一種成像材料，包括一個基底和位于所述基底上的含有著色顆粒和粘合劑的成像層，該成像層在λ↓［ｍａｘ］處的光密度為每１μｍ成像層厚度３．０或大于３．０，λ↓［ｍａｘ］為在成像層的光譜吸收范圍波長３５０－１２００ｎｍ內(nèi)產(chǎn)生最大光密度的波長，其中，圖像通過消除成像材料的成像層曝光部分形成。（*該技術(shù)在2016年保護(hù)過期，可自由使用*）
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種高感光度，高密度和高解像度的成像材料，制造該成像材料的方法，和使用該成像材料成像的方法。包含以下步驟的記錄方法是眾所周知的將成像材料在例如激光的高能量密度光下曝光，其中一部分材料產(chǎn)生形變，被松動、燃燒或蒸發(fā)和除去。該方法是一個干過程，未使用含有化學(xué)品的處理溶液，僅僅被曝光的部分被融化形變，松動或蒸發(fā)，它的優(yōu)點(diǎn)在于產(chǎn)生高對比度。該方法被用于光記錄材料，例如阻蝕材料、光碟、或能產(chǎn)生可視圖像的成像材料。日本專利O.P.I.公開號59-5447，59-10563，和62-115153公開了一種通過圖形曝光對粘合劑樹脂進(jìn)行光致退化形成阻蝕層的方法。日本專利O.P.工.公開號55-132536，57-27788，和57-103137公開了一種對蒸發(fā)淀積的無機(jī)化合物薄層曝光，通過融化形變記錄信息的方法。日本專利O.P.I.公開號64-56591，1-99887，6-40163公開了一種通過光熱轉(zhuǎn)換除去一層著色的粘合劑樹脂以記錄信息的方法，美國專利4245003公開了一種成像材料，它包括一個含石墨或炭黑的成像層。日本專利O.P.工.公開號58-18290/1983，PCT專利4-506709/1994，日本專利O.P.工.公開號6-18290/1992和美國專利5,156,938，5,171,650，5,256,506公開了一種成像材料，它包括一種能夠?qū)⑺盏募す饽芰哭D(zhuǎn)換成熱能的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)和一種能夠被熱量退化的粘合劑。日本專利O.P.工.公開號58-18290/1983，PCT專利4-506709/1992，日本專利O.P.工.和美國專利5,156,938，5,171,650和5,256,506公開了一種成像方法，它在圖像接收層接收已經(jīng)被退化和松動的成像層。此外，在日本專利O.P.I.公開號4-327982/1992和4-327983/1992公開了一種成像方法，它包括以下步驟，(a)將成像層在激光下曝光，該成像層順序包括一個基底、位于基底上的含有光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的光熱轉(zhuǎn)換層和成像層，該光熱轉(zhuǎn)換層也是一個蒸發(fā)層，其中蒸發(fā)層被融化，并改變它與基底間的粘合度，(b)將一個圖像接收層放置在成像層之上，(c)從成像層上剝除圖像接收層，以形成圖像。根據(jù)該方法，雖然被曝光和被釋放的成像層污染成像裝置的問題被解決了，但是在有空氣層存在的情況下，難于獲得優(yōu)良的圖像，在圖像接收層上難于獲得沒有缺陷的高密度圖像。另一方面，如果高密度的圖像不是在圖像接受層的一側(cè)形成，而是在成像材料上形成，將產(chǎn)生的問題是成像層上被曝光的部分不能被充分除去，從而無法獲得低模糊度和無缺陷的圖像，也無法獲得令人滿意的解像度和感光度。附附圖說明圖1(a)、1(b)和1(c)表示本專利技術(shù)的一種成像過程。附圖2(a)、2(b)和2(c)表示本專利技術(shù)的另一種成像過程。附圖3表示一種成像材料的平面圖，成像材料順序包括一個基底、位于其上的成像層和剝離層，其中剝離層在成像層非圖像部分的四個邊緣部分(5)粘合在成像層上。附圖4(a)、4(b)和4(c)表示本專利技術(shù)的成像材料的一個優(yōu)選實施例。附圖5表示本專利技術(shù)的剝離層的實施例的剖面圖。附圖6(a)、6(b)和6(c′)和6(c)表示本專利技術(shù)的另一種成像過程。本專利技術(shù)的目的是克服上述問題。本專利技術(shù)的一個目的是提供一種高感光度、高光密度、無污染和高解像度的成像材料，制造該成像材料的方法，和使用該成像材料的成像方法。本專利技術(shù)的上述目的可通過下述方案實現(xiàn)。1、一種成像材料，包括一個基底和位于所述基底上的含有著色顆粒和粘合劑的成像層，該成像層在λmax處的光密度為每1μm成像層厚度3.0或大于3.0，λmax為在成像層的光譜吸收波長350-1200nm內(nèi)產(chǎn)生最大光密度的波長，其中，圖像通過消除成像材料的成像層曝光部分形成。2、根據(jù)上述1的成像材料，其中著色顆粒為含金屬原子的顆粒。3、根據(jù)上述2的成像材料，其中含金屬原子的顆粒選自金屬、合金和金屬化合物。4、根據(jù)上述2的成像材料，其中含金屬原子的顆粒成份的含量為重量的70到99％。5、根據(jù)上述4的成像材料，其中含金屬原子的顆粒成份的含量為重量的70到95％。6、根據(jù)上述2的成像材料，其中含金屬原子的顆粒成份的含量為體積的20到80％。7、根據(jù)上述2的成像材料，其中含金屬原子的顆粒的平均粒徑為0.03-0.50μm。8、根據(jù)上述2的成像材料，其中含金屬原子的顆粒為針形。9、根據(jù)上述2的成像材料，其中含金屬原子的顆粒是磁性顆粒。10、根據(jù)上述9的成像材料，在成像之前，成像層在磁場中經(jīng)過。11、根據(jù)上述10的成像材料，在成像之后，成像層進(jìn)行砑光處理。12、根據(jù)上述1的成像材料，其中的粘合劑是聚氨基甲酸乙酯樹脂，聚酯樹脂或氯乙烯基樹脂。13、根據(jù)上述12的成像材料，其中的粘合劑為含有一個重復(fù)單元的樹脂，該重復(fù)單元含有選自-SO3M，-OSO3M，-COOM，和-PO(OM1)2的一個極性基團(tuán)，其中M代表一個氫原子或堿原子；M1代表一個氫原子、一個堿原子或一個烷基基團(tuán)。14、根據(jù)上述2的成像材料，其中成像層的碳黑的含量根據(jù)含金屬原子的顆粒成份的含量為重量的0.5-15％。15、根據(jù)上述1的成像材料，其中成像層的厚度為0.1-5.0μm。16、根據(jù)上述15的成像材料，其中成像層的厚度為0.1-1.0μm。17、根據(jù)上述1的成像材料，其中在基底與成像層相反的一面設(shè)置有背層。18、根據(jù)上述1的成像材料，其中還包括一種抗靜電劑。19、根據(jù)上述1的成像材料，其中基底的厚度為10-500μm。20、根據(jù)上述1的成像材料，其中在成像層上設(shè)置有剝離層。21、根據(jù)上述20的成像材料，其中剝離層含有精細(xì)顆粒，一部分精細(xì)顆粒由剝離層表面突出，具有突出高度在1-20μm的精細(xì)顆粒的數(shù)目為每1mm2剝離層10或10個以上。22、根據(jù)上述20的成像材料，其中根據(jù)JIS B 0601測量的面對成像層的剝離層的表面粗糙度Ra為0.04-1.0μm。23、一種使用成像材料的成像方法，該成像材料包括一個基底和位于該基底上的含有著色顆粒和粘合劑的成像層，該成像層在λmax處的光密度為每1μm成像層厚度3.0或大于3.0，λmax為在成像層的吸收光譜波長范圍350-1200nm內(nèi)產(chǎn)生最大光密度的波長，該方法包括以下步驟將成像材料的成像層成像曝光；去除成像層上的曝光部分形成圖像。24、根據(jù)上述23的成像方法，其中，在去除步驟之前，基底與成像層的曝光部分的粘合度被降低。25、根據(jù)上述23的成像方法，其中，在成像層上設(shè)置了剝離層，在去除步驟之前，基底與成像層的曝光部分的粘合度被降低，通過將剝離層從成像層上分離，將成像層的曝光部分轉(zhuǎn)移到剝離層上，完成去除步驟。26、根據(jù)上述23的成像方法，使用激光進(jìn)行成像曝光。27、根據(jù)上述26的成像方法，激光的波長為600-1200nm。以下詳細(xì)說明本專利技術(shù)。本專利技術(shù)的成像材料在基底上提供了一個成像層，該成像層的每單位厚度具有一個特定范圍的光密度，并含有占重量或體積的一定比例范圍的含金屬顆粒。基底包括樹脂薄膜，例如聚丙烯酸酯，聚甲基丙烯酸酯，聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚丁基對苯二甲酸酯，聚亞乙基萘二甲酸酯，聚碳酸酯，聚氯乙烯，聚乙烯，聚丙烯，聚苯乙烯，尼龍，芳族酰胺，聚醚醚酮，聚砜，聚砜醚，聚酰亞胺本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種成像材料，包括一個基底和位于所述基底上的含有著色顆粒和粘合劑的成像層，該成像層在λｍａｘ處的光密度為每１μｍ成像層厚度３．０或大于３．０，λｍａｘ為在成像層的光譜吸收波長３５０－１２００ｎｍ內(nèi)產(chǎn)生最大光密度的波長，其中，圖像通過消除成像材料的成像層曝光部分形成。２、根據(jù)權(quán)利要求１所述的成像材料，其中著色顆粒為含金屬原子的顆粒。
【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：竹山敏久，勝田愛，河村朋己，瀧本正高，后藤良孝，
申請(專利權(quán))人：柯尼卡株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：JP[日本]
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