面芯片,所述封裝體上形成過孔,所述過孔的兩端分別從所述第一層上表面延伸至所述第一功能電路,從所述第二層下表面延伸至所述第二功
    能電路,形成所述導通孔,以連通所述第一功能電路與所述第二功能電路。
    [0013]本技術的優點在于,本技術雙面芯片將第一功能電路與第二功能電路上下平行設置,并通過導通孔電連接,且芯片兩面均具有輸入/輸出端口,與現有技術中兩種電路在水平面上平行設置相比,本技術雙面芯片大大減小了芯片面積和封裝后的模塊面積,實現小型化目的。
    附圖說明
    [0014]圖1A~圖1D是現有的芯片結構示意圖。
    [0015]圖2是本技術雙面芯片第一實施例的結構示意圖;
    [0016]圖3是本技術雙面芯片第二實施例的結構示意圖。
    具體實施方式
    [0017]下面詳細描述本申請的實施方式,所述實施方式的示例在附圖中示出,其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的組件或具有相同或類似功能的組件。本申請的說明書和權利要求書以及附圖中的術語“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)是用于區別類似的對象,而不必用于描述特定的順序或先后次序。應當理解,這樣描述的對象在適當情況下可以互換。在本申請的描述中,“多個”的含義是兩個或兩個以上,除非另有明確具體的限定。此外,術語“包括”和“具有”以及它們的任何變形,意圖在于覆蓋不排它的包含。
    [0018]參見圖2,在本技術雙面芯片的第一實施例中,所述雙面芯片包括平行設置的第一層20及第二層21。所述第一層20的上表面設置有輸入/輸出端口(I/O)(附圖中未標示),所述第二層21的下表面設置有輸入/輸出端口(I/O)(附圖中未標示),所述第一層20的下表面與所述第二層21的上表面貼合。在本實施例中,所述第一層20為一單面芯片,所述第二層21為一單面芯片,兩個單面芯片通過粘結材料22粘結形成所述雙面芯片。所述粘結材料可以為本領域通用的導電或絕緣粘結材料。
    [0019]所述第一層20內設置有第一功能電路23,所述第二層21內設置有第二功能電路24。所述第一功能電路23為控制電路,所述第二功能電路24為功率電路,或者所述第一功能電路23為功率電路,所述第二功能電路24為控制電路。即兩種電路分別上下平行設置,與現有技術中兩種電路在水平面上平行設置相比,本技術雙面芯片大大減小了芯片面積,進一步大大減小了封裝后的模塊的面積。
    [0020]至少一導通孔25的兩端分別連接第一功能電路23與第二功能電路24,所述導通孔25內填充導電材料,以實現第一功能電路23與第二功能電路24的電連接。在本實施例中,所述導通孔25穿過第一層20及第二層21連通所述第一功能電路23與所述第二功能電路24。即在本實施例中,采用TSV工藝(through silicon via)在第一層20及第二層21中形成導通孔25,所述導通孔25連接至所述第一功能電路23及第二動能電路24,進而實現第一功能電路23與第二功能電路24的電連接。
    [0021]圖3是本技術雙面芯片的第二實施例,其與第一實施例的區別在于,一、所述第一層20與所述第二層21為一體結構,即在生產芯片的工藝中,所述第一層20與所述第二層21為一個芯片,在芯片的上表面及下表面分別制作輸入/輸出端口(I/O),在圖3中,采用虛線示意性地標示出第一層20與第二層21的分界線,實際上,該條分界線并不存在,僅為說
    明本技術技術方案而設;二、一封裝體30(附圖中采用虛線示意性繪示)塑封所述雙面芯片,所述封裝體30上形成過孔,所述過孔的兩端分別從所述第一層20上表面延伸至所述第一功能電路23,從所述第二層21下表面延伸至所述第二功能電路24,形成所述導通孔25,以連通所述第一功能電路23與所述第二功能電路24。
    [0022]本技術雙面芯片將第一功能電路與第二功能電路平行設置,并通過導通孔電連接,且芯片兩面均具有輸入/輸出端口,大大減少了芯片面積和封裝后的模塊面積,實現小型化目的。
    [0023]以上所述僅是本技術的優選實施方式,應當指出,對于本
    的普通技術人員,在不脫離本技術原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本技術的保護范圍。
    本文檔來自技高網
    ...

    【技術保護點】

    【技術特征摘要】
    1.一種雙面芯片,其特征在于,包括平行設置的第一層及第二層,所述第一層的上表面設置有輸入/輸出端口,所述第二層的下表面設置有輸入/輸出端口,所述第一層的下表面與所述第二層的上表面貼合,所述第一層內設置有第一功能電路,所述第二層內設置有第二功能電路,至少一導通孔的兩端分別連接所述第一功能電路與所述第二功能電路,所述導通孔內填充導電材料,以實現所述第一功能電路與所述第二功能電路的電連接。2.根據權利要求1所述的雙面芯片,其特征在于,所述第一功能電路為控制電路,所述第二功能電路為功率電路。3.根據權利要求1所述的雙面芯片,其特征在于,所述第一功能電路為功率電路,所述第二功能電路為...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:彭建軍
    申請(專利權)人:合肥祖安投資合伙企業有限合伙
    類型:新型
    國別省市:

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