一種半導體芯片粘結蠟清洗劑及其制備和使用方法技術

本發明專利技術屬于半導體芯片制造領域，公開了一種半導體芯片粘結蠟清洗劑及其制備和使用方法。按質量百分比包括下列組分：碳氫溶劑：0％?30％；醇醚溶劑：余量；清洗增效劑：0.5?5％；氣味調節劑：0.05?0.5％；本發明專利技術的目的是針對半導體芯片特殊結構上粘結蠟清洗不徹底，且工藝復雜及安全隱患大的不足，提供一種半導體芯片粘結蠟清洗劑及其制備和使用方法，進而解決現有技術存在的缺點和不足。

【技術實現步驟摘要】
一種半導體芯片粘結蠟清洗劑及其制備和使用方法
本專利技術屬于半導體芯片制造領域，本專利技術涉及一種半導體芯片粘結蠟清洗劑及其制備和使用方法。
技術介紹
半導體芯片封裝測試前，需要用粘結蠟涂敷功能區一面，在壓力加持下固定在研磨盤上，對芯片裸露面進行研磨拋光操作。研磨拋光后，經粘結蠟清洗劑清洗，復原芯片的本征功能面。行業內采用的粘結蠟主要成分為長碳鏈的脂肪酸、松香酸及基于松香結構的衍生物，行業專家開發多款清洗劑，用以清洗粘結蠟物質。專利CN102191141B公開了一種改性碳氫清洗劑，采用添加醇、酯和醚的方式，解決了專利200810053280.7方案清洗劑閃點低和溶解能力不足的弊端，并拓展了有機污垢的清洗范圍，屬一款廣譜性質的清洗劑。上述專利方案在工業特定領域具有適用性，但在半導體芯片專業領域清洗能力不足。半導體芯片功能面采用原子沉積的方式，呈現凸起的金屬電極和凹回的無機材料層形貌，金屬或無機材料原子沉積層是表面粗糙的結構。涂敷的粘結蠟在外壓力的驅動下，粗糙表面結構牢牢鎖住粘結蠟，充分占據了芯片功能面上宏觀的凹凸余量空間，增加了后續清洗的復雜性；凸起金屬表面上的蠟受更強壓力，結構更加致密，后續清洗呈現殘留問題。此外，碳氫溶劑類清洗劑因不溶于水，故芯片清洗蠟后，需用多道酒精、異丙醇或丙酮等易揮發易燃爆試劑漂洗(特殊條件下，還需加熱)，工藝復雜，潛在安全隱患大，成本高。基于上述問題，半導體行業急需一款清洗徹底，使用工藝簡單，安全穩定的粘結蠟清洗劑。
技術實現思路
本專利技術的目的是針對半導體芯片特殊結構上粘結蠟清洗不徹底，且工藝復雜及安全隱患大的不足，本專利技術提供一種半導體芯片粘結蠟清洗劑及其制備和使用方法，進而解決現有技術存在的缺點和不足。本專利技術的上述目的是通過以下技術方案實現的：一種半導體芯片粘結蠟清洗劑，按質量百分比包括下列組分：碳氫溶劑：0％-30％；醇醚溶劑：余量；清洗增效劑：0.5-5％；氣味調節劑：0.05-0.5％；所述碳氫溶劑為閃點50-120℃的碳氫溶劑，優選為D50、D60、D65、D80、D110和芳香烴溶劑中的一種或多種組合；所述醇醚溶劑為含氧有機物，優選為乙二醇叔丁醚和三丙二醇甲醚中的一種或兩種；所述清洗增效劑為松香醇聚氧乙烯醚、斯潘80與吐溫80組合物中的一種或兩種；所述斯潘80與吐溫80的質量比為1：3-10；所述氣味調節劑為橙味香精、香蕉香精中的任一種。上述半導體芯片粘結蠟清洗劑的制備方法，步驟如下：(1)清洗劑生產環境為千級超凈生產車間(每立方英尺內，大于等于0.5um的灰塵顆粒不超過1000顆)，所用物料為高純或電子級別；環境溫度為24--26℃，濕度為40％--60％。管控品質，避免異物污染；(2)生產所用反應釜經純水充分涮洗空干后，采用配方組分醇醚溶劑，兩次涮洗反應釜，空干備用。涮洗用醇醚物料不作為清洗劑物料使用；(3)依照配方組成，先添加醇醚溶劑，之后添加所需質量的清洗增效劑，攪拌10-20分鐘，攪拌速度50-70r/min，清洗增效劑完全溶解；(4)上述步驟(3)最后得到的溶液，按照5-10分鐘/次的頻率，分2-3次等質量添加碳氫溶劑，攪拌速度50-70r/min，攪拌時間10-20分鐘；(5)上述步驟(4)最后得到的溶液中，添加氣味調節劑，攪拌10-20分鐘，攪拌速度50-70r/min。(6)依照清洗劑管控方法和指標(企業標準Q/SDVS010)，檢驗合格后，采用過濾器過濾后，包裝。本專利技術提供的半導體芯片粘結蠟清洗劑的使用方法；具體如下：清洗設備應具有蒸汽抽排裝置，至少具有四個工作槽位，且工作槽位可加熱(優選水浴加熱)。待清洗芯片依次經過清洗槽1，清洗槽2，QDR(溢流、鼓泡、快排水和噴淋組合)漂洗槽和甩干槽。其中，清洗槽1和清洗槽2添加本專利技術提供的清洗劑，用于清洗粘結蠟；清洗槽1的清洗溫度為60-80℃，清洗槽1具有上下擺動功能，清洗時間為5-10分鐘，芯片清洗采用浸泡方式。清洗槽2溫度為70-90℃，清洗槽2具有上下擺動功能，清洗時間為5-10分鐘，芯片清洗采用浸泡方式。QDR槽采用室溫純水，具有溢流、鼓泡、快排水和噴淋組合功能，組合功能共實施2-3次，總計10-15分鐘。甩干為室溫下進行，具體工藝以除盡芯片上純水，滿足生產要求為宜。清洗周期結束后，排盡清洗槽1中清洗劑，將清洗槽2中清洗劑倒入清洗槽1中，清洗槽2裝入新清洗劑，進行下一周期清洗操作。本專利技術提供的清洗劑，每升清洗壽命大于120片，以單片涂敷0.3g粘結蠟計，提高10％以上壽命周期。本專利技術與現有技術相比的有益效果是：(1)本專利技術提供的清洗劑具有除蠟徹底的顯著特征。除碳氫和醇醚溶劑溶解粘結蠟作用外，本專利技術提供的清洗劑配方中清洗增效劑具有提高芯片粘結蠟清洗效率和徹底性的功效。松香醇聚氧乙烯醚中松香基團(親油基團)與碳氫溶劑和粘結蠟具有親和性，聚氧乙烯醚基團(親水基團)傾向在金屬電極和無機材料層表面鋪展。斯潘80/吐溫80組合物中斯潘(親油)傾向結合碳氫溶劑和粘結蠟，吐溫(親水)傾向在金屬電極和無極材料層表面鋪展，斯潘和吐溫間通過相同的含氧五元環相親。二者的作用效果均是加速粘結蠟從芯片表面脫離，從而提高粘結蠟的清洗效果和徹底性。(2)本專利技術提供的清洗劑可采用純水漂洗，具有工藝簡單，安全，成本低的特征。如上述(1)所述，清洗增效劑除具有提高清洗能力的效用外，在后續純水漂洗階段，親水基團在水中伸展，親油基團包裹碳氫溶劑和粘結蠟，起到防止水不溶物回黏到芯片上的作用。因無酒精、丙酮和異丙醇物質，簡化了工藝，提高生產安全性，降低成本。(3)本專利技術提供的清洗劑氣味愉快，使工作環境愜意。本專利技術提供的清洗劑，添加日常生活中熟悉的水果氣味添加劑，沁人心脾，工作愉悅。(4)本專利技術提供的清洗劑不含重金屬，不含鹵素，不含破壞臭氧層污染物，符合RoHS和REACH標準，安全環保。且清洗廢液經沉淀和生物降解后，可直接排放，降低生產成本。(5)本專利技術提供的清洗劑不含腐蝕性物料，對芯片無腐蝕。附圖說明圖1是現有技術采用碳氫溶劑和醇醚溶劑粘結蠟清洗劑清洗后芯片效果圖。圖2是本專利技術提供的清洗劑清洗芯片后效果圖。具體實施方式下面通過具體實施例詳述本專利技術，但不限制本專利技術的保護范圍。如無特殊說明，本專利技術所采用的實驗方法均為常規方法，所用實驗器材、材料、試劑等均可從商業途徑獲得。實施例1一種半導體芯片粘結蠟清洗劑，原料如表1所示：表1一種半導體芯片粘結蠟清洗劑組分表半導體芯片粘結蠟清洗劑的制備方法步驟如下：(1)清洗劑在千級超凈生產車間(開啟空氣凈化系統，顆粒度含量為每立方英尺內,0.5um的灰塵顆粒小于1000顆)生產，所用物料為95％以上級別。環境溫度為24--26℃，濕度為40％--60％。(2)生產所用反應釜經純水充分涮洗空干后，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種半導體芯片粘結蠟清洗劑，其特征是，按質量百分比包括下列組分：/n碳氫溶劑：0％-30％；/n醇醚溶劑：余量；/n清洗增效劑：0.5-5％；/n氣味調節劑：0.05-0.5％。/n

【技術特征摘要】
1.一種半導體芯片粘結蠟清洗劑，其特征是，按質量百分比包括下列組分：
碳氫溶劑：0％-30％；
醇醚溶劑：余量；
清洗增效劑：0.5-5％；
氣味調節劑：0.05-0.5％。


2.如權利要求1所述的一種半導體芯片粘結蠟清洗劑，其特征是，所述碳氫溶劑為閃點50-120℃的碳氫溶劑，所述醇醚溶劑為含氧有機物。


3.如權利要求2所述的一種半導體芯片粘結蠟清洗劑，其特征是，所述清洗增效劑為松香醇聚氧乙烯醚、斯潘80與吐溫80組合物中的一種或兩種。


4.如權利要求3所述的一種半導體芯片粘結蠟清洗劑，其特征是，所述氣味調節劑為橙味香精、香蕉香精中的任一種。


5.如權利要求4所述的一種半導體芯片粘結蠟清洗劑，其特征是，所述碳氫溶劑為D50、D60、D65、D80、D110和芳香烴溶劑中的一種或多種組合。


6.如權利要求5所述的一種半導體芯片粘結蠟清洗劑，其特征是，所述醇醚溶劑為乙二醇叔丁醚和三丙二醇甲醚中的一種或兩種。


7.如權利要求6所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：楊同勇，李文瀚，李磊，王堃，劉翠琴，
申請(專利權)人：三達奧克化學股份有限公司，
類型：發明
國別省市：遼寧;21